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公开(公告)号：CN117815769A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311867530.1
申请日：2023-12-29
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本发明涉及半导体设备技术领域，具体而言，涉及一种过滤装置和半导体研磨设备；过滤装置包括箱体、缓冲机构和沉淀机构，箱体设置有箱体入口、箱体出口、缓冲腔和沉淀腔；箱体入口与缓冲腔连通，箱体出口与沉淀腔连通，且缓冲腔和沉淀腔连通；缓冲机构设置于缓冲腔内，缓冲机构用于缓冲从箱体入口进入缓冲腔的混合介质，并引导经过缓冲的混合介质进入沉淀腔；沉淀机构设置于沉淀腔内，沉淀机构用于使进入沉淀腔的混合介质中的颗粒沉淀。该过滤装置能可靠地过滤、去除介质中的颗粒物，以减少颗粒物造成水环真空泵的损坏。
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公开(公告)号：CN117476741A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311132937.X
申请日：2023-09-04
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L21/04
摘要： 本申请提供一种碳化硅半导体外延片及其制造方法、碳化硅半导体器件，包括：衬底和外延层，外延层包括缓冲层和设置在缓冲层上的第一漂移层；第一漂移层包括沿衬底到缓冲层方向叠设的多个半导体叠层，每个半导体叠层均包括一个第一单元和一个叠设在第一单元上的第二单元；第一单元包括一个第一掺杂碳化硅层，第二单元包括沿衬底到缓冲层方向上叠层设置的至少一个第二掺杂碳化硅层，同一半导体叠层中第一掺杂碳化硅层的掺杂浓度大于第二掺杂碳化硅层的掺杂浓度，多个半导体叠层中的至少一个的第二单元包括至少一个高阻层，如此，增强了半导体器件的电流扩展、降低漏电特性，提升了器件的耐压水平。
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公开(公告)号：CN117418305A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311255203.0
申请日：2023-09-26
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本申请公开了一种碳化硅晶体生长设备及生长方法，其中，提供一种碳化硅晶体生长设备，包括坩埚、气体混合装置和气化装置；其中，坩埚具有一腔室，该腔室用于放置原料和安装籽晶；气体混合装置通过第一管路与腔室连通，且第一管路上设有第一气路阀，气化装置通过第二管路与气体混合装置连通，用于放置并加热固态掺杂物；还包括第三管路，一端与气体混合装置连通，另一端用于与运载气体储存罐和/或掺杂气体储存罐连通；即本申请在碳化硅晶体生长过程中，可以通过第一气路阀控制包含掺杂气体和运载气体的混合气体传输至坩埚的腔室的速率，能有效控制掺杂气体的释放速度，提高晶体掺杂均匀性，保证了后续产品的电学性质。
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公开(公告)号：CN117316869A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311047947.3
申请日：2023-08-18
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本申请公开了一种SiC晶体的剥离方法。该方法包括提供SiC晶体，SiC晶体在距SiC晶体的第一端面的第一距离处有一改质层；采用电解的方法使SiC晶体中靠近所述第一端面的第一部分沿改质层从SiC晶体剥离，其中电解的方法采用的是碱性电解液，第一部分为剥离后得到的第一晶片。剥离工艺简单，剥离过程中使用的设备和耗材便宜，成本较低，且可以减少剥离过程中对晶片的损伤，提高了剥离良率。
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公开(公告)号：CN116750764A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310692040.6
申请日：2023-06-12
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及合成SiC粉料的方法，其包括：混合原料粉末，制得原料混合粉料，原料粉末包括第一Si粉和第一C粉；球磨原料混合粉料，制得球磨混合粉料，球磨混合粉料包括第二Si粉和第二C粉，第二Si粉的粒径小于5微米，第二C粉的粒径小于5微米，且第二Si粉和第二C粉在球磨混合粉料中的总占比大于或等于80％；将球磨混合粉料合成SiC粉料。本发明的方法能够减少黑色的SiC粉料的产生，进而有利于减少制得的SiC粉料在SiC长晶过程中产生的多型、空洞等晶体缺陷问题。
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公开(公告)号：CN116572408A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310690104.9
