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公开(公告)号：CN113675277B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111226425.0
申请日：2021-10-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种二极管及其制造方法，包括阴极层、阳极层和二极管本体，二极管本体包括两组以上的衬底层和两组以上的中间层，每两组衬底层之间设置有一组中间层，或每两组中间层之间设置有一组衬底层，二极管本体上开设有一组以上的沟槽，且沟槽贯穿所有中间层，沟槽的侧壁上设置有连接层，具有提高耐压性的优点，突破了二极管在低压下影响正常开通速度的瓶颈。
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公开(公告)号：CN114944422A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210861863.2
申请日：2022-07-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/872 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种浮岛器件及其制造方法，包括外延层、表面层、底层、第一掺杂区、第二掺杂区和欧姆接触金属，其中，所述表面层和底层之间有若干外延层，至少一个外延层中设置第一掺杂区和第二掺杂区；所述欧姆接触金属通过形成欧姆接触连接第一掺杂区和第二掺杂区；具有消除空间电荷对电流的阻碍和连通外延层与第一掺杂区的优点，缓解了传统浮岛器件在恢复导通状态时的电压过冲或开通延迟问题。
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公开(公告)号：CN112201686B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010935114.0
申请日：2020-09-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 公开了一种超级结器件及终端，该超级结器件包括形成于漂移区内的有源区和终端、位于有源区内的多个超级结、位于终端内的宽槽、位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区以及位于宽槽底部并与下注入区接触的终端底部注入区，其中在超级结器件的相同深度处，各个超级结之间的宽度等于或大于有源区边缘靠近终端的超级结与终端的侧壁之间的宽度。该终端包括宽槽和位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区，该终端注入区包括具有相同掺杂类型的下注入区和上注入区，其中下注入区的宽度小于上注入区的宽度。本发明的结构优化了终端与有源区交界处的净负电荷量的空间分布，实现了更好的电场分布，提高了器件终端的耐压。
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公开(公告)号：CN112420807B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011215400.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其终端，该半导体器件包括有源区和终端区，所述半导体器件包括位于有源区内的第一柱区、第二柱区和第一电介质柱区，以及位于终端区内的第一终端，所述第一终端包括第三柱区、第四柱区和第二电介质柱区，其中第一柱区和第三柱区均具有第一掺杂类型，第二柱区和第四柱区均具有第二掺杂类型，第三柱区宽度小于第一柱区宽度，第四柱区宽度大于或等于第二柱区宽度，第二电介质柱区宽度大于或等于第一电介质柱区宽度。本发明的结构在实现阻断时终端区呈现负电荷的基础上，调制了终端区负电荷的空间分布，实现了终端区更均匀的电场分布，最终提高了器件终端的耐压。
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公开(公告)号：CN113675277A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111226425.0
申请日：2021-10-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种二极管及其制造方法，包括阴极层、阳极层和二极管本体，二极管本体包括两组以上的衬底层和两组以上的中间层，每两组衬底层之间设置有一组中间层，或每两组中间层之间设置有一组衬底层，二极管本体上开设有一组以上的沟槽，且沟槽贯穿所有中间层，沟槽的侧壁上设置有连接层，具有提高耐压性的优点，突破了二极管在低压下影响正常开通速度的瓶颈。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111354780A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010196037.1
申请日：2020-03-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 公开了一种带有反型注入的超级结终端及其制作方法。所述侧壁注入形成的超级结终端包括外延柱、反型注入侧壁和沟槽，外延柱和沟槽是在衬底上通过外延生长形成的具有掺杂的半导体区域，通过刻蚀形成，反型注入侧壁通过在沟槽侧壁进行离子注入形成，沟槽与外延柱区相间排列，位于两个相邻外延柱区之间。该带有反型注入的超级结终端可以在器件阻断电压时使有源区边缘电场分布比较均匀，从而提高边缘区域耐压，充分发挥有源区的耐压能力。
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公开(公告)号：CN119092532B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411585936.5
申请日：2024-11-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H10D62/10 , H10D8/60 , H10D12/00 , H10D8/00 , H10D8/01 , H10D12/01 , H10D30/01 , H10D30/60 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种交错浮岛器件及其快速开通结构和自对准的制造方法，交错浮岛器件包括表面层、底层和漂移区，漂移区包括若干组外延层和若干组浮岛层，浮岛层交错布局，浮岛层中的浮岛由两个掺杂区构成，至少两组浮岛层的浮岛在俯视方向下部分重叠或者无重叠，每两组外延层之间设置有一组浮岛层，或每两组浮岛层之间设置有一组外延层，其中快速开通结构的浮岛层中设置有重掺杂反型区。浮岛采用两个掺杂区有利于使退火后浮岛掺杂浓度接近理想均匀分布，并且有利于增大浮岛的结电容，降低开启电压。交错设置的浮岛具有减小多次开通后空间电荷对电流的阻碍的优点，缓解了浮岛器件在多次开通后导通能力下降的问题。
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公开(公告)号：CN111814325B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202010626933.7
申请日：2020-07-01
Applicant: 浙江浙能台州第二发电有限责任公司 , 浙江大学
IPC: G06F30/20 , G08B29/18 , G06F111/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种燃煤发电装备非平稳运行的单变量报警阈值优化方法，S1.获得非平稳正常运行时若干过程变量的采样数据以获得二维数据矩阵；S2.选取工况指示变量和待优化过程变量，并获得待优化过程变量的M个工况条；S3.将M个工况条依次划入若干工况段中，并确定每个工况段的报警优化阈值和对应的工况指示变量值。借助工况指示变量将非平稳过程转化成平稳的工况片，可以根据需要选取与工况指示变量相关性大的单变量作为阈值优化的对象。简单有效地减少过程的误报率，大大减少无效报警数量，避免了因大量干扰报警而忽略了关键报警信息，从而保障了生产过程的安全、高效运行。
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公开(公告)号：CN114944422B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210861863.2
申请日：2022-07-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/872 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种浮岛器件及其制造方法，包括外延层、表面层、底层、第一掺杂区、第二掺杂区和欧姆接触金属，其中，所述表面层和底层之间有若干外延层，至少一个外延层中设置第一掺杂区和第二掺杂区；所述欧姆接触金属通过形成欧姆接触连接第一掺杂区和第二掺杂区；具有消除空间电荷对电流的阻碍和连通外延层与第一掺杂区的优点，缓解了传统浮岛器件在恢复导通状态时的电压过冲或开通延迟问题。
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公开(公告)号：CN112201685A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010934164.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 公开了一种超级结器件及电介质组合终端，该超级结器件包括形成于漂移区内的有源区和终端、位于有源区内的多个超级结、位于终端内的宽槽、位于宽槽内的多层电介质组合、位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区以及位于宽槽底部并与下注入区接触的终端底部注入区。该终端包括的宽槽和位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区，该侧壁注入区可以包括具有相同掺杂类型的下注入区和上注入区。该终端包括的多层电介质组合中，每层电介质按照电介质常数从高到低，而从左至右，从上至下地排布。本发明的结构优化了终端与有源区交界处的净负电荷量的空间分布，以及宽槽内部电介质中的电介质常数分布，实现了更好的电场分布，提高了器件终端的耐压。
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