公开(公告)号：CN118064837A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410161259.8

申请日：2024-02-05

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐明生 ,  王雨微 ,  肖涵

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/56 ,  C23C14/58 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18

Abstract: 本发明创新性的首次提供了一种二维1T相CrS2薄膜、其制备方法及其应用，所述的二维1T相CrS2薄膜为1T相结构，而不是2H相或1T’相结构或者其混合相结构；是连续的薄膜，而不是分立的晶畴；解决了现有技术不能制备均匀的、连续的1T相结构的CrS2的难题，填补了国内外对于相结构为1T相的二维CrS2材料的空缺。

公开(公告)号：CN117878171A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410161226.3

申请日：2024-02-05

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐明生 ,  王雨微 ,  肖涵

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328

Abstract: 本发明提供一种基于PbS量子点和1T‑CrS2的异质结结构、其制备方法及光电探测器，所述异质结结构为PbS/CrS2/衬底的异质结结构，包括：衬底；在所述的衬底上的CrS2层，所述CrS2层材料为1T相结构；在所述的CrS2层上的PbS层，所述PbS层材料为量子点结构。所述PbS表面不存在包覆配体；CrS2层的材料为1T相结构，可以作为载流子有效传输通道；应用于光电探测器时，该探测器中分散的PbS量子点作为感光层、而1T‑CrS2为载流子输运层，具有高响应度、高比探测率、低暗电流、响应速度快等优异特性。本发明异质结结构及其光电探测器的制备方法简单，兼容硅工艺，成本低。

公开(公告)号：CN117423491A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311371135.4

申请日：2023-10-23

Applicant: 浙江大学

Inventor： 张杏堂 ,  王雨微 ,  谢嘉栋 ,  晁清远 ,  徐明生

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/24 ,  H01B13/00 ,  H01B13/30 ,  H01Q9/16 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯导电墨水及其薄膜的制备方法，石墨烯薄膜由以下重量百分比的原料组成：环己酮85～90％、乙基纤维素0.5～1.5％和鳞片石墨7.5～12.5％；该石墨烯薄膜的制备方法具体步骤如下：步骤一：称取原料：依据称量公式称取相应质量原料；步骤二：制备石墨烯墨水：在双层夹套烧杯中放入400ml环己酮，再加入2～6g乙基纤维素粉末，再将双层夹套烧杯放于磁悬搅拌器上搅拌2小时至乙基纤维素完全溶解于环己酮中。本发明能够大大提高石墨烯墨水的电导率，超过市场上现有的石墨烯墨水的电导率，从而可充分提高石墨烯薄膜及偶极子天线的电导率，使得产品的质量得以优化，提高了市场竞争力。