太赫兹波的调制装置和系统
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116560068A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310412622.4

    申请日:2023-04-18

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请涉及一种太赫兹波的调制装置和系统,包括多个谐振单元,多个谐振单元以二维阵列的形式排布;每个谐振单元包括调制单元和介质层,调制单元固定在介质层的第一表面;调制单元用于在被加载预设电压的情况下产生形变,以对入射的太赫兹波进行相位调制。本装置可以对各谐振单元的输入电压进行设置,从而实现对各谐振单元反射的太赫兹波的相位调制。另外,由于各谐振单元是以二维阵列的形式排布的,对各谐振单元加载不同的预设电压,则可以实现二维阵列上的各谐振单元反射的太赫兹波的相位不同,与现有技术相比,可以根据加载的各谐振单元加载的预设电压的大小,灵活的调制各谐振单元反射的太赫兹波的相位,即提高了太赫兹波调制的灵活性。

    磁超材料单元、磁共振成像增强装置及该装置的使用方法

    公开(公告)号:CN118197733A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410287466.8

    申请日:2024-03-13

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请涉及一种磁超材料单元、磁共振成像(MRI)增强装置及该装置的使用方法。磁超材料单元,包括支架筒、螺线管、变容二极管以及谐振环。磁共振成像增强装置包括:支架组件、样品容器、表面线圈阵列以及多个上述的磁超材料单元上述的磁共振成像增强装置通过磁超材料单元有效增强MRI中射频接收磁场,实现了制备简便、低成本、高效率的MRI信噪比提升。磁超材料单元与表面线圈阵列的简单配置方式,通过调整伸缩调节件的长度以调节磁超材料单元与表面线圈的间距,从而使得磁超材料单元与表面线圈适配,从而有效提高了使用并行磁共振成像算法的MRI信噪比,克服了图像采集加速导致的信噪比损失问题。

    成像装置、电子设备及成像方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116980735A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202310965434.4

    申请日:2023-08-02

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请涉及一成像装置、电子设备及成像方法。所述成像装置包括控制电路、与控制电路连接的微机电系统MEMS执行器、与MEMS执行器连接的图像传感器;通过控制电路接收目标设备发送的成像需求信息,并根据成像需求信息向MEMS执行器发送第一控制电压,MEMS执行器根据第一控制电压控制图像传感器移动至第一目标位置;进一步地,控制电路在图像传感器移动至第一目标位置的情况下,向图像传感器发送成像指令,图像传感器根据成像指令进行成像得到与成像需求信息对应的目标图像,提高了成像装置的应用场景的范围。

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