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公开(公告)号：CN119480862A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510069051.8
申请日：2025-01-16
Applicant: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/04 , H01L23/16 , H01L23/10 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/49 , H10D80/30
Abstract: 本发明提出了一种多芯片封装的集成电路封装结构，涉及芯片封装技术领域，包括封装盒，封装盒的一侧贯穿开设有多个芯片装槽间隔布置，芯片装槽的底部内部的两侧均开设有针脚安装槽，针脚安装槽内设置有填充片，填充片能够填充满针脚安装槽，且填充片的顶面与芯片装槽的底部内壁平齐，芯片装槽的两侧内壁开设有收纳槽，填充片能够收纳进入收纳槽内；收纳槽内安装有压紧条。本发明提出了一种多芯片封装的集成电路封装结构，通过设置的封装盒、填充片、压紧条、散热片和调节结构，确保芯片的拆卸，减少在拆装过程中出现卡顿的情况，还能同时完成针脚的压紧和散热片的安装，减少安装和拆卸的工序，提高工作效率，操作简单便捷。
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公开(公告)号：CN117367914A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311419424.7
申请日：2023-10-27
Applicant: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
Abstract: 本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种用于分析集成电路样品质量的试验方法。本申请通过对待进行分析的集成电路样品进行吸潮处理后再进行加热处理，直至吸潮样品中的芯片区域的焊球与焊盘区域剥离，得到试验样品。通过对试验样品进行开盖处理，得到初始样品后，对初始样品进行清洗处理，得到目标样品，并对目标样品的金属间化合物区域进行分析。本申请使用机械外力代替化学药品使得焊球与焊盘区域发生脱离，避免使用化学药品腐蚀焊球后对金属间化合物区域造成损伤，提高了分析集成电路产品质量的准确性。
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公开(公告)号：CN218925171U
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202223396518.0
申请日：2022-12-15
Applicant: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
IPC: B05C11/10
Abstract: 本申请涉及一种醒胶箱，属于半导体芯片加工的技术领域，其包括箱体、抽拉柜以及计时器，箱体设置有容纳腔室，容纳腔室的侧壁上设置有两个抽拉通孔，容纳腔室的侧壁上设置有多个通风孔；抽拉柜设置有两个，两个抽拉柜滑动连接在容纳腔室，抽拉柜能从抽拉通孔穿出箱体，抽拉柜上设置有多个卡接孔，卡接孔供外部试管穿设；计时器设置有两个，两个计时器分别设置所述抽拉柜上。本申请具有减少胶水以及芯片浪费的效果。
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公开(公告)号：CN215008215U
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202120818933.7
申请日：2021-04-21
Applicant: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种高可靠性高效率SSOP24L封装引线框架，用于封装小于1.0*1.0mm2的芯片，由多个框架单元阵列而成，框架单元包括基岛和多个引脚，基岛用于承载芯片，基岛尺寸为60×70 mil2，基岛表面为裸铜面，引脚表面为镀银面。由于基岛尺寸变小，基岛中心位置与引脚的距离大幅度减少，键合线的长度变短，键合线用量减少，能够降低成本，还能减小键合时的线材损耗和提高键合效率，在后序的塑封工艺中，由于键合线变短，冲丝风险降低，可减少冲丝造成的产品短路问题，基岛尺寸变小还可减小金属和塑封料结合面积比例，增加集成电路抗分层能力，另外，基岛区域裸铜处理进一步增加集成电路抗分层能力，提高了产品可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN219008523U
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202223482755.9
申请日：2022-12-22
