公开(公告)号：CN105185781B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510660740.2

申请日：2010-11-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堤聪明 ,  船户是宏 ,  奥平智仁 ,  山形整人 ,  内田明久 ,  铃木智久 ,  钟江义晴 ,  寺崎健

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H03B5/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5228 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H03L7/24 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 将具有利用了基准电阻的振荡电路的半导体芯片(CP1)树脂封固而形成半导体器件。振荡电路利用基准电阻生成基准电流，根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压，振荡部以与所生成的电压相应的频率进行振荡。在由半导体芯片(CP1)的主面的第1边(S1、S2、S3、S4)、连接第1边的一端与半导体芯片的主面的中心(CT1)而成的第1线(42、43、44、45)、连接第1边的另一端与半导体芯片的主面的中心而成的第2线(42、43、44、45)所包围的第1区域(RG1、RG2、RG3、RG4)内，通过在垂直于第1边的第1方向(Y)上延伸的多个电阻体形成基准电阻。

公开(公告)号：CN103229291A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201080070396.7

申请日：2010-11-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堤聪明 ,  船户是宏 ,  奥平智仁 ,  山形整人 ,  内田明久 ,  铃木智久 ,  钟江义晴 ,  寺崎健

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H03B5/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5228 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H03L7/24 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 将具有利用了基准电阻的振荡电路的半导体芯片(CP1)树脂封固而形成半导体器件。振荡电路利用基准电阻生成基准电流，根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压，振荡部以与所生成的电压相应的频率进行振荡。在由半导体芯片(CP1)的主面的第1边(S1、S2、S3、S4)、连接第1边的一端与半导体芯片的主面的中心(CT1)而成的第1线(42、43、44、45)、连接第1边的另一端与半导体芯片的主面的中心而成的第2线(42、43、44、45)所包围的第1区域(RG1、RG2、RG3、RG4)内，通过在垂直于第1边的第1方向(Y)上延伸的多个电阻体形成基准电阻。

公开(公告)号：CN103229291B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080070396.7

申请日：2010-11-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堤聪明 ,  船户是宏 ,  奥平智仁 ,  山形整人 ,  内田明久 ,  铃木智久 ,  钟江义晴 ,  寺崎健

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H03B5/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5228 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H03L7/24 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 将具有利用了基准电阻的振荡电路的半导体芯片(CP1)树脂封固而形成半导体器件。振荡电路利用基准电阻生成基准电流，根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压，振荡部以与所生成的电压相应的频率进行振荡。在由半导体芯片(CP1)的主面的第1边(S1、S2、S3、S4)、连接第1边的一端与半导体芯片的主面的中心(CT1)而成的第1线(42、43、44、45)、连接第1边的另一端与半导体芯片的主面的中心而成的第2线(42、43、44、45)所包围的第1区域(RG1、RG2、RG3、RG4)内，通过在垂直于第1边的第1方向(Y)上延伸的多个电阻体形成基准电阻。

公开(公告)号：CN102420225A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110242752.5

申请日：2011-08-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 关根康 ,  山形整人

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种具有电阻值的温度依赖性小的电阻元件的半导体器件。半导体器件具有金属电阻元件层。金属电阻元件层包括电阻膜层。另一金属电阻元件层包括另一金属电阻膜层。金属电阻膜层为氮化钛电阻与氮化钽电阻中的一个。另一金属电阻膜层为氮化钛电阻与氮化钽电阻中的另一个。氮化钛电阻的电阻值具有正温度系数。而氮化钽电阻的电阻值具有负温度系数。接触插塞将金属电阻膜层与另一金属电阻膜层电耦合。因此，氮化钛电阻的温度系数与氮化钽电阻的温度系数可以彼此抵消。这可以减小温度系数。

公开(公告)号：CN105185781A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510660740.2

申请日：2010-11-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堤聪明 ,  船户是宏 ,  奥平智仁 ,  山形整人 ,  内田明久 ,  铃木智久 ,  钟江义晴 ,  寺崎健

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H03B5/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5228 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H03L7/24 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 将具有利用了基准电阻的振荡电路的半导体芯片(CP1)树脂封固而形成半导体器件。振荡电路利用基准电阻生成基准电流，根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压，振荡部以与所生成的电压相应的频率进行振荡。在由半导体芯片(CP1)的主面的第1边(S1、S2、S3、S4)、连接第1边的一端与半导体芯片的主面的中心(CT1)而成的第1线(42、43、44、45)、连接第1边的另一端与半导体芯片的主面的中心而成的第2线(42、43、44、45)所包围的第1区域(RG1、RG2、RG3、RG4)内，通过在垂直于第1边的第1方向(Y)上延伸的多个电阻体形成基准电阻。