-
公开(公告)号:CN117908620A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202410074755.X
申请日:2024-01-18
Applicant: 湖南大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于功率电源芯片的带隙基准电路,属于集成电路设计领域,包括:自启动模块、一阶曲率补偿模块、零次方温漂模块、一次方温漂模块以及高阶曲率补偿模块。该电路采用高阶温度依赖项产生技术与电流模补偿模式,在保证宽工作温度范围的前提下,不仅能够显著降低传统一阶和低阶曲率补偿产生的较大温度漂移系数,而且具有高电源抑制比能力以满足恶劣工作环境,并且由于无需传统的运算放大器和电压偏置级等模块而具有很低的功耗,从而适合应用于需要集成带隙基准源的功率芯片中。本发明的带隙基准拥有结构简单,生产成本低,面积小的优点,兼具低温漂,低功耗以及高可靠性的突出特点,可以提升功率电源IC的效率与稳定性。
-
公开(公告)号:CN117878832A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202410036992.7
申请日:2024-01-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于功率电源IC的过温保护电路,属于集成电路设计领域,包括:基准电流源模块、PTAT电流源模块、温度判决模块、温度感测模块以及迟滞比较器模块。该电路采用分温段触发模式和迟滞比较技术,在保证宽工作温度范围的同时,不仅能够显著降低传统过温保护在全温段下无差别工作产生的高功耗,而且可以有效避免在过温保护点附近因工艺波动或噪声等引发的误触发故障,并且还能解决因外部扰动导致功率管反复开关的问题,从而适合应用于需要集成过温保护功能的功率芯片中。本发明所述的过温保护电路拥有结构简单,生产成本低,面积小的优点,兼具低功耗与高可靠性的突出特点,可以提升功率电源IC的寿命与稳定性。
-