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公开(公告)号：CN104797423B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201380062060.X
申请日：2013-11-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/18 , B32B5/14 , B32B7/06 , C09J7/00 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/52 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: B32B27/18 , B32B7/12 , B32B27/06 , B32B27/16 , B32B2457/14 , C08K5/54 , C09J7/20 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: [课题]其目的在于，提高作为粘接膜、保护膜的前体而发挥功能的树脂膜形成层或其固化后的树脂膜与作为被粘物的半导体芯片、半导体晶片的粘接性。[解决方案]本发明所述的带固化性树脂膜形成层的片材的特征在于，其具有支撑片材、以及以可剥离的方式形成在该支撑片材上的固化性树脂膜形成层，该固化性树脂膜形成层包含固化性粘结剂成分和硅烷偶联剂（C），且在固化性树脂膜形成层的固化后的树脂膜中，树脂膜的至少1个表面的源自硅烷偶联剂（C）的表面硅元素浓度（X）为在深度方向上距离该表面40~60nm、60~80nm、80~100nm的各深度范围处至少各1点、合计3点以上测定的源自硅烷偶联剂（C）的内部硅元素浓度的平均值（Y）的3.4倍以上。
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公开(公告)号：CN102618178A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210022735.5
申请日：2012-01-20
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: H01L24/27 , C08L33/066 , C08L63/00 , C09J133/08 , C09J163/00 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0715 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , Y10T428/249982 , Y10T428/287 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/04642 , H01L2924/0503 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明提供一种在一定期间的保管后，经过严格的热湿条件及回焊步骤，封装可靠性及粘接性也优良的半导体用粘接剂组合物等。本发明的半导体用粘接剂组合物的特征在于，包含丙烯酸酯聚合物(A)；环氧系热固化树脂(B)；热固化剂(C)；具有有机官能团、分子量300以上、烷氧基当量大于13mmol/g的硅烷化合物(D)；以及具有有机官能团、分子量300以下、烷氧基当量13mmol/g以下的硅烷化合物(E)。
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公开(公告)号：CN108155142B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810059237.5
申请日：2012-09-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L23/544 , C09J7/40
Abstract: 本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下(a)～(c)的特性：(a)熔点超过130℃，或者不具有熔点、(b)以130℃加热2小时时的热收缩率为‑5～+5％、(c)MD方向及CD方向的断裂伸长率为100％以上，25％应力为100MPa以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104797423A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380062060.X
申请日：2013-11-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/18 , B32B5/14 , B32B7/06 , C09J7/00 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/52 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: B32B27/18 , B32B7/12 , B32B27/06 , B32B27/16 , B32B2457/14 , C08K5/54 , C09J7/20 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 其目的在于，提高作为粘接膜、保护膜的前体而发挥功能的树脂膜形成层或其固化后的树脂膜与作为被粘物的半导体芯片、半导体晶片的粘接性。本发明所述的带固化性树脂膜形成层的片材的特征在于，其具有支撑片材、以及以可剥离的方式形成在该支撑片材上的固化性树脂膜形成层，该固化性树脂膜形成层包含固化性粘结剂成分和硅烷偶联剂（C），且在固化性树脂膜形成层的固化后的树脂膜中，树脂膜的至少1个表面的源自硅烷偶联剂（C）的表面硅元素浓度（X）为在深度方向上距离该表面40~60nm、60~80nm、80~100nm的各深度范围处至少各1点、合计3点以上测定的源自硅烷偶联剂（C）的内部硅元素浓度的平均值（Y）的3.4倍以上。
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公开(公告)号：CN102618178B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210022735.5
申请日：2012-01-20
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: H01L24/27 , C08L33/066 , C08L63/00 , C09J133/08 , C09J163/00 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0715 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , Y10T428/249982 , Y10T428/287 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/04642 , H01L2924/0503 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明提供一种在一定期间的保管后，经过严格的热湿条件及回焊步骤，封装可靠性及粘接性也优良的半导体用粘接剂组合物等。本发明的半导体用粘接剂组合物的特征在于，包含丙烯酸酯聚合物(A)；环氧系热固化树脂(B)；热固化剂(C)；具有有机官能团、分子量300以上、烷氧基当量大于13mmol/g的硅烷化合物(D)；以及具有有机官能团、分子量300以下、烷氧基当量13mmol/g以下的硅烷化合物(E)。
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公开(公告)号：CN103797567A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044503.8
申请日：2012-09-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/40 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , Y10T428/24843 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下（a）～（c）的特性：（a）熔点超过130℃，或者不具有熔点、（b）以130℃加热2小时时的热收缩率为-5～+5%、（c）MD方向及CD方向的断裂伸长率为100%以上，25%应力为100MPa以下。
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公开(公告)号：CN108155142A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810059237.5
申请日：2012-09-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L23/544 , C09J7/40
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/40 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , Y10T428/24843 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下(a)～(c)的特性：(a)熔点超过130℃，或者不具有熔点、(b)以130℃加热2小时时的热收缩率为-5～+5％、(c)MD方向及CD方向的断裂伸长率为100％以上，25％应力为100MPa以下。
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公开(公告)号：CN103797567B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201280044503.8
申请日：2012-09-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/544 , C09J7/40 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/40 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , Y10T428/24843 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下（a）～（c）的特性：（a）熔点超过130℃，或者不具有熔点、（b）以130℃加热2小时时的热收缩率为‑5～+5%、（c）MD方向及CD方向的断裂伸长率为100%以上，25%应力为100MPa以下。
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