-
公开(公告)号：CN119338820A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411885401.X
申请日：2024-12-20
Applicant: 浙江大学 , 浙江正泰智维能源服务有限公司 , 正泰新能科技股份有限公司
IPC: G06T7/00 , G06T7/11 , G06T7/62 , G06T3/4038 , G06T7/90 , G06T5/30 , G06V10/774 , G06V10/764
Abstract: 本发明公开了一种光伏组件缺陷诊断方法、装置和设备，该光伏组件缺陷诊断方法包括：对航拍图像进行切片处理，获得切片图像；航拍图像为无人机在不低于60米的高空对目标光伏电站进行航拍采集的；利用预先训练的第一深度学习模型，对切片图像中的光伏组件进行识别，并标记出各切片图像中的光伏组件；将各切片图像进行拼接，获得带有光伏标记的光伏组件图像；根据光伏组件图像中的光伏标记，在光伏组件图像中切割出光伏成像区域，获得光伏区域图像；利用预训练好的第二深度学习模型，对光伏区域图像进行缺陷诊断，获得缺陷诊断结果。本申请中的技术方案，能够突破红外巡检技术的局限性，并保证对光伏电站巡检中光伏缺陷诊断的准确可靠性。
-
公开(公告)号：CN118084973A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410221550.X
申请日：2024-02-28
Applicant: 正泰新能科技股份有限公司
IPC: C07F9/6547 , C07D279/34 , C07F5/02 , H10K71/12 , H10K30/30 , H10K85/60 , H10K85/50
Abstract: 本发明提供了一种基于5,5‑二氧代吩噻嗪的双功能有机自组装单分子，能够同时钝化NiOx以及钙钛矿表面，减少界面缺陷；其中一端含有的锚定基能够锚定在NiOx薄膜表面上形成强而稳定的共价键，实现选择性接触以减轻界面复合并减少NiOx薄膜表面缺陷；同时分子另一端的磺酰基O＝S＝O结构可以有效抑制氧元素对于钙钛矿的影响，延长钙钛矿器件的使用寿命，而且磺酰基O＝S＝O能够和钙钛矿表面未配位的Pb2+结合，大大减少了钙钛矿吸光层中的空位缺陷，对薄膜中的缺陷位置起到了钝化作用，很大程度上减少了薄膜的缺陷，提高了光电转化效率。同时，本发明基于该多功能有机自组装单分子制备的钙钛矿太阳能电池的性能优异。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN118073454A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410232818.X
申请日：2024-02-29
Applicant: 正泰新能科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种二端钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法，应用于钙钛矿太阳能电池技术领域，包括钙钛矿晶硅叠层电池和近红外光转换层；钙钛矿晶硅叠层电池包括叠层电池片，叠层电池片包括用于吸收可见光的钙钛矿电池结构和用于吸收近红外光的晶硅电池结构；钙钛矿晶硅叠层电池的入光侧表面设置有近红外光转换层，近红外光转换层为下转换薄膜。通过近红外光转换层将太阳光中的短波转换成长波，用以解决二端钙钛矿晶硅叠层电池在可见光比例较高的光照条件下导致的电流不匹配问题，使得二端钙钛矿晶硅叠层电池具有较高的性能。
-
公开(公告)号：CN118042852A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311751147.X
申请日：2023-12-19
Applicant: 正泰新能科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法，所述钙钛矿晶硅叠层电池包括依次层叠设置的硅底电池、ITO中间复合层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、钙钛矿吸光层、第一电子传输层、第二电子传输层、顶层透明导电层和导电金属电极。本发明所述钙钛矿晶硅叠层电池可以充分发挥钙钛矿电池和晶硅电池的优势，在降低湿度和氧气对钙钛矿材料的影响的同时，降低了钙钛矿材料和晶硅材料的光耦合效应，降低界面效应，提高了钙钛矿晶硅叠层电池的效率和稳定性。
-
公开(公告)号：CN117497647A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311741548.7
申请日：2023-12-18
Applicant: 正泰新能科技股份有限公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/0216
Abstract: 本申请涉及光伏领域，公开了一种太阳能电池及其制备方法，包括：获得太阳能电池的预制结构体；预制结构体包括第一掺杂类型的硅片，位于硅片背面、在远离硅片方向上依次层叠的隧穿氧化层、第二掺杂类型的掺杂多晶硅层和硅酸盐玻璃层；硅片背面的硅酸盐玻璃层包括开口；采用链式工艺，去除与开口区域对应的隧穿氧化层、第二掺杂类型的掺杂多晶硅层，以在硅片背面形成交替分布的第一掺杂类型区域和第二掺杂类型区域；及对硅片背面的第一掺杂类型区域进行抛光；并对硅片的正面进行制绒；并去除背面的硅酸盐玻璃层；在硅片的正面和背面分别沉积钝化层；在第一掺杂类型区域和第二掺杂类型区域制作电极，得到太阳能电池，可以简化制作工艺，降低成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113948607B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110988456.3
