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公开(公告)号：CN119181388B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411676171.6
申请日：2024-11-22
Applicant: 浙江大学
IPC: G10L25/66 , G06N3/0442 , G06N3/0455 , G06N3/092 , A61B7/00 , A61B7/02 , G10L25/30
Abstract: 本申请涉及呼吸音识别领域，具体地公开了一种基于梅尔频谱图的呼吸音分类方法及系统，其利用具有新型网络结构的呼吸音分类模型来提升呼吸音分类的灵敏度与特异度。特别地，所述具有新型网络结构的呼吸音分类模型包括音频频谱图变换器网络、多尺度特征提取网络、时序特征提取网络和线性输出层网络，其中，所述多尺度特征提取网络和所述时序特征提取网络形成特征编解码架构对由所述音频频谱图变换器网络输出的呼吸音图谱特征进行全局特征与局部特征强化学习，据此来提升呼吸音分类的灵敏度与特异度。
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公开(公告)号：CN115084309B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202210713084.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化铂和SOI的光电晶体管、制备方法及其应用，PtSe2/SOI光电晶体管的垂直异质结构和II型能带排列使其在从紫外到近红外的宽光谱范围内表现出优异的光电探测性能，且背栅结构的设计有效促进了光生载流子的分离和传输，从而提高了光电探测器的光响应性能。该光电晶体管的制备方法简单、成本低且兼容硅工艺。由该光电晶体管组成的光电探测器具有可零偏压驱动、高响应率、高探测率、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，为新一代硅基光电探测器铺平了道路。
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公开(公告)号：CN118300434A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410389234.3
申请日：2024-04-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种射频能量收集用栅极驱动RF‑DC整流器，将交流电信号转换为直流电信号，相较于传统交叉耦合整流器，本发明的整流器使用了高阈值晶体管栅极驱动增强技术，解决了传统应用在整流器中高阈值晶体管驱动困难的问题，既能得到传统技术中使用低阈值晶体管获得的正向电流，又能克服传统低阈值晶体管难以抑制反向泄漏电流，提高了整流器的转换效率。同时，在保证高效率的情况下增加了电荷传输能力，产生更大的输出电压幅值。本发明的电路提高了RF‑DC整流器的灵敏度，增加了输入功率范围。与现有RF‑DC整流器相比，本发明的整流器具有更高的交直流转换效率、更大的输出电压幅值、更高的灵敏度，且所需的辅助电路更少。
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公开(公告)号：CN118064837A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410161259.8
申请日：2024-02-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明创新性的首次提供了一种二维1T相CrS2薄膜、其制备方法及其应用，所述的二维1T相CrS2薄膜为1T相结构，而不是2H相或1T’相结构或者其混合相结构；是连续的薄膜，而不是分立的晶畴；解决了现有技术不能制备均匀的、连续的1T相结构的CrS2的难题，填补了国内外对于相结构为1T相的二维CrS2材料的空缺。
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公开(公告)号：CN117878171A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410161226.3
申请日：2024-02-05
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/0328
Abstract: 本发明提供一种基于PbS量子点和1T‑CrS2的异质结结构、其制备方法及光电探测器，所述异质结结构为PbS/CrS2/衬底的异质结结构，包括：衬底；在所述的衬底上的CrS2层，所述CrS2层材料为1T相结构；在所述的CrS2层上的PbS层，所述PbS层材料为量子点结构。所述PbS表面不存在包覆配体；CrS2层的材料为1T相结构，可以作为载流子有效传输通道；应用于光电探测器时，该探测器中分散的PbS量子点作为感光层、而1T‑CrS2为载流子输运层，具有高响应度、高比探测率、低暗电流、响应速度快等优异特性。本发明异质结结构及其光电探测器的制备方法简单，兼容硅工艺，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114420784B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202111434252.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0216 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种一种基于二硒化铂和硅的异质结结构及光电探测器、及其制备方法，该异质结结构及其光电探测器在PtSe2和Si层之间存在一薄层的绝缘层，该绝缘层作为电荷阻挡层或隧穿层可以调控电荷输运特性。为了进一步提高光电探测器的特性，本发明还公开了在该异质结结构的二硒化铂层上制备金属纳米颗粒层，从而形成金属纳米颗粒/二硒化铂/绝缘层/硅的异质结结构。该异质结及其光电探测器的制备方法简单、成本低，兼容硅工艺，制备成本低。由该异质结结构组成的光电探测器具有可零偏压驱动、高响应率、高探测率、高开关比、低暗电流、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，这为新一代硅基光电探测器铺平了道路。
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公开(公告)号：CN112760613B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911001796.1
申请日：2019-10-21
Applicant: 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳掺杂的二硫化钼纳米材料的制备方法，所述制备方法包括：(1)将含C的MoO3源材料和S源材料放置在化学气相沉积设备的不同位置；(2)对化学气相沉积设备进行加热，并分别控制含C的MoO3源材料和S源材料位置的温度，反应得到碳掺杂的二硫化钼纳米材料。本发明提供的制备方法简单，通过控制MoO3源材料中C的含量以及反应温度，可以简单地得到不同碳掺杂的二硫化钼纳米材料、制备的材料具有不同的能带结构，制备成本低。
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公开(公告)号：CN112760613A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911001796.1
申请日：2019-10-21
Applicant: 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳掺杂的二硫化钼纳米材料的制备方法，所述制备方法包括：(1)将含C的MoO3源材料和S源材料放置在化学气相沉积设备的不同位置；(2)对化学气相沉积设备进行加热，并分别控制含C的MoO3源材料和S源材料位置的温度，反应得到碳掺杂的二硫化钼纳米材料。本发明提供的制备方法简单，通过控制MoO3源材料中C的含量以及反应温度，可以简单地得到不同碳掺杂的二硫化钼纳米材料、制备的材料具有不同的能带结构，制备成本低。
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公开(公告)号：CN104616717B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510016423.7
申请日：2015-01-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜和金属纳米结构复合的导电材料，包括金属纳米结构和附着在金属纳米结构上的石墨烯薄膜，石墨烯薄膜通过化学气相沉积法或碳偏析法直接附着在金属纳米结构上，所述石墨烯薄膜的层数为1-30层。本发明提供的导电材料具备机械柔性和高导电性以及可调节的透光性，同时，该透明材料还具有防止金属被氧化的特性。本发明提供的导电材料的方块电阻为5Ω/□～1000Ω/□，透光率为5％～97％，弯曲半径
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公开(公告)号：CN103031516B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201310019912.9
申请日：2013-01-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种六角相氮化硼薄膜的制备方法，采用物理气相沉积方法，由固态硼源提供硼原子，在衬底上形成六角相氮化硼薄膜；物理气相沉积的沉积速率为0.01nm/min～20nm/min，成膜过程中控制衬底温度为20～1600℃，最后以10～400℃/min的速率降温至室温。本发明方法制备六角相氮化硼薄膜，采用固态硼源，安全性好、制备方法简单、易于实现，制备得到的六角相氮化硼薄膜由1-200层的六角相氮化硼单元层组成。本发明方法制备得到的二维六角相氮化硼薄膜，具有优异的绝缘特性和平整度，可用于石墨烯光电子器件提高器件性能。
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