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公开(公告)号：CN1659101A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03812673.7
申请日：2003-05-13
Applicant: 独立行政法人农业·生物系特定产业技术研究机构 , 日本电气株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B2202/22 , C01P2004/13 , C01P2004/64 , C09C1/48 , C09C1/56 , C09C1/565 , Y10S977/734 , Y10S977/742 , Y10S977/745 , Y10S977/748 , Y10S977/753 , Y10T428/29 , Y10T428/2913 , Y10T428/292 , Y10T428/2933 , Y10T428/2973 , Y10T428/2975 , Y10T428/298
Abstract: 通过利用各种不同性质的聚合物包覆碳纳米管表面，使碳纳米管表面具有绝缘性、反应性、光学可视性、溶剂分散性等性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100456321C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480037973.7
申请日：2004-12-17
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G06K19/073 , G06K19/077 , G06F12/14 , H01H43/32 , H01H43/02
CPC classification number: G06K19/0723 , G06K19/073 , G06K19/07345 , G06K19/07749 , G06K19/07779 , G06K19/07783 , G08B13/2417 , Y10T307/951
Abstract: 本发明涉及一种具有无效(nullification)单元的ID标签。当在电极(302)之间施加预定电压时，金属离子淀积在固态电解质(308)中，由此在其中形成导电沟道(310)。固态电解质开关(300)因此被导通。因为该淀积机理是可逆的，在已经导通的固态电解质开关300的电极之间施加反向电压可以使已淀积的金属原子迁移进入固态电解质中，由此导电沟道300减薄，从而沟道最终消失，固态电解质开关300转变为非导电状态。该开关的使用成功地实现了可以被自动地无效而无需人为无效的IC标签。
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公开(公告)号：CN1547777A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816663.9
申请日：2002-06-25
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 二瓶史行
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0541
Abstract: 一种场效应晶体管，它包括排列在衬底上的沟道、连接到沟道起始端的源电极、连接到沟道终止端的漏电极、排列在沟道顶部或侧面上的绝缘体、以及经由绝缘体而排列在沟道顶部或侧面上的栅电极，其中，沟道由多个碳纳米管组成。
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公开(公告)号：CN1332450C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN02816663.9
申请日：2002-06-25
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 二瓶史行
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0541
Abstract: 一种场效应晶体管，它包括排列在衬底上的沟道、连接到沟道起始端的源电极、连接到沟道终止端的漏电极、排列在沟道顶部或侧面上的绝缘体、以及经由绝缘体而排列在沟道顶部或侧面上的栅电极，其中，沟道由多个碳纳米管组成。
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公开(公告)号：CN1894707A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037973.7
申请日：2004-12-17
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G06K19/073 , G06K19/077 , G06F12/14 , H01H43/32 , H01H43/02
CPC classification number: G06K19/0723 , G06K19/073 , G06K19/07345 , G06K19/07749 , G06K19/07779 , G06K19/07783 , G08B13/2417 , Y10T307/951
Abstract: 本发明涉及一种具有无效(nullification)单元的ID标签。当在电极(302)之间施加预定电压时，金属离子淀积在固态电解质(308)中，由此在其中形成导电沟道(310)。固态电解质开关(300)因此被导通。因为该淀积机理是可逆的，在已经导通的固态电解质开关300的电极之间施加反向电压可以使已淀积的金属原子迁移进入固态电解质中，由此导电沟道300减薄，从而沟道最终消失，固态电解质开关300转变为非导电状态。该开关的使用成功地实现了可以被自动地无效而无需人为无效的IC标签。
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公开(公告)号：CN1720606A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380104626.7
申请日：2003-12-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/76838 , B82Y10/00 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/53276 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 按比例缩小设计已经提出的问题在于，互连结构的电阻值增大和对电迁移和应力迁移的抵抗力减小。本发明提供一种高可靠性半导体器件的互连结构和制造该互连结构的方法，该半导体器件即使在按比例缩小设计的情况下仍具有低电阻值并且不产生电迁移或应力迁移。提供一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法，该半导体器件在形成于其上形成半导体器件元件的衬底上的绝缘膜上的互连沟槽或通孔中具有由金属和碳纳米管的混合物构成的互连或连接栓。
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