公开(公告)号：CN115084309B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202210713084.8

申请日：2022-06-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐明生 ,  陈叶馨 ,  朱清海

IPC: H10F30/28 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化铂和SOI的光电晶体管、制备方法及其应用，PtSe2/SOI光电晶体管的垂直异质结构和II型能带排列使其在从紫外到近红外的宽光谱范围内表现出优异的光电探测性能，且背栅结构的设计有效促进了光生载流子的分离和传输，从而提高了光电探测器的光响应性能。该光电晶体管的制备方法简单、成本低且兼容硅工艺。由该光电晶体管组成的光电探测器具有可零偏压驱动、高响应率、高探测率、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，为新一代硅基光电探测器铺平了道路。

公开(公告)号：CN115954401A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211681298.8

申请日：2022-12-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐明生 ,  朱清海 ,  陈叶馨

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化铂和锗的异质结及光电探测器、及其制备方法，该异质结及其光电探测器在二硒化铂和锗层之间存在一薄层的超薄绝缘层，该绝缘层能够提高异质结界面势垒，作为隧穿层可以调控电荷输运特性，同时能够钝化锗界面态。为了防止锗衬底在铂薄膜硒化过程中生成硒化锗，本发明还公开了在该异质结结构的锗衬底背面制备绝缘层，从而形成二硒化铂/超薄绝缘层/锗/背面绝缘层的异质结结构。该异质结及其光电探测器的制备方法简单、成本低、兼容硅工艺。由该异质结组成的光电探测器具有可零偏压驱动、高响应率、高探测率、高开关比、低暗电流、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，这为新一代高性能光电探测器铺平了道路。

公开(公告)号：CN115084309A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210713084.8

申请日：2022-06-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐明生 ,  陈叶馨 ,  朱清海

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化铂和SOI的光电晶体管、制备方法及其应用，PtSe2/SOI光电晶体管的垂直异质结构和II型能带排列使其在从紫外到近红外的宽光谱范围内表现出优异的光电探测性能，且背栅结构的设计有效促进了光生载流子的分离和传输，从而提高了光电探测器的光响应性能。该光电晶体管的制备方法简单、成本低且兼容硅工艺。由该光电晶体管组成的光电探测器具有可零偏压驱动、高响应率、高探测率、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，为新一代硅基光电探测器铺平了道路。

公开(公告)号：CN114613911A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210228997.0

申请日：2022-03-08

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐明生 ,  陈叶馨 ,  朱清海

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化钨和IEICO‑4F的异质结结构及光电探测器、及其制备，通过化学气相沉积法在硅衬底上合成单层二硒化钨薄膜，再通过旋涂工艺在二硒化钨薄膜上制备出IEICO‑4F层。该异质结能带呈II型(交错)排列，有利于快速分离因入射光所生成的光生载流子而形成光电流，且随着有机半导体层厚度增加，二硒化钨的光致发光峰显著淬灭，器件表现出更加优异的光响应特性。该异质结及其光电探测器的制备方法简单、成本低、兼容硅工艺。由该异质结结构组成的光电探测器具有高响应率、高探测率、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，这为新一代基于二硒化钨的光电探测器提供新的指导意义。