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公开(公告)号：CN114371441B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210052422.8
申请日：2022-01-18
Applicant: 湖南大学
IPC: G01S3/14
Abstract: 本发明公开了一种虚拟阵列波达方向估计方法、装置、产品及存储介质，利用匹配滤波滤除带外噪声，提高M元实阵列接收信号的信噪比；基于滤波后接收信号的一阶统计特性，利用线性预测思想实现N元前向与后向的虚拟位置阵元信号的有效估计；在一阶线性预测虚拟阵元信号的基础上，对其二阶协方差矩阵求拓普利兹平均，根据阵元间相位差与波程差一一对应的关系，进一步拓展虚拟阵列孔径；使用波束扫描方法对空间非相干源信号进行方位估计。本发明无需增加额外的物理阵元即可实现阵列孔径在虚拟意义上的拓展，提高了目标分辨能力；本发明具有很强的干扰抑制能力，能够应用在低信噪比与低快拍数等非理想工作环境，具有很强的实用性和广泛应用的适应性。
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公开(公告)号：CN116699580A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310710935.8
申请日：2023-06-15
Applicant: 湖南大学
IPC: G01S7/539 , G10L25/03 , G10L25/30 , G10L21/0208 , G06F18/10 , G06F18/2131 , G06F18/214 , G06N3/048 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06N3/0985 , G01S15/62
Abstract: 本发明公开了一种目标方位估计方法、系统及存储介质，利用发射声源信号构建对应接收回波的匹配滤波器，并利用匹配滤波器对接收的回波信号进行匹配滤波处理；对匹配滤波处理后的回波信号进行希尔伯特变换，得到协方差矩阵，对协方差矩阵进行降维处理，选取降维处理后的协方差矩阵的上三角元素，并将所述上三角元素展开，分离展开结果的实部和虚部，得到由所述实部和虚部构成的一维组合序列；将所述一维组合序列作为深度神经网络的输入，以目标方位角度为深度神经网络的输出，训练所述深度神经网络，得到估计模型。本发明改善了输入神经网络信号的信噪比。
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公开(公告)号：CN113987769A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111207623.2
申请日：2021-10-18
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种参数差异化变流器并网系统等值建模方法、装置及介质，将参数差异化变流器并网系统表示为由多个同调变流器群并联的系统；利用两机聚合等值模型表征各个同调变流器群；将各个同调变流器群的两机聚合等值模型并联在公共连接点，经由公共连接点接入电网，保留同调变流器群之间的交互作用，参数差异化变流器并网系统的等值模型含有2*M台变流器并入电网；建立多变流器并网系统的状态空间模型方程，代入等值模型的等值变流器数量及等值参数，获得状态空间方程；利用状态空间方程识别聚合模型的交互模态。本发明可以同时保留共模电流和交互电流特性，为大规模变流器并网系统交互作用的有效分析提供简化模型。
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公开(公告)号：CN117908620A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410074755.X
申请日：2024-01-18
Applicant: 湖南大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于功率电源芯片的带隙基准电路，属于集成电路设计领域，包括：自启动模块、一阶曲率补偿模块、零次方温漂模块、一次方温漂模块以及高阶曲率补偿模块。该电路采用高阶温度依赖项产生技术与电流模补偿模式，在保证宽工作温度范围的前提下，不仅能够显著降低传统一阶和低阶曲率补偿产生的较大温度漂移系数，而且具有高电源抑制比能力以满足恶劣工作环境，并且由于无需传统的运算放大器和电压偏置级等模块而具有很低的功耗，从而适合应用于需要集成带隙基准源的功率芯片中。本发明的带隙基准拥有结构简单，生产成本低，面积小的优点，兼具低温漂，低功耗以及高可靠性的突出特点，可以提升功率电源IC的效率与稳定性。
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公开(公告)号：CN111554355B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202010375103.1
申请日：2020-05-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于人工智能领域，公开了一种基于非冯诺依曼架构的分子动力学计算方法。本发明首先选定一个原子作为参考原子，并根据其初始位置构建局部坐标环境；将参考原子截断半径内每个原子的全局坐标转换为局部坐标环境下的局部坐标并求得其输入特征，作为参考原子的所有特征参数；将所有特征参数输入到一个全连接多层感知机神经网络框架，拟合得到参考原子的受力；并行求得所有原子的受力后，根据每个原子的初始位置，速度以及受力，求得所有原子新的位置；重复执行上述步骤，并记录每一次的位置结果，最终整合得到分子动力学计算的结果。本发明在确保高精度计算分子动力学的基础上，对计算效率有极大的提升，具有高精度、高效率的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112286279B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011151945.5