申请日：2021-08-26
Applicant: 正泰新能科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及N型晶硅电池技术领域，公开了一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法，包括以下步骤：（1）在制绒后的硅片正面进行低浓度硼扩散，形成轻掺杂层；（2）在轻掺杂层上沉积非晶硅，形成非晶硅层；（3）对非晶硅层进行激光开槽，以去除金属接触区域的非晶硅；（4）在去除非晶硅后的金属接触区域进行高浓度硼扩散，形成重掺杂层；（5）清洗，以去除非金属区域的非晶硅。本发明的选择性扩散方法采用非晶硅层作为掩膜，能防止形成的掺杂层中硼浓度不可控，有利于提高N型晶硅电池的开路电压、短路电流和填充因子。
-
公开(公告)号：CN118524720B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410969092.8
申请日：2024-07-19
Applicant: 正泰新能科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池包括基底、钙钛矿吸光层、应力缓冲层、第一载流子传输层、第二载流子传输层和集电极；所述第一载流子传输层和所述基底设于所述钙钛矿吸光层的一侧，且所述第二载流子传输层和所述集电极设于所述钙钛矿吸光层的另一侧，所述应力缓冲层设于所述基底和所述集电极之间；所述应力缓冲层为透明导电的高分子聚合物层。本发明通过优化钙钛矿太阳能电池的结构，并进一步优选应力缓冲层中材料的种类，从而改善了钙钛矿吸光层与相近膜层及基底之间的热膨胀系数差异，同时缓解了钙钛矿吸光层产生的热应力，并提高了其长期热循环运行稳定性。
-
公开(公告)号：CN118574434A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411035363.9
申请日：2024-07-31
Applicant: 正泰新能科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有梯度光学带隙的空穴传输层及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。所述具有梯度光学带隙的空穴传输层包括层叠设置的第一空穴传输层和第二空穴传输层；所述第一空穴传输层的材料包括第一p型SnOx，所述第二空穴传输层的材料包括第二p型SnOx，其中1≤x＜2；所述第一空穴传输层的光学带隙低于所述第二空穴传输层的光学带隙。本发明通过调控SnOx薄膜为P型，使其能够作为钙钛矿太阳能电池的空穴传输层使用，并且进一步形成具有梯度光学带隙的空穴传输层，从而避免由于P型SnO的含量过多导致带隙相对较窄造成光学损耗的问题。
-
公开(公告)号：CN117715480A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311742641.X
申请日：2023-12-18
Applicant: 正泰新能科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿太阳能模组及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将导电衬底进行P1切割，P1切割后依次沉积第一传输层、钙钛矿层和第二传输层，沉积结束后进行P2切割，所述P2切割结束后，沉积金属电极，沉积结束后进行P3切割；所述P2切割结束后且沉积金属电极前，和/或P3切割结束后，还进行了采用硫源进行原位反应生成硫化铅层和退火步骤。本发明所述钙钛矿太阳能模组通过在切割沟槽中设置以共价键形式相连的硫化铅保护层，来隔绝外界水氧，并且防止传输层、钙钛矿层与电极直接接触，从而提高钙钛矿太阳能电池模组的效率和稳定性。
-
公开(公告)号：CN117577736A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311543767.4
申请日：2023-11-20
Applicant: 正泰新能科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/22 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池选择性发射极的制备方法及太阳能电池，应用于太阳能电池技术领域，包括确定选择性发射极中掺杂层的目标参数；根据目标参数，确定氮氧化硅层中氮元素的目标组分；在衬底表面设置氮氧化硅层；在氮氧化硅层对应栅线的位置开槽，暴露衬底；在对氮氧化硅层进行开槽后，在衬底开槽的表面进行掺杂，形成掺杂层；掺杂层在开槽的区域形成达到第一目标参数的高掺杂浓度区域，在被氮氧化硅层覆盖的区域形成达到第二目标参数的低掺杂浓度区域；基于掺杂层制备选择性发射极。通过在衬底表面设置氮氧化硅层作为半透膜，形成低掺杂浓度区域，从而形成不同性能参数的低掺杂浓度区域，实现形成各种要求的选择性发射极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.076 seconds)