Applicant: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种粘片机吸嘴收纳装置，属于半导体芯片加工的技术领域，其包括箱体、安装转轴以及箱盖，箱体设置有容纳槽；安装转轴两端转动连接在容纳槽相对的两个侧壁上，安装转轴的周侧外壁上设置有多个安装块，多个安装块沿着安装转轴的长度方向分布设置，位于同一直线上的多个安装块为一组，多组安装块以安装转轴的轴线为圆心圆周分布设置，安装块远离与安装转轴连接处的一侧面设置有安装槽，安装槽供吸嘴插设，一组安装块供同等尺寸以及使用次数的吸嘴放置；箱盖与箱体可拆式连接，箱盖用于覆盖容纳槽。本申请具有降低半导体芯片在生产过程中的次品率的效果。
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公开(公告)号：CN216958018U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202122602860.0
申请日：2021-10-28
Applicant: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型公开了一种双MOSFET高可靠性引线框架，涉及芯片技术领域。该一种双MOSFET高可靠性引线框架，一种双MOSFET高可靠性引线框架，包括基板A和基板B，所述基板A和基板B上分别设置有MOSFET芯片A和MOSFET芯片B；基板A的左下侧通过焊线连接有Pin1脚位，基板B的左下侧通过焊线连接有Pin3脚位；MOSFET芯片A左侧与基板A的底部夹角呈60度，所述MOSFET芯片B左侧与基板B的底部夹角呈60度。本实用新型引线框架对SOP8L双基岛引线框架进行研发，设计主要是对引线框架Pin1、Pin3脚部分进行改善，利用斜边型设计，在不影响基岛面积和焊线长度的基础上，增大了芯片与基岛边缘的位置，减少了胶水沾污管脚和胶水溢出到基岛背面风险。
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公开(公告)号：CN214956864U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121488566.5
申请日：2021-06-30
Applicant: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型涉及一种用于承载微小型芯片的SOT89‑3L引线框架及SOT89‑3L封装产品，引线框架包括多个阵列布置的引线框架单元，每个引线框架单元包括基岛和二个管脚，二个管脚分布在基岛的二侧，基岛正面放置芯片的部位设有凹点结构，凹点结构用于容纳固晶胶，凹点结构的表面为祼铜面。对于微小型芯片来讲，凹点结构增加了芯片四周的支撑点，在粘片时设备粘片压力参数可以正常设置或适当增大参数，此时因为基岛凹点结构的存在，芯片底部与基岛之间还是存在一定厚度的固晶胶，确保了固晶胶厚度的最低数值，不会造成芯片底部固晶胶厚度过分降低；另外，凹点结构表面为祼铜面，增强了固晶胶与基岛的结合能力，进一步提高产品抗分层能力。
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公开(公告)号：CN219040424U
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202223489717.6
申请日：2022-12-22
Applicant: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
IPC: H01L21/67 , B65B33/02 , H01L21/683
Abstract: 本申请涉及一种贴膜平整的晶圆贴膜机，属于半导体切割加工的技术领域，其包括机架以及拉拽架，机架设置有置物台，置物台上表面用于放置晶圆；拉拽架滑动连接在置物台上，拉拽架上设置有拉拽胶辊，拉拽胶辊供蓝膜的一端完全贴附。本申请具有提升晶圆贴膜效率的效果。
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公开(公告)号：CN215008214U
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202120818705.X
申请日：2021-04-21
Applicant: 深圳电通纬创微电子股份有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种单双芯片通用型SOT23‑6L封装引线框架，由多个框架单元阵列而成，所述框架单元包括基岛和多个引脚，其中一个引脚根部面积扩大后还用于承载第二芯片，该引脚位于基岛的一个角落处，定义为引脚六，引脚六位于内侧的角为斜角，基岛与引脚六相对应的角也为斜角。本申请人对SOT23‑6L封装的引线框架进行重新设计，原有基岛的尺寸基本保持原样，增加引脚六的尺寸，使引脚六能够放置一个较小的芯片，采用斜边型设计，在增加引脚六的面积的基础上，不大影响原有基岛尺寸，又达到了能够放置单个芯片的尺寸要求，进而在SOT23‑6L小外形集成电路中实现单芯片和双芯片通用封装的目的，满足大小芯片搭配的产品要求。
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