一种流量可调节的垂直式硅外延反应室进气装置

    公开(公告)号:CN114790574B

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202210530471.8

    申请日:2022-05-16

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种流量可调节的垂直式硅外延反应室进气装置。进气装置包括进气结构、支撑环、环形分流腔结构和流量调节机构;进气结构和支撑环安装在流量调节机构中间,流量调节机构安装在环形分流腔结构的上端面;进气结构、环形分流腔结构和流量调节机构依次连通;流量调节机构包括转动座和调节板层,转动座、进气结构、调节板层和环形分流腔结构自上而下依次同轴连接;进气结构和调节板层之间通过支撑环连接。本发明能够输运组分均匀的气流至硅片衬底,并且能够通过驱动转动板来改变外流道及内流道的进气孔开合面积,进而调节不同流道之间的流量配比,从衬底径向上有效提升调节衬底表面的厚度均匀性。

    一种利用红外测温评估预测厚壁透明聚合物产品质量的方法

    公开(公告)号:CN115249129A

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202210932685.8

    申请日:2022-08-04

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明提供一种利用红外测温评估预测厚壁透明聚合物产品质量的方法,将红外热像图的特征参数(一阶颜色矩、二阶颜色矩、一维信息熵、二维信息熵)引入产品质量评估中,提高了评估的全面性和准确性;采用支持向量回归(SVR)建立了红外热像图提供的温度信息(即特征参数)与产品质量之间的关系模型,并采用交叉验证对该关系模型的参数进行寻优,得到参数优化的评估模型;该评估模型对产品质量的评估精度高,且具有较好的鲁棒性。利用本发明的产品质量评估方法对产品进行评估,能够准确指导产品加工过程中的工艺参数,以获得高质量产品。

    一种多次注射成型分层方案优化方法

    公开(公告)号:CN117217060A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311284857.6

    申请日:2023-10-07

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明提供一种多次注射成型分层方案优化方法,利用有限差分法求解传热方程,得到不同分层方案下每层注射时的冷却时间,并拟合得到单层冷却时间与分层方案之前的关系模型;最后利用拉格朗日乘子法,以所有注射层冷却时间最小为目标,以产品总厚度为约束条件对特定分层方案进行优化。通过本发明方法的优化,能够得到优化分层方案,有效缩短注射成型周期,降低生产成本,提高产品质量。

    一种多次注射剪切样条成型模具
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117207449A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311179904.0

    申请日:2023-09-13

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: B29C45/26 B29C45/16

    摘要: 本发明提供一种多次注射剪切样条成型模具,通过设置末端重叠的第一型腔和第二型腔,以及能够实现第一型腔和第二型腔连通或隔开的切换滑块,和实现第二流道和第二型腔连通或断开的切换镶件,能够完成按顺序依次在两个型腔内分别独立注射成型,并在两个型腔重叠部分(双层腔)实现两次注射重熔,形成融合界面,得到剪切样条;将得到的剪切样条通过万能试验机进行拉伸剪切实验,得到剪切强度,用于评估任意两种材料通过嵌件注射成形形成的融合界面性能。利用实验得到的不同因素对融合界面性能的影响规律,可以用于指导实际产品生产。

    一种单电机驱动的伸缩式硬轴提拉机构

    公开(公告)号:CN116005251A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202310072251.X

    申请日:2023-02-07

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: C30B15/30 C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种单电机驱动的伸缩式硬轴提拉机构。外杆和内杆分别由五根直径不同的外杆节和内杆节按照直径从大到小的顺序自上而下依次嵌套组成,第五外杆节和第五内杆节通过联动凸台固定连接,籽晶夹头与第五外杆节的下端面固定连接,第一内杆节和第二内杆节之间、第二内杆节和第三内杆节之间分别通过两个锁止单元连接,第三内杆节和第四内杆节之间通过减速传动组件连接,内杆套筒套设在第四内杆节的顶端,行星轮系与内杆套筒内侧壁固定连接,行星架放置在内杆套筒上,中心扣放置在行星架上。本发明能够有效降低单晶炉整体质心,减少电机振动激励,螺纹传动利于提高提拉速度控制精度,降低晶棒生长界面波动,提升晶棒生长质量。

    一种流量可调节的垂直式硅外延反应室进气装置

    公开(公告)号:CN114790574A

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN202210530471.8

    申请日:2022-05-16

    申请人: 浙江大学

    摘要: 本发明公开了一种流量可调节的垂直式硅外延反应室进气装置。进气装置包括进气结构、支撑环、环形分流腔结构和流量调节机构;进气结构和支撑环安装在流量调节机构中间,流量调节机构安装在环形分流腔结构的上端面;进气结构、环形分流腔结构和流量调节机构依次连通;流量调节机构包括转动座和调节板层,转动座、进气结构、调节板层和环形分流腔结构自上而下依次同轴连接;进气结构和调节板层之间通过支撑环连接。本发明能够输运组分均匀的气流至硅片衬底,并且能够通过驱动转动板来改变外流道及内流道的进气孔开合面积,进而调节不同流道之间的流量配比,从衬底径向上有效提升调节衬底表面的厚度均匀性。