发明公开
- 专利标题: 过滤装置和半导体研磨设备
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申请号: CN202311867530.1申请日: 2023-12-29
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公开(公告)号: CN117815769A公开(公告)日: 2024-04-05
- 发明人: 赵作霖 , 张洁 , 李福添 , 彭佳
- 申请人: 湖南三安半导体有限责任公司
- 申请人地址: 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号
- 专利权人: 湖南三安半导体有限责任公司
- 当前专利权人: 湖南三安半导体有限责任公司
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号
- 代理机构: 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司
- 代理商 曹灿
- 主分类号: B01D36/04
- IPC分类号: B01D36/04 ; B02C23/00
摘要:
本发明涉及半导体设备技术领域,具体而言,涉及一种过滤装置和半导体研磨设备;过滤装置包括箱体、缓冲机构和沉淀机构,箱体设置有箱体入口、箱体出口、缓冲腔和沉淀腔;箱体入口与缓冲腔连通,箱体出口与沉淀腔连通,且缓冲腔和沉淀腔连通;缓冲机构设置于缓冲腔内,缓冲机构用于缓冲从箱体入口进入缓冲腔的混合介质,并引导经过缓冲的混合介质进入沉淀腔;沉淀机构设置于沉淀腔内,沉淀机构用于使进入沉淀腔的混合介质中的颗粒沉淀。该过滤装置能可靠地过滤、去除介质中的颗粒物,以减少颗粒物造成水环真空泵的损坏。