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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1088709A
公开(公告)日：1994-06-29
申请号：CN93120338.4
申请日：1993-12-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01C7/02
Abstract: 本发明涉及一种多层并联叠片结构热敏电阻器的材料及制备工艺。热敏电阻片的材料可以是以BaTiO3为主成分，加入适量Pb(Li0.25Nb0.75)O3、Li2CO3和适量MnO作受主掺杂，最后加入SiO2和Bi2O3。将上述粉料磨细制成薄片，在薄片两面涂上电极，然后将奇数片PTC薄片相叠，端部涂上电极，最后在1150℃～1350℃下烧成热敏电阻器。也可以用聚合物和导电粒子相混合后，热压成薄片，在该薄片的二面粘贴金属铝箔作电极，整片复合PTC薄片相叠后热压成热敏电阻器。
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公开(公告)号：CN1065058A
公开(公告)日：1992-10-07
申请号：CN91101684.8
申请日：1991-03-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种晶须增韧强化碳陶瓷复合材料，属于陶瓷领域。本发明的内容是在碳和碳化硅粉末中，加入一定量的碳化硅晶须，并采用合理的材料配方和工艺，制备出高强度，韧性大、耐磨、耐高温、抗热震、抗氧化及导电性能好的碳陶瓷材料，这种材料便于机加工和电加工，可制作导电引弧喷嘴和焊丝喷嘴及其他高强度，耐磨、导电的结构部件。
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公开(公告)号：CN1056130C
公开(公告)日：2000-09-06
申请号：CN94104452.1
申请日：1994-05-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料，以前大多用二次高温烧成工艺，烧结温度高，配料方式不尽合理，且性能均一性不尽理想。本发明改进了配料方法，以草酸氧钛锶[SrTiO(C2O4).nH2O]分解获得的纯SrTiO3为原料，加入Li2CO3等为助烧结剂，(Li1/4Nb3/4)O3为施主掺杂剂及以Bi2O3和SiO2为晶界绝缘剂，因此可在较低温度1000℃～1200℃，流动气体中进行半导体化烧结，然后降到650℃～900℃，在空气中进行晶界绝缘化，制成电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料。该方法工艺简单，降低了烧结温度，变二次烧结为一次烧结，且制品性能易于控制、均匀性好。
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公开(公告)号：CN1098397A
公开(公告)日：1995-02-08
申请号：CN94104452.1
申请日：1994-05-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料，以前大多用二次高温烧成工艺，烧结温度高；配料方式不尽合理，且性能均一性不尽理想。本发明改进了配料方法，以草酸氧钛锶[SrTiO(C2O4)·nH2O]分解获得的纯SrTiO3为原料，加入Li2CO3等为助烧结剂，Sr(1I1/4nB3/4)O3为施主掺杂剂及以Bi2I3和SiO2为晶界绝缘剂，因此可在较低温度1000～1200℃，N2+H2流动气体中进行半导体化烧结，然后降到650℃～900℃，在空气中进行晶界绝缘化，制成电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料。该方法工艺简单，降低了烧结温度，变二次烧结为一次烧结，且制品性能易于控制、均匀性好。
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公开(公告)号：CN1022478C
公开(公告)日：1993-10-20
申请号：CN91101684.8
申请日：1991-03-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种晶须增韧强化碳陶瓷复合材料，属于陶瓷领域。本发明的内容是在碳和碳化硅粉末中，加入一定量的碳化硅晶须，并采用合理的材料配方和工艺，制备出高强度，韧性大、耐磨、耐高温、抗热震、抗氧化及导电性能好的碳陶瓷材料，这种材料便于机加工和电加工，可制作导电引弧喷嘴和焊丝喷嘴及其他高强度、耐磨、导电的结构部件。
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