申请日：2020-10-23
Applicant: 湖南大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 本发明公开了应用于极低功耗LDO在负载快速切换时的防振荡电路，涉及集成电路设计领域。本发明包括：误差放大器电路，用于放大基准信号与反馈信号的差值；缓冲电路，用于驱动输出端的功率管；反馈及功率电路，用于反馈输出电压和驱动负载；负载电流追踪电路，用于追踪负载电流；防振荡电路，用于防止当负载快速切换时的振荡现象。本发明技术的优点如下，传统LDO电路为了降低功耗，需要减小各支路电流，这会导致LDO瞬态响应变差，追踪负载电流来改变缓冲电路的偏置电流可改善瞬态响应，然而它面临着容易振荡的风险。本发明的技术额外加入了一个RC延时电路，其时间常数动态可调，可解决LDO缓冲电路电流切换所带来的振荡问题。
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公开(公告)号：CN112148055A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011144593.0
申请日：2020-10-23
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了应用于多电压输出LDO芯片的自适应滤波控制电路，属于集成电路设计领域。本发明包括：误差放大器和缓冲电路，用于生成和放大负反馈信号；电阻反馈网络，用于控制输出电压；控制电路，用于生成控制电压；自适应滤波电路，用于滤除电源电压噪声。控制电路产生的控制信号在用于控制MOS开关时，会经由自适应滤波电路进行滤波，从而防止LDO的PSRR指标受到电源噪声的影响。本发明技术优点如下：第一，本发明的结构既能保留传统电阻反馈网络的优势，又能避免存在的问题；第二，滤波电路需要的大电阻可低成本片内集成，同时是自适应的，这样可以防止出现电阻过大截断电路的可能性。
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公开(公告)号：CN112198925A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011143537.5
申请日：2020-10-23
Applicant: 湖南大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，公开了应用于多电压输出低噪声LDO的电流网络修调电路。本发明包括：误差放大器和缓冲电路，用于生成环路控制电压；多输出电流控制型反馈网络，用于修调反馈电压；控制电流产生电路，用于产生电流阵列；功率电路，用于驱动负载。本发明有以下两种优点。第一，电流网络修调电路位于反馈电压节点与地中间，不干净的电源电压的噪声会被环路带宽抑制，从而不会影响输出的PSRR指标；第二，控制电流电路产生线性电流既简单又便捷，可避免传统反馈修调电阻串因为除法非线性而难以设计的问题。
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公开(公告)号：CN110581694A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910929454.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，公开了应用于高电压隔离驱动芯片的高共态瞬模抗扰度滤波器。由发射端和接收端构成，其中接收端由差分式通道、四级高通RC滤波电路、差分射频放大器电路组成；其中差分式通道设计，可用于增强信号抗干扰性；四级高通RC滤波电路，信号在送入射频放大器之前，会经过四级高通RC滤波电路；差分射频放大器电路，输出单端信号用于接收端的解调电路。本发明解决了射频放大器节点电压过高的问题，实现了载波信号在干扰信号发生的情况下避免衰减过大的技术创新，同时由于四级高通滤波器会滤除因为周期性干扰产生的低频干扰，避免接收端解调电路误判的输出，从而实现很高的共态瞬模抗扰度指标。
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公开(公告)号：CN120072525A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510263789.8
申请日：2025-03-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种耐高温聚酰亚胺电介质薄膜及其制备方法，制备方法如下：首先将二酐和二胺分别溶解于溶剂中得到混合溶液1和2；将混合溶液1和2进一步混合均匀得到混合溶液3；然后，将有机半导体溶解于溶剂3中，搅拌2小时，得到混合溶液4；随后将混合溶液4逐步加入到混合溶液3中，得到混合溶液5，混合溶液5在搅拌30分钟后进行2小时的超声处理；接着得到的混合溶液5均匀滴涂在洁净的玻璃片上；然后对玻璃片上的混合溶液5进行热亚胺化处理；热亚胺化完成后，混合溶液5在玻璃片上成膜，将薄膜在真空烘箱中干燥得到薄膜；本发明开发具有高热稳定性和高能量密度的聚酰亚胺电介质材料，以突破高温环境对薄膜电容器应用的限制。
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