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公开(公告)号：CN119269594A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411389035.9
申请日：2024-10-08
Applicant: 湖南大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 本发明公开了一种高效二氧化碳电还原测试装置和方法；主要涉及电化学技术领域。本发明的装置包括阴极室、阳极室、封盖和工作电极，所述阴极室通过封盖固定并安装于阳极室内；所述工作电极(测试电极或自支撑电极)为中空的导电材料用于输送二氧化碳气体并同时连接导线。本发明的二氧化碳电还原测试装置和方法，通过降低反应系统的欧姆降，提高了二氧化碳电还原的速率；通过增大二氧化碳气体与催化剂的接触程度，提高了二氧化碳电还原产物的选择性；且结构简单，操作简易，非常适用二氧化碳电还原测试。
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公开(公告)号：CN119002190A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411272089.7
申请日：2024-09-11
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种多电子束光刻装备图像发生系统及其制造方法。其中电子束光刻装备图像发生系统为核心部件，其能够将入射在孔中电子束进行偏转，将聚焦后的电子束流偏转到不同位置，达到在一个写场内不同点曝光的目的；通过控制芯片，利用传输线，将不同的电压加至图像发生系统顶端金属电极上；顶端电极与侧壁电极连通，通过调整加在顶端电极的电压调节侧壁电极电压以控制电场强度，实现对入射电子束的偏转和投影等功能，最终能将束斑投影至写场中的任一位置。
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公开(公告)号：CN118579718A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410665884.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种应用于多电子束光刻装备的电子光学系统及制造方法，包括高压ASIC控制芯片、专用MEMS微孔阵列单元及传输线三个部分。其中专用MEMS微孔阵列单元作为核心部件，能够将入射在表面的电子束进行分束，大幅面扩展束流数量；高压ASIC控制芯片，利用传输线，将不同的电压加至专用MEMS微孔阵列旁边的金属膜层上；通过调整正/背面各金属/绝缘层之间的电压差，实现对入射电子束的聚焦、收束、偏转和投影等功能，最终能将束斑尺寸缩放至亚10纳米尺度，并能通过控制膜层数量灵活调整焦深，有利于电子光学系统的小型化。
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公开(公告)号：CN118324089A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410277979.0
申请日：2024-03-12
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: B81C1/00 , H01L21/02 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种功能性纳米薄膜全干法转移方法，所述干法转移方法中的关键在于采用自组装单分子层，分别修饰施主、受主衬底表面，将其与功能性纳米薄膜之间的粘附力大小进行精确调控，从而可实现晶圆级尺寸、极端厚度纳米薄膜材料与同质/异质衬底之间的“超洁净”、共性形和高质量集成。本发明避免了功能性纳米薄膜材料在传统转移方法中多步湿法工艺的介入，能有效抑制纳米薄膜在刻蚀和冲洗等溶液过程中的质量衰退问题，可提升3D异质/异构器件的界面质量和性能。
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公开(公告)号：CN119601530A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411052150.7
申请日：2024-08-01
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: H01L21/768 , C23C14/34 , C23C14/16 , C23C14/04 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法，属于微纳制造技术领域，金属层的沉积过程中，采用掠角离子束溅射（IBS）物理气相沉积方式（PVD），可实现钼（Mo）、钌（Ru）等金属薄膜在数十纳米特征尺寸（CD）及大高宽比（AR）沟槽结构内的高质量共形填充，即具备优良的填孔能力，能够实现100%的侧壁覆盖率，并避免悬凸（Overhang）和空洞（Void）等不良模式的出现。本发明将离子束溅射技术引入集成电路制造工艺中，为集成电路栅极金属材料、中道及后道互连垫衬层/阻挡层/种子层/导电金属材料、以及3D‑DRAM电容电极材料的沉积和填充提供新的工艺解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118567195A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410710354.9
