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公开(公告)号：CN119439016A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411515433.0
申请日：2024-10-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种磁共振成像增强装置和系统。所述磁共振成像增强装置包括：超材料阵列；超材料阵列中包括多个周期性排布的超材料单元，超材料单元包括存在通孔的闭合基底和谐振环；谐振环嵌入闭合基底的内部设置；谐振环用于使超材料阵列在磁共振成像的发射阶段自动失谐，以及在磁共振成像的接收阶段产生谐振，以提高磁共振成像质量。本申请提供的磁共振成像增强装置，在MRI发射阶段，谐振环通过自动失谐功能令增强装置退出谐振状态，避免对磁共振成像设备的正常激发过程产生干扰；在MRI接收阶段，谐振环和谐振器的谐振响应令增强装置能够增强被测对象发出的射频磁场信号，从而实现对MRI接收信号的强化，显著提高成像的信噪比，进而改善图像质量。
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公开(公告)号：CN119407141A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411512787.X
申请日：2024-10-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种磁共振增强超材料的制造方法，通过提供包括多个预制单元结构的预制超材料单元阵列；各预制单元结构包括三维流道结构；采用液体金属填充三维流道结构，得到多个半成品超材料；对各半成品超材料进行加工处理，得到磁共振增强超材料。本申请通过使用预制的三维流道结构并填充液体金属，可以有效提升超材料的电磁性能。采用液体金属填充的方式可以简化超材料的制造流程，相较于传统工艺，减少了多次加工和组装环节，从而提高生产效率以及保证加工精度和一致性，降低制造成本。对半成品超材料进行加工处理，确保了液体金属在三维流道结构中的稳定性和可靠性。封闭处理可以防止液体金属泄漏，保证超材料在长期使用过程中的性能稳定。
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公开(公告)号：CN118197733A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410287466.8
申请日：2024-03-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种磁超材料单元、磁共振成像（MRI）增强装置及该装置的使用方法。磁超材料单元，包括支架筒、螺线管、变容二极管以及谐振环。磁共振成像增强装置包括：支架组件、样品容器、表面线圈阵列以及多个上述的磁超材料单元上述的磁共振成像增强装置通过磁超材料单元有效增强MRI中射频接收磁场，实现了制备简便、低成本、高效率的MRI信噪比提升。磁超材料单元与表面线圈阵列的简单配置方式，通过调整伸缩调节件的长度以调节磁超材料单元与表面线圈的间距，从而使得磁超材料单元与表面线圈适配，从而有效提高了使用并行磁共振成像算法的MRI信噪比，克服了图像采集加速导致的信噪比损失问题。
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