公开(公告)号：CN104218079A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410241729.8

申请日：2014-06-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上隆 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  川口宏 ,  竹胁利至 ,  名仓延宏 ,  永井隆行 ,  三浦喜直 ,  宫本广信

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/308 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。提供一种具有改善特性的半导体器件。该半导体器件具有衬底以及其上的缓冲层，沟道层，势垒层，贯穿其间并到达沟道层内部的沟槽，经由栅绝缘膜配置在沟槽中的栅电极以及栅电极两侧上的势垒层上的漏和源电极。栅绝缘膜具有由第一绝缘膜制成并从沟槽的端部延伸至漏电极侧的第一部分以及由第一和第二绝缘膜制成并配置在漏电极相对于第一部分侧上的第二部分。能够通过减小漏电极侧上的沟槽的端部处的第一部分的厚度来降低导通电阻。

公开(公告)号：CN104218079B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201410241729.8

申请日：2014-06-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上隆 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  川口宏 ,  竹胁利至 ,  名仓延宏 ,  永井隆行 ,  三浦喜直 ,  宫本广信

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。提供一种具有改善特性的半导体器件。该半导体器件具有衬底以及其上的缓冲层，沟道层，势垒层，贯穿其间并到达沟道层内部的沟槽，经由栅绝缘膜配置在沟槽中的栅电极以及栅电极两侧上的势垒层上的漏和源电极。栅绝缘膜具有由第一绝缘膜制成并从沟槽的端部延伸至漏电极侧的第一部分以及由第一和第二绝缘膜制成并配置在漏电极相对于第一部分侧上的第二部分。能够通过减小漏电极侧上的沟槽的端部处的第一部分的厚度来降低导通电阻。