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1.

发明公开
晶相稳定结构无效

公开(公告)号：CN102148237A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110036294.X

申请日：2011-02-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚信行 , 成广充

IPC: H01L29/45 , H01L29/78

CPC classification number: H01L29/456 , H01L21/28518 , H01L29/665 , Y10T428/24942

Abstract: 本发明提供一种晶相稳定结构。可以通过形成其中仅第一界面层中的一小部分Ni原子由Pt原子置换的结构，从而降低界面能量同时将NiSi和NiSi/Si界面的特性的变化抑制到最小程度来实现上述的界面结构稳定。因此，能够通过NiSi的晶相的稳定有助于元件的成品率的提高或者可靠性的提高。例如，NiSi形成在晶体管中的源漏的表面层上。

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