公开(公告)号：CN101540324B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200910128556.8

申请日：2009-03-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 前田敏 ,  关根康 ,  渡边哲也

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/92 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在半导体衬底(1)上形成MIM型电容元件，该MIM型电容元件在布线(M1～M5)的梳状金属图案形成电极。电容元件的下方配置有为了防止CMP工序中的小凹坑的虚拟栅极图案的导体图案(8b)和作为虚拟有源区域的有源区域(1b)，所述导体图案(8b)和有源区域(1b)通过与由布线(M1～M5)构成的屏蔽用的金属图案的连接来连接到固定电位。并且，导体图案(8b)及有源区域(1b)不与布线(M1～M5)的梳状金属图案平面重合。由此能提高具有电容元件的半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN102420225A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110242752.5

申请日：2011-08-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 关根康 ,  山形整人

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种具有电阻值的温度依赖性小的电阻元件的半导体器件。半导体器件具有金属电阻元件层。金属电阻元件层包括电阻膜层。另一金属电阻元件层包括另一金属电阻膜层。金属电阻膜层为氮化钛电阻与氮化钽电阻中的一个。另一金属电阻膜层为氮化钛电阻与氮化钽电阻中的另一个。氮化钛电阻的电阻值具有正温度系数。而氮化钽电阻的电阻值具有负温度系数。接触插塞将金属电阻膜层与另一金属电阻膜层电耦合。因此，氮化钛电阻的温度系数与氮化钽电阻的温度系数可以彼此抵消。这可以减小温度系数。