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公开(公告)号：CN116655997B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202310668288.9
申请日：2023-06-07
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合材料的制备方法和应用。该制备方法包括：将芳纶纳米纤维与羰基铁粉按照质量比1：3‑7分散于乙醇溶液中，进行超声液相剥离0.5‑2h，真空抽滤后，得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶；将所述芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合水凝胶在真空条件下进行冷冻干燥，得到芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶。由该方法制备得到的芳纶纳米纤维与羰基铁粉复合气凝胶，在厚度仅为1.6mm时，对电磁波的有效吸收达到11.2GHz，在厚度为2.4mm时有最大反射损耗为‑42.6dB。由此说明其具有很好的电磁吸收性能，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN118294667A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410265310.X
申请日：2024-03-08
IPC: G01N33/68 , G01N33/543 , G01N21/552
Abstract: 本申请涉及二维材料生物检测技术领域，更具体地说，它涉及一种糖尿病肾病标志物的生物传感器的制备方法及其4应用。利用二维硫化钨晶体作为电敏感层材料，该材料在外加电场的作用下会发生更敏感的变化从而实现SPR信号的调节。制备高质量单原子层硫化钨晶体的方法，并且成功设计了采用单层硫化钨晶体作为电敏感层成功设计了SPR生物传感器，对MCP‑1蛋白达到了较低的检测极限，并实现了临床样本的超高灵敏度检测。
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公开(公告)号：CN118090864A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410025615.3
申请日：2024-01-08
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于二维钒原子掺杂硫化钨材料的场效应晶体管的生物传感器，该场效应晶体管为底栅极结构场效应晶体管，包括SiO2/Si基底、设置于SiO2/Si基底上的钒原子掺杂硫化钨层和设置于钒原子掺杂硫化钨层上的源极和漏极；钒原子掺杂硫化钨层作为场效应晶体管的导电沟道；SiO2/Si基底中，SiO2作为绝缘层，Si同时作为衬底和栅极；其制备方法包括以下步骤：利用化学气相沉积法在SiO2/Si基底上制备钒原子掺杂硫化钨层；旋涂光刻胶，曝光显影后沉积金属形成源极和漏极；去除光刻胶和多余的金属；旋涂光刻胶，曝光显影后暴露出源极、漏极和栅极中的对电极接线区域以及单层钒原子掺杂硫化钨层形成导电沟道。
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公开(公告)号：CN113999524B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111270175.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种柔性芳纶纳米纤维和银纳米线复合电磁屏蔽薄膜材料、制备方法及其用途。制备方法包括：将氢氧化钾溶于水中，然后加入二甲基亚砜和凯夫拉纤维，将凯夫拉纤维去质子化后得到芳纶纳米纤维分散体系；利用微波辅助法制备银纳米线；对芳纶纳米纤维分散体系进行真空抽滤，抽滤过程中，加入银纳米线，得到复合薄膜。本发明制备的复合电磁屏蔽薄膜材料，加入银纳米线后，电磁屏蔽性能显著提高，对频率8～12.4GHz的电磁波总屏蔽效能可达60～66dB，足以抵挡99.9999％的电磁波辐射，可作为优异的电磁干扰屏蔽材料，并且其制备周期短，操作简单，安全可控。
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公开(公告)号：CN113068390B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110348967.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种二维磁性Fe3GeTe2纳米片与石墨烯纳米片复合材料及其制备方法和应用。该制备方法包括：将Fe3GeTe2粉体与丙酮混合，在冰浴环境下超声液相剥离8～20小时，真空抽滤、洗涤后，得到Fe3GeTe2纳米片；将Fe3GeTe2纳米片与石墨、1‑甲基‑2‑吡咯烷酮混合，在冰浴环境下超声液相解离1～5小时，得到二维磁性Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料。由该方法制备得到的Fe3GeTe2纳米片和石墨烯纳米片复合材料，在厚度仅为1.45mm时，对频率为9.9GHz的微波的最大反射损耗为44.43dB。由此说明其具有很好的微波吸收性能，应用前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119198871A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411300151.9
申请日：2024-09-18
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/414 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 本申请涉及生物传感技术领域，特别涉及一种基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器及制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：首先，制备Bi2O2Se材料，并将制备的Bi2O2Se材料转移到基底上；然后，在转移后的Bi2O2Se材料上刻蚀形成电极图形，并沉积电极材料以形成电极；采用光刻胶进行二次套刻保护电极，制得生物传感芯片；采用导电胶和金线连接电路板和电极，利用电学平台测试场效应晶体管的电学性能；最后，对制得的生物传感芯片进行功能化处理，并将功能化处理后的生物传感芯片连接至测试平台，进行生物分子检测。本申请提供的基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，采用Bi2O2Se作为沟道材料制备场效应晶体管生物传感器，实现了对抗原的高灵敏检测。
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公开(公告)号：CN116856029A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310900925.0
申请日：2023-07-21
Applicant: 燕山大学
IPC: C25D9/08
Abstract: 一种黑磷薄膜及其制备方法和应用，属于半导体生长制备技术领域。本发明黑磷薄膜的制备方法，包括：(1)制备黑磷/丙酮混合液，在冰浴条件下超声粉碎，获得黑磷纳米片/丙酮分散液；(2)进行离心，获得黑磷纳米片/丙酮分散液；(3)将导电基底作为正极，导电金属板作为负极，插入上述步骤(2)获得的黑磷纳米片/丙酮分散液中，施加直流沉积电压，在导电基底上沉积获得黑磷薄膜。本发明黑磷薄膜的简易制备技术，为其在场效应晶体管、光电探测技术、生物医学等领域的应用提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN112174211B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202011168522.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明涉及一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Cr同时进行硫化，共同参与成键，使Cr取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Cr掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低廉，制备得到的Cr掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN112964676A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202011527996.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种表面等离激元共振传感器芯片及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种基于多晶二硫化钨二维材料的表面等离激元共振传感器及其制备方法和应用，利用多晶二硫化钨二维材料晶界处的硫原子与汞离子较强的相互作用，应用表面等离激元共振技术，可以检测不同浓度的汞离子，通过SPR光谱曲线共振角的线性变化，实现对汞离子的超灵敏度检测。本发明通过使用多晶二硫化钨材料，增大汞离子的灵敏度和降低检测极限。
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公开(公告)号：CN118688161A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410923184.2
申请日：2024-07-10
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本申请涉及二维材料生物传感技术领域，更具体地说，它涉及一种对单氨基酸识别‑降解‑再识别实时动态监测的生物传感器及其制备方法。生物传感器通过在GeP5表面修饰金纳米粒子制备得到。GeP5纳米片表面能够原位生长出金纳米粒子，并能够固定更多的肽链在金纳米粒子上，为后续的的识别‑降解‑再识别提供足够的探针肽链。本发明的目的通过在GeP5表面修饰金纳米粒子制备的生物传感芯片，实现肽链中末端氨基酸顺序的识别‑降解‑再识别的动态监测。要解决的技术问题包括用识别蛋白特异性的识别肽链末端氨基酸基团，然后用外切酶顺序的降解肽链末端氨基酸基团，并用新的识别蛋白重新识别，达到类似于氨基酸测序的实验验证。
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