双面冷却型半导体器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115985864A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211111263.0

    申请日:2022-09-13

    Inventor: 金永锡 洪坰国

    Abstract: 本公开提供一种双面冷却型半导体器件,该双面冷却型半导体器件包括:第一电路基板和第二电路基板;半导体元件,接合到第一电路基板的控制电极;第一间隔件,设置在第一电路基板与半导体元件之间,接合到第一电路基板并接合到半导体元件;以及第二间隔件,设置在第二电路基板与半导体元件之间,接合到第二电路基板并接合到半导体元件。

    电力模块和适用于电力模块的基板结构

    公开(公告)号:CN112951812A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202010730802.3

    申请日:2020-07-27

    Inventor: 洪坰国 金永锡

    Abstract: 本公开的实施例提供一种适用于电力模块的基板结构。适用于电力模块的基板结构包括上基板和下基板,其中下基板包括:器件区域,多个半导体器件设置在器件区域上;源信号电极,将源信号传输到半导体器件;以及栅信号电极,将栅信号传输到半导体器件,源信号电极和栅信号电极中的一个通过导电柱连接到上基板,并且通过源信号电极和栅信号电极中的一个传输的信号通过上基板传输到半导体器件。

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