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公开(公告)号：CN104805407B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510207454.0
申请日：2015-04-28
Applicant: 清华大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶，由Cuy(In1‑xGax)Se2粉末及单质Se粉末混合后烧结形成，该溅射靶中含有Cuy(In1‑xGax)Se2+z。本发明还涉及一种溅射靶的制备方法，包括将Cuy(In1‑xGax)Se2粉末和单质Se粉末在液态介质中进行球磨混合，再将球磨后的混合物烘干去除该液态介质；以及采用热压烧结、常压烧结或热等静压烧结工艺，对球磨后得到的混合体在400°C~900°C进行烧结。
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公开(公告)号：CN108468027A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810261996.X
申请日：2018-03-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法。本发明首先将铜锌锡硫硒粉末和含Sb粉末球磨混合，得到原料混合物；然后对原料混合物进行烧结，得到锑掺杂铜锌锡硫硒靶材。本发明提供的制备方法操作简便，易于实施。采用本发明所述制备方法得到的锑掺杂铜锌锡硫硒靶材已经将锑元素和铜锌锡硫硒掺杂混合，直接采用溅射法来溅射得到锑掺杂铜锌锡硫硒吸收层薄膜即可，无需添加蒸发装置，操作简单。此外，所述靶材的晶粒尺寸较大，结晶质量良好，在应用于溅射制备吸收层薄膜时成分重复性好。
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公开(公告)号：CN104810417A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510207432.4
申请日：2015-04-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一光吸收层，包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元素(Ga)及硒元素(Se)，为Cuy(In1-xGax)Se2中原位掺杂Se元素，元素之间的摩尔比为1.0
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公开(公告)号：CN104805407A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510207454.0
申请日：2015-04-28
Applicant: 清华大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶，由Cuy(In1-xGax)Se2粉末及单质Se粉末混合后烧结形成，该溅射靶中含有Cuy(In1-xGax)Se2+z。本发明还涉及一种溅射靶的制备方法，包括将Cuy(In1-xGax)Se2粉末和单质Se粉末在液态介质中进行球磨混合，再将球磨后的混合物烘干去除该液态介质；以及采用热压烧结、常压烧结或热等静压烧结工艺，对球磨后得到的混合体在400°C~900°C进行烧结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106435490B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510477921.1
申请日：2015-08-06
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: C23C14/3414 , B28B3/00 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L29/24 , H01L29/78693
Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)、掺杂金属元素(M)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm‑3~1020cm‑3，载流子迁移率为5.0 cm2V‑1s‑1~46.3 cm2V‑1s‑1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法，溅射靶及其制备方法。
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公开(公告)号：CN104810417B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201510207432.4
申请日：2015-04-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一光吸收层，包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元素(Ga)及硒元素(Se)，为Cuy(In1‑xGax)Se2中原位掺杂Se元素，元素之间的摩尔比为1.0
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公开(公告)号：CN106435490A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510477921.1
申请日：2015-08-06
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: C23C14/3414 , B28B3/00 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L29/24 , H01L29/78693
Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)、掺杂金属元素(M)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm-3~1020cm-3，载流子迁移率为5.0cm2V-1s-1~46.3cm2V-1s-1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法，溅射靶及其制备方法。
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公开(公告)号：CN108468027B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810261996.X
申请日：2018-03-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法。本发明首先将铜锌锡硫硒粉末和含Sb粉末球磨混合，得到原料混合物；然后对原料混合物进行烧结，得到锑掺杂铜锌锡硫硒靶材。本发明提供的制备方法操作简便，易于实施。采用本发明所述制备方法得到的锑掺杂铜锌锡硫硒靶材已经将锑元素和铜锌锡硫硒掺杂混合，直接采用溅射法来溅射得到锑掺杂铜锌锡硫硒吸收层薄膜即可，无需添加蒸发装置，操作简单。此外，所述靶材的晶粒尺寸较大，结晶质量良好，在应用于溅射制备吸收层薄膜时成分重复性好。
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公开(公告)号：CN106206245A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510231321.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L29/7869 , H01L2251/306
Abstract: 一种氧化亚锡薄膜的制备方法，包括：提供一基底与一锡氧化物靶材，该锡氧化物靶材包括混合均匀的单质Sn和SnO2，且该锡氧化物靶材中Sn原子与O原子的原子比为1:2
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