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公开(公告)号：CN1130607A
公开(公告)日：1996-09-11
申请号：CN95117462.2
申请日：1995-11-17
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/582
Abstract: 本发明涉及一种高热导率氮化铝陶瓷的制造方法，该方法以氮化铝粉体为原料，加入混合助烧结剂Dy2O3、CaO、B2O3等，混均成为AIN混合料，然后在混合料中加入粘结剂、分散剂、增塑剂等以后，用干压法或流延法将混合料制成AIN坯体，最后将排胶后的AIN素坯置于石墨加热炉中，通以流动N2气保护，在1550℃～1800℃下烧结，保温2～6小时，即可获得高致密度AIN陶瓷。本发明具有工艺简单、烧结易于控制、基片平整光滑等优点。
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