公开(公告)号：CN108468027B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201810261996.X

申请日：2018-03-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  吴逸轩 ,  孙汝军 ,  魏要伟 ,  任国铵 ,  张冷 ,  吕循岩 ,  彭孝 ,  王晨 ,  胡岚

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供了一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法。本发明首先将铜锌锡硫硒粉末和含Sb粉末球磨混合，得到原料混合物；然后对原料混合物进行烧结，得到锑掺杂铜锌锡硫硒靶材。本发明提供的制备方法操作简便，易于实施。采用本发明所述制备方法得到的锑掺杂铜锌锡硫硒靶材已经将锑元素和铜锌锡硫硒掺杂混合，直接采用溅射法来溅射得到锑掺杂铜锌锡硫硒吸收层薄膜即可，无需添加蒸发装置，操作简单。此外，所述靶材的晶粒尺寸较大，结晶质量良好，在应用于溅射制备吸收层薄膜时成分重复性好。

公开(公告)号：CN106206743A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510219860.9

申请日：2015-05-04

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  曹明杰 ,  郭力 ,  高泽栋 ,  魏要伟

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括半导体层、源极、漏极、栅极及绝缘层，该源极与漏极间隔设置，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过该绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，该半导体层为一氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，12 -3 20 -3载流子浓度为10 cm ~10 cm ，载流子迁移率为5.0cm2V-1s-1~45.0cm2V-1s-1。本发明还涉及一种薄膜晶体管的制备方法，一薄膜晶体管面板及一显示装置。

公开(公告)号：CN108468027A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810261996.X

申请日：2018-03-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  吴逸轩 ,  孙汝军 ,  魏要伟 ,  任国铵 ,  张冷 ,  吕循岩 ,  彭孝 ,  王晨 ,  胡岚

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供了一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法。本发明首先将铜锌锡硫硒粉末和含Sb粉末球磨混合，得到原料混合物；然后对原料混合物进行烧结，得到锑掺杂铜锌锡硫硒靶材。本发明提供的制备方法操作简便，易于实施。采用本发明所述制备方法得到的锑掺杂铜锌锡硫硒靶材已经将锑元素和铜锌锡硫硒掺杂混合，直接采用溅射法来溅射得到锑掺杂铜锌锡硫硒吸收层薄膜即可，无需添加蒸发装置，操作简单。此外，所述靶材的晶粒尺寸较大，结晶质量良好，在应用于溅射制备吸收层薄膜时成分重复性好。

公开(公告)号：CN104835869A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510241668.X

申请日：2015-05-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵明 ,  庄大明 ,  李晓龙 ,  曹明杰 ,  欧阳良琦 ,  詹世璐 ,  魏要伟

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0322 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池，包括基底、设置在该基底上的背电极层、设置在该背电极层上的光吸收层、设置在该光吸收层上的缓冲层及设置在该缓冲层上的窗口层，其特征在于，该光吸收层包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元素(Ga)及硒元素(Se)，该光吸收层为Cuy(In1-xGax)Se2中原位掺杂Se元素，元素之间的摩尔比为1.0

公开(公告)号：CN106206743B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201510219860.9

申请日：2015-05-04

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  曹明杰 ,  郭力 ,  高泽栋 ,  魏要伟

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括半导体层、源极、漏极、栅极及绝缘层，该源极与漏极间隔设置，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过该绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，该半导体层为一氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm‑3~1020cm‑3，载流子迁移率为5.0 cm2V‑1s‑1~45.0 cm2V‑1s‑1。本发明还涉及一种薄膜晶体管的制备方法，一薄膜晶体管面板及一显示装置。

公开(公告)号：CN104846342A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510277211.4

申请日：2015-05-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  孙汝军 ,  余新平 ,  张宁 ,  郭力 ,  高泽栋 ,  魏要伟 ,  欧阳良琦

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  B22F3/16

Abstract: 本发明涉及一种贫铜富锌的铜锌锡硫溅射靶，该铜锌锡硫溅射靶具有锌黄锡矿结构，含有Cu、Zn、Sn及S元素，该四种元素的原子比满足Cu/(Zn+Sn) 1。本发明还涉及一种铜锌锡硫溅射靶的制备方法，包括：1)机械合金化：将硫化亚铜粉末、硫化锌粉末和二硫化锡粉末按摩尔比为(0.5-1.3):(1-1.6):(0.4-1)，且不含1:1:1比例，在液态介质中进行球磨混合，再经烘干获得混合粉末；以及2)将该混合粉末进行压制成型和烧结，得到具有贫铜富锌成分的铜锌锡硫溅射靶。

公开(公告)号：CN106435490B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510477921.1

申请日：2015-08-06

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  曹明杰 ,  郭力 ,  张冷 ,  魏要伟

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B28B3/00 ,  C04B35/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  H01B1/08 ,  H01J37/3429 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)、掺杂金属元素(M)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm‑3~1020cm‑3，载流子迁移率为5.0 cm2V‑1s‑1~46.3 cm2V‑1s‑1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法，溅射靶及其制备方法。

公开(公告)号：CN106435490A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201510477921.1

申请日：2015-08-06

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  曹明杰 ,  郭力 ,  张冷 ,  魏要伟

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B28B3/00 ,  C04B35/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  H01B1/08 ,  H01J37/3429 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)、掺杂金属元素(M)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm-3~1020cm-3，载流子迁移率为5.0cm2V-1s-1~46.3cm2V-1s-1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法，溅射靶及其制备方法。

公开(公告)号：CN106206684A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510219946.1

申请日：2015-05-04

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  曹明杰 ,  郭力 ,  高泽栋 ,  魏要伟

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C14/086 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/23 ,  C03C2218/154 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/50 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/324 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm-3~1020cm-3，载流子迁移率为5.0cm2V-1s-1~45.0cm2V-1s-1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法。

公开(公告)号：CN106206684B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201510219946.1

申请日：2015-05-04

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  曹明杰 ,  郭力 ,  高泽栋 ,  魏要伟

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm‑3~1020cm‑3，载流子迁移率为5.0 cm2V‑1s‑1~45.0 cm2V‑1s‑1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法。