公开(公告)号：CN112064114A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010969119.5

申请日：2020-09-15

Applicant: 燕山大学

Inventor： 柳忠元 ,  常玉凯 ,  丁浩 ,  周厚健 ,  温福昇 ,  牟从普 ,  聂安民 ,  向建勇 ,  薛天宇 ,  翟昆 ,  王博翀

IPC: C30B29/10 ,  C30B1/12

Abstract: 本发明提供了一种层状金属磷化物GePx(x＝1,3,5)单晶的制备方法，仅以红磷和锗粉为原料，无需任何其他添加剂或助熔剂，利用高温高压定向生长技术，通过调控压力与温度等关键条件来控制Ge与P之间的化合成键方式，从而制备出三种不同结构的层状金属磷化物GeP、GeP3、GeP5。该制备方法不仅简单、快速，而且合成的单晶样品纯度高、质量好、尺寸大，这为进一步深入研究GePx的晶体结构、物理化学性质打下了很好的基础。同时也为类黑磷新型磷基二维材料的开发开辟了新的途径，对二维材料的研究具有重要意义。