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公开(公告)号：CN101260565B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710302017.2
申请日：2007-12-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 微米级片状钛酸铋钠晶体及其制备方法，属于压电陶瓷技术领域。所述微米级片状钛酸铋钠晶体为长方形外形，长宽10～15μm，厚度为0.5μm。制备方法包括按三氧化二铋、二氧化钛摩尔比2∶3为原料与等总质量的NaCl和KCl的混合物球磨保温，制备片状钛酸铋晶体；与碳酸钠、二氧化钛混合保温，制备片状Na0.5Bi4.5Ti4O15前驱体；与碳酸钠、二氧化钛混合保温，制备片状钛酸铋钠晶体。本发明NBT晶体热稳定性好；与NBT基体同质，有利于基体粉末沿种晶表面成核生长，极适合作为制NBT基压电陶瓷的种晶。本发明的方法工艺简单，成本低廉，也提高了成品率，适于工业大批量生产；也为制备NBT基压电陶瓷开辟了道路。
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公开(公告)号：CN100404462C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200610164919.X
申请日：2006-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/468 , C01G23/00 , C04B35/626 , H01L41/187
Abstract: 本发明涉及一种制备微米级片状钛酸钡晶体的方法，属于压电陶瓷技术领域。其特征是先采用熔盐法制备片状钛酸铋钡晶体BaBi4Ti4O15作为前驱体，再通过离子交换反应使该前驱体BaBi4Ti4O15晶体与BaCO3粉、KCl粉按摩尔比1∶2～5∶1～2混合，在900～1000℃保温1～5小时；然后通过超声清洗除去烧成物中的KCl和Bi2O3，获得微米级片状钛酸钡晶体转换为钛酸钡(BaTiO3)晶体。本发明制备的钛酸钡晶体具有立方或四方相钙钛矿结构，方片状外形，平均粒径10×10×1μm，大小分布均匀。该晶体极适合用作模板法(Templated GrainGrowth)制备高性能织构化压电陶瓷的种晶。
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公开(公告)号：CN1962542A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610164919.X
申请日：2006-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/468 , C01G23/00 , C04B35/626 , H01L41/187
Abstract: 本发明涉及一种制备微米级片状钛酸钡晶体的方法，属于压电陶瓷技术领域。其特征是先采用熔盐法制备片状钛酸铋钡晶体BaBi4Ti4O15作为前驱体，再通过离子交换反应使该前驱体BaBi4Ti4O15晶体与BaCO3粉、KCl粉按摩尔比1∶2～5∶1～2混合，在900～1000℃保温1～5小时；然后通过超声清洗除去烧成物中的KCl和Bi2O3，获得微米级片状钛酸钡晶体转换为钛酸钡(BaTiO3)晶体。本发明制备的钛酸钡晶体具有立方或四方相钙钛矿结构，方片状外形，平均粒径10×10×1μm，大小分布均匀。该晶体极适合用作模板法(Templated GrainGrowth)制备高性能织构化压电陶瓷的种晶。
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公开(公告)号：CN1189411C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02124133.3
申请日：2002-07-12
Applicant: 清华大学
CPC classification number: C03C10/0054 , C03C4/14
Abstract: 一种低介电常数低损耗微晶玻璃陶瓷的配方及其制备方法，属陶瓷材料领域。由ZnO、B2O3、SiO2、Li2O四种成分组成。各成分的配比为：ZnO 10～40wt%，B2O32～30wt%，SiO210～80wt%，Li2O 0.5～10wt%。用本发明微晶玻璃陶瓷材料投篮的微晶玻璃陶瓷其介电常数低(ε＜5，1MHz)，介电损耗低(tanδ＜0.0011MHz)
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公开(公告)号：CN1544316A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310113249.5
申请日：2003-11-11
Applicant: 清华大学
IPC: C01B21/072 , C04B35/584 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了属于电绝缘材料制备技术范围的采用自蔓延燃烧合成的一种合成高性能氮化铝粉体的新方法。在原料铝粉中加入稀释剂和添加剂，然后在滚动球磨机上球磨，再放入燃烧合成反应装置内，在低真空下，充入氮气，点燃点火剂，同时充入氨气，使原料铝粉燃烧合成氮化铝粉体。本方法合成的氮化铝粉体颜色均匀，无分层，无夹心，后处理工艺简单，生产效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1173880C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02100183.9
申请日：2002-01-22
Applicant: 清华大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种低压燃烧合成高α相氮化硅粉体的方法，属无机非金属材料技术领域。首先对原料硅粉进行预处理，然后按比例加入活性剂、稀释剂和添加剂，将各原料粉末球磨，使其充分混合，将混合后的原料烘干，放入低压燃烧合成反应装置内，抽真空后，从粉料底部吹入氮气，同时诱发原料粉体燃烧，达到在低压下硅的悬浮氮化。本发明提出的方法，通过对原料粉末的预处理和添加活性剂，提高初始燃烧反应物活性；加入稀释剂，提高硅的氮化率和产物中α相的含量，采用悬浮氮化技术，在较低氮气压力实现硅粉的完全氮化。本发明具有生产效率高、节约能源、设备简单、制备的氮化硅粉体纯度高、α相含量高、烧结活性好、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN1130607A
公开(公告)日：1996-09-11
申请号：CN95117462.2
申请日：1995-11-17
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/582
Abstract: 本发明涉及一种高热导率氮化铝陶瓷的制造方法，该方法以氮化铝粉体为原料，加入混合助烧结剂Dy2O3、CaO、B2O3等，混均成为AIN混合料，然后在混合料中加入粘结剂、分散剂、增塑剂等以后，用干压法或流延法将混合料制成AIN坯体，最后将排胶后的AIN素坯置于石墨加热炉中，通以流动N2气保护，在1550℃～1800℃下烧结，保温2～6小时，即可获得高致密度AIN陶瓷。本发明具有工艺简单、烧结易于控制、基片平整光滑等优点。
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公开(公告)号：CN1098397A
公开(公告)日：1995-02-08
申请号：CN94104452.1
申请日：1994-05-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料，以前大多用二次高温烧成工艺，烧结温度高；配料方式不尽合理，且性能均一性不尽理想。本发明改进了配料方法，以草酸氧钛锶[SrTiO(C2O4)·nH2O]分解获得的纯SrTiO3为原料，加入Li2CO3等为助烧结剂，Sr(1I1/4nB3/4)O3为施主掺杂剂及以Bi2I3和SiO2为晶界绝缘剂，因此可在较低温度1000～1200℃，N2+H2流动气体中进行半导体化烧结，然后降到650℃～900℃，在空气中进行晶界绝缘化，制成电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料。该方法工艺简单，降低了烧结温度，变二次烧结为一次烧结，且制品性能易于控制、均匀性好。
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公开(公告)号：CN102583516A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210008784.3
申请日：2012-01-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿结构氧化物颗粒的制备方法。该制备方法包括如下步骤：将含有B位离子的球状前驱体氧化物或氢氧化物与含有A位离子的溶液进行水热反应；将所述水热反应的产物依次经洗涤、干燥和热处理后即得产品；所述A位离子为Pb离子、Ba离子、Sr离子和Ca离子等阳离子中至少一种；所述B位离子为Ti离子、Zr离子和Mg离子等阳离子中至少一种。本发明提供了“两步法”制备球状钙钛矿结构氧化物颗粒的方法，通过结合水热法和后续的热处理过程成功的合成了球状钙钛矿结构氧化物，合成的球状颗粒具有单分散特征，粒度分布窄，结晶性好。
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