芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116655997B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202310668288.9

    申请日:2023-06-07

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明提供一种芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合材料的制备方法和应用。该制备方法包括:将芳纶纳米纤维与羰基铁粉按照质量比1:3‑7分散于乙醇溶液中,进行超声液相剥离0.5‑2h,真空抽滤后,得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶;将所述芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶在真空条件下进行冷冻干燥,得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶。由该方法制备得到的芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶,在厚度仅为1.6mm时,对电磁波的有效吸收达到11.2GHz,在厚度为2.4mm时有最大反射损耗为‑42.6dB。由此说明其具有很好的电磁吸收性能,应用前景广阔。

    一种基于二维钒原子掺杂硫化钨材料的场效应晶体管的生物传感器

    公开(公告)号:CN118090864A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410025615.3

    申请日:2024-01-08

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于二维钒原子掺杂硫化钨材料的场效应晶体管的生物传感器,该场效应晶体管为底栅极结构场效应晶体管,包括SiO2/Si基底、设置于SiO2/Si基底上的钒原子掺杂硫化钨层和设置于钒原子掺杂硫化钨层上的源极和漏极;钒原子掺杂硫化钨层作为场效应晶体管的导电沟道;SiO2/Si基底中,SiO2作为绝缘层,Si同时作为衬底和栅极;其制备方法包括以下步骤:利用化学气相沉积法在SiO2/Si基底上制备钒原子掺杂硫化钨层;旋涂光刻胶,曝光显影后沉积金属形成源极和漏极;去除光刻胶和多余的金属;旋涂光刻胶,曝光显影后暴露出源极、漏极和栅极中的对电极接线区域以及单层钒原子掺杂硫化钨层形成导电沟道。

    一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法

    公开(公告)号:CN115161772A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210495206.0

    申请日:2022-05-07

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法,属于无机纳米半导体材料领域,将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区;将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游;通入惰性保护气体,将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发,在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上,形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜,反应所用的原料来源广泛、成本低廉,且操作安全、简单。

    一种层状金属磷化物GePx单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN112064114A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010969119.5

    申请日:2020-09-15

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明提供了一种层状金属磷化物GePx(x=1,3,5)单晶的制备方法,仅以红磷和锗粉为原料,无需任何其他添加剂或助熔剂,利用高温高压定向生长技术,通过调控压力与温度等关键条件来控制Ge与P之间的化合成键方式,从而制备出三种不同结构的层状金属磷化物GeP、GeP3、GeP5。该制备方法不仅简单、快速,而且合成的单晶样品纯度高、质量好、尺寸大,这为进一步深入研究GePx的晶体结构、物理化学性质打下了很好的基础。同时也为类黑磷新型磷基二维材料的开发开辟了新的途径,对二维材料的研究具有重要意义。

    基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器及制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119198871A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411300151.9

    申请日:2024-09-18

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本申请涉及生物传感技术领域,特别涉及一种基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器及制备方法与应用,该制备方法包括以下步骤:首先,制备Bi2O2Se材料,并将制备的Bi2O2Se材料转移到基底上;然后,在转移后的Bi2O2Se材料上刻蚀形成电极图形,并沉积电极材料以形成电极;采用光刻胶进行二次套刻保护电极,制得生物传感芯片;采用导电胶和金线连接电路板和电极,利用电学平台测试场效应晶体管的电学性能;最后,对制得的生物传感芯片进行功能化处理,并将功能化处理后的生物传感芯片连接至测试平台,进行生物分子检测。本申请提供的基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法,采用Bi2O2Se作为沟道材料制备场效应晶体管生物传感器,实现了对抗原的高灵敏检测。

    一种黑磷薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116856029A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310900925.0

    申请日:2023-07-21

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种黑磷薄膜及其制备方法和应用,属于半导体生长制备技术领域。本发明黑磷薄膜的制备方法,包括:(1)制备黑磷/丙酮混合液,在冰浴条件下超声粉碎,获得黑磷纳米片/丙酮分散液;(2)进行离心,获得黑磷纳米片/丙酮分散液;(3)将导电基底作为正极,导电金属板作为负极,插入上述步骤(2)获得的黑磷纳米片/丙酮分散液中,施加直流沉积电压,在导电基底上沉积获得黑磷薄膜。本发明黑磷薄膜的简易制备技术,为其在场效应晶体管、光电探测技术、生物医学等领域的应用提供了技术支撑。

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