申请日：2023-06-12
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及切割液调整方法，包括用切割液进行碳化硅晶体切割，切割液包括切割油和磨粒；检测切割液的粘度η和切割液中粒径大于目标值的磨粒的分布占比K；基于η和K，确定是否向切割液中添加切割油和/或磨粒；该方法能够降低切割成本，同时保证切割液稳定的切割能力，改善因切割液不稳定而导致切割面型不稳定、切割品质降低的问题。
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公开(公告)号：CN116230533A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310282738.0
申请日：2023-03-21
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/56 , H01L29/778 , H01L23/29
摘要： 本发明公开了一种氮化镓晶体管的制备方法、氮化镓晶体管及芯片，其中，该氮化镓晶体管的制备方法包括：提供半导体基材；在半导体基材上形成多层半导体层；在半导体层上形成复合层；其中，复合层为包含氮化硅的复合结构，且在复合结构中，靠近半导体层的氮化硅的占比小于远离半导体层的氮化硅的占比；在复合层上设置源极、栅极和漏极，源极、栅极和漏极之间彼此间隔设置；源极、栅极和漏极分别贯穿复合层与半导体层接触；本申请的氮化镓晶体管的制备方法，形成包含氮化硅复合结构的复合层，其密闭性更好，能有效避免钝化层对势垒层的腐蚀，且使得钝化层与势垒层之间的界面和表面平整，提高钝化效果，进而提高氮化镓晶态管的性能。
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公开(公告)号：CN115528109A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211263287.8
申请日：2022-10-14
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/41 , H01L21/335
摘要： 本披露公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：依次叠置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；若干层过渡层，其设置在势垒层上，其中，每一过渡层包括设置在势垒层上的第一P型掺杂GaN层和设置在第一P型掺杂GaN层上的第一P型掺杂层；盖帽层，其设置在过渡层上；栅极，其设置在盖帽层上；源极，其设置在势垒层上；漏极，其设置在势垒层上，与源极分别设置在栅极的两侧；其中，第一P型掺杂GaN层的掺杂浓度被配置为随靠近第一P型掺杂层所在一侧向靠近衬底所在一侧降低。本披露公开的技术方案能够改善了非栅区域迁移率下降的问题。
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公开(公告)号：CN115498020A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211327296.9
申请日：2022-10-25
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：包括：衬底；半导体层，其设置在衬底上并包括第一半导体叠层和设置在第一半导体叠层上的第二半导体层，第一半导体叠层和第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气；设置在第二半导体层上且间隔布置的源极、漏极和栅极；金属层，其设置半导体层内并位于衬底与二维电子气之间；电连接结构，其从栅极向半导体层内延伸并与金属层连接；第一阻隔结构，其至少部分地设在金属层与二维电子气之间及电连接结构与二维电子气之间；第二阻隔结构，与第一阻隔结构相连且覆盖在金属层的侧面。该半导体器件能够有效降低HMTE器件高电压下栅极的电场强度，从而提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN112808639B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202011606846.1
申请日：2020-12-30
申请人： 湖南三安半导体有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种清洗装置，涉及晶体清洗技术领域。该清洗装置包括储液箱、清洗箱和清洗毛刷。储液箱用于储存清洗液，清洗箱放置于储液箱内，清洗箱开设有进液孔，进液孔用于供清洗液流入清洗箱，清洗毛刷可活动地安装于清洗箱上，清洗毛刷用于对放入清洗箱内的晶体进行刷洗。与现有技术相比，本发明提供的清洗装置由于采用了开设有进液孔的清洗箱以及可活动地安装于清洗箱上的清洗毛刷，所以能够方便快捷地对晶体进行清洗，清洗效率高，清洗效果好，并且能够提高工作人员的舒适度，避免晶体掉落发生磕碰的风险。
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