公开(公告)号：CN117393623A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311328074.3

申请日：2023-10-13

Applicant: 燕山大学

Inventor： 牟从普 ,  向建勇 ,  韩宇 ,  温福昇 ,  聂安民 ,  王博翀 ,  翟昆 ,  薛天宇 ,  柳忠元

IPC: H01L31/032 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  C25D13/20 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236

Abstract: 本发明提供一种异质结密度可控的MoSe2/SnSe异质薄膜、太阳能电池薄膜材料及其制备方法，本发明的制备方法包括以下步骤：以MoSe2、SnSe粉末为原料通过研磨和液相剥离分别获得丙酮/乙醇(体积比为1:(0.1‑5))为溶剂的纳米片有机悬浮液。利用电泳沉积技术在ITO/PET基底上沉积MoSe2/SnSe异质结薄膜。通过调节ITO基底的裂纹密度来控制MoSe2/SnSe薄膜中异质结的密度。并将MoSe2/SnSe异质结薄膜用于太阳能电池。本发明所述制备方法具有操作简单、制备流程简易、沉积速率快且成本低等优点，利用本发明的制备方法制备的异质结密度可控的MoSe2/SnSe薄膜在太阳能电池、光电化学等方面具有非常大的潜在应用价值。