公开(公告)号：CN104282760A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410330666.3

申请日：2014-07-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚信行 ,  金子贵昭 ,  竹内洁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/04

Abstract: 公开了一种半导体器件，其中氧化物半导体膜的质量得到稳定，同时氧化物半导体具有高迁移率的属性得到利用。该半导体器件包括氧化物半导体层和电极。电极耦接到氧化物半导体层的一个表面。氧化物半导体层的从所述一个表面跨越到深度t处的部分成为有序层。有序层是包括多个有序区域的区域，在每个有序区域中原子的排列符合特定规则。在与所述一个表面垂直的方向上的截面中所述有序区域的最大宽度为2nm或更小。

公开(公告)号：CN103199103B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201310008686.4

申请日：2013-01-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚信行 ,  鬼泽岳 ,  西藤哲史

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/324 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。第一氮化物半导体层包含Ga。第一氮化物半导体层例如为GaN层、AlGaN层或AlInGaN层。然后，氧化铝层在相对于第一氮化物半导体层的界面区域中具有四配位Al原子和六配位Al原子，该四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，该六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围。界面区域是离相对于第一氮化物半导体层的界面例如小于等于1.5nm的区域。然后，在该界面区域中，四配位Al原子基于Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。

公开(公告)号：CN102148237A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110036294.X

申请日：2011-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚信行 ,  成广充

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明提供一种晶相稳定结构。可以通过形成其中仅第一界面层中的一小部分Ni原子由Pt原子置换的结构，从而降低界面能量同时将NiSi和NiSi/Si界面的特性的变化抑制到最小程度来实现上述的界面结构稳定。因此，能够通过NiSi的晶相的稳定有助于元件的成品率的提高或者可靠性的提高。例如，NiSi形成在晶体管中的源漏的表面层上。

公开(公告)号：CN103199103A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310008686.4

申请日：2013-01-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚信行 ,  鬼泽岳 ,  西藤哲史

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/324 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。第一氮化物半导体层包含Ga。第一氮化物半导体层例如为GaN层、AlGaN层或AlInGaN层。然后，氧化铝层在相对于第一氮化物半导体层的界面区域中具有四配位Al原子和六配位Al原子，该四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，该六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围。界面区域是离相对于第一氮化物半导体层的界面例如小于等于1.5nm的区域。然后，在该界面区域中，四配位Al原子基于Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。