申请日：2024-06-03
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，属于微纳制造技术领域，通过将光刻胶薄膜置于悬空状态执行曝光过程，消除衬底对于光刻分辨率，然后通过透明载体将曝光后的光刻胶剥离并完成显影，之后将显影后的光刻胶图案转移释放至目标衬底。所述提升集成精度的方法在于光刻胶薄膜显影后的图案中同时包含套刻标记，在释放过程中将其与目标衬底上的标记进行对准，可显著提升异质集成精度。本发明将光刻技术的分辨率推进极限，甚至能够进一步拓展电子束与光学混合匹配光刻技术的应用场景，为跨尺度微纳结构、3D异质/异构系统、以及多功能光电子器件的制备和集成提供新的解决方案。
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公开(公告)号：CN118151504A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410277927.3
申请日：2024-03-12
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: G03F9/00 , G03F1/80 , G03F1/38 , H01L21/68 , H01L21/50 , H01L23/544 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种应用于3D IC的正/背面套刻集成方法，包括步骤：外延衬底准备(top‑Si/SiGe‑牺牲层on Si基底)；正面“贯穿式形态”套刻标记制备；芯片正面器件/结构制备：在硅衬底所外延的top‑Si层顶部，以“贯穿式形态”套刻标记为基准，确定光刻和图形化位置，套刻定义正面芯片结构在carrier wafer和硅基底top‑Si层同时沉积键合层材料；硅基底晶圆翻转；carrier wafer和硅基底top‑Si层顶部的键合层材料face to face键合；硅基底背部减薄直至暴漏出从top‑Si层正面贯穿过来的套刻标记；芯片背面结构制备：共享正面贯穿过来的同一组套刻标记，以此作为基准，确定背面光刻和图形化位置，套刻定义背面器件/结构，实现正/背面器件/结构的高精度对准和集成。
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公开(公告)号：CN119967931A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411973464.0
申请日：2024-12-30
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种超表面异质集成硅基EUV探测器设计及其制备方法，该探测器基于超表面光场调控能力及石墨烯/硅异质集成“超浅结”特性，在SOI上光刻刻蚀出硅纳米立柱，采用“全干法转移技术”将单层石墨烯转至硅纳米立柱顶部实现异质集成，获得肖特基势垒结构单元，克服了硅基EUV探测器研制关键挑战(即，如何实现极低透射深度EUV波段的高效探测、并同时完成光场(波前)信息的有效提取)。本发明开发了EUV波前信息和直接“光‑电”探测功能的一体化集成方案，获得逼近理论性能极限的器件原型，为研制新型EUV波前探测系统奠定基础，对发展新型EUV探测系统关键零部件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118629687A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410277929.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种X射线波带片过电镀金属层后道离子束回刻方法，包括如下步骤：S1)氮化硅隔膜窗口制备：S2)光刻：S3)电镀：S4)离子束抛光：本发明的离子束抛光方法具有高精度和均匀性、无接触和热影响、多种材料的选择性、清洁无残留。本发明中应用于X射线波带片过电镀后道回刻的离子束抛光方法，探索出了一种针对菲涅尔波带片这种带有free‑standing隔膜窗口的特制衬底，解决过电镀后道回刻过程中可能出现的由现有技术——CMP方案解决过电镀从而造成的表面缺陷、选择性和尺寸一致性、衬底损害、金属残留物、抛光速率的控制等方面问题。
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公开(公告)号：CN113210737A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110484955.9
申请日：2021-04-30
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种用于碳纤维复合材料的随动可调正反刃铰孔刀具，包括刀柄(1)，正刃铰刀片(2)，刀颈(3)，随动可调刀刃(4)，垫片(5)，防松螺母(6)，安装槽(7)，空腔(8)，防松螺纹柱(9)，通气孔(10)，在接近刀柄(1)下端设置刀颈(3)，刀颈(3)上布置铰刀片(2)，且铰刀片(2)的切削刃设计成正刃的形式；刀颈(3)在尾端部分开有若干安装槽(7)，用以安装随动可调刀刃(4)，随动可调刀刃(4)能够以滑动副的形式在安装槽(7)中进行上下的伸缩运动；本发明还涉及用于碳纤维复合材料的加工方法，本发明可有效抑制碳纤维复合材料在铰孔过程中孔出口处的纤维层撕裂、分层等损伤缺陷。
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