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公开(公告)号：CN116122296A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211577002.8
申请日：2022-12-09
Applicant: 浙江杭海城际铁路有限公司 , 浙江大学 , 华东交通大学
IPC: E02D17/04 , E02D5/34 , E02D5/46 , G06F30/13 , G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 一种紧邻既有基坑的新建基坑围护结构的施工及设计方法，所述新建基坑围护结构利用紧邻已开挖完成基坑的围护桩作为新建基坑围护桩的一部分；所述围护桩作为已开挖基坑（1）的围护结构，也作为新建基坑（4）的围护结构；所述围护桩与新建基坑的围护结构通过内支撑连接；所述围护桩与已开挖完成的基坑的结构柱通过支撑斜梁连接。本发明提供了共用围护桩斜支撑轴力的设计计算方法。本发明施工方法将临近已开挖完成基坑的围护桩作为新建基坑的围护桩，该共用围护桩（2）与新建基坑围护体系通过水平支撑（3）相连接，与已开挖基坑的结构柱通过支撑斜梁相连接。本发明具有节约成本，方便施工，有利于基坑安全稳定的特点。
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公开(公告)号：CN109840544B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201811566641.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 国网浙江省电力有限公司嘉兴供电公司 , 浙江大学
IPC: G06F18/2134 , G01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种高光谱图像多端元光谱混合分析方法及装置，基于像元端元匹配检测筛选纯像元，以避免对纯像元进行后续复杂的光谱混合分析；利用扩展端元集对混合像元进行全约束光谱混合分析确定初始候选端元子集，以减少后续光谱混合分析的端元组合数；基于分层正交投影的思想，根据混合像元投影残差与端元投影残差的光谱曲线形状相似性，迭代确定各候选端元子集，以提高结果准确性；最后根据重构误差变化量从所有候选端元子集中选取最优端元子集及相应丰度作为混合像元光谱混合分析结果。本发明提出的多端元光谱混合分析方法能够提高光谱混合分析的效率。
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公开(公告)号：CN110363773B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201811557012.9
申请日：2018-12-19
Applicant: 国网浙江省电力有限公司嘉兴供电公司 , 浙江大学
IPC: G06T7/11 , G06V10/74 , G06V10/764
Abstract: 本发明提供一种基于图像处理的电缆类别检测方法和检测系统，可以精确定位电缆导体区域计算电缆导体参数，并且提供一种电缆特征矩阵以及一种相似性距离计算公式来判断电缆类别。所述电缆类别检测方法包括以下步骤：1、在电缆截面图像中筛选出电缆导体像素形成电缆导体二值图像并根据电缆先验知识筛选电缆导体区域；2、根据电缆各导体区域的颜色均值去除孔洞区、保留褪色区和反光区；3、根据电缆导体区域计算电缆导体参数并基于电缆导体参数构建特征矩阵；4、根据特征矩阵计算待测电缆与模板电缆的相似性距离来判断类别。所述的电缆类别检测系统包括图像采集单元、图像处理单元、输出单元。
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公开(公告)号：CN105842637B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610270638.6
申请日：2016-04-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种基于多模干涉光学微腔的超灵敏度磁场传感器。由固定封装在一起的微纳光纤、微管和磁流体构成光学微腔，微纳光纤以螺旋方式缠绕在微管外壁，微管中空，内部封装有磁流体，微纳光纤输入、输出端分别连接宽谱光源和光谱分析仪，微纳光纤缠绕在微管外壁的部分作为光纤环绕区，电磁波在其中可发生多模干涉；电磁波由宽谱光源发出，经微纳光纤传输至光纤环绕区，光纤环绕区中电磁波的倏逝波部分能够穿过微管管壁进入磁流体，经过此光学微腔的电磁波再经微纳光纤输出至光谱分析仪。本发明中设置了将微纳光纤环绕在微管上的结构，大大增加了电磁波与磁流体的接触，从而使其具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN105785287B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610270459.2
申请日：2016-04-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明提供了一种基于光学微腔的超灵敏度磁场传感器。由固定封装在一起的微纳光纤、微管和磁流体而成光学微腔，微纳光纤环绕微管外壁一周，微管内部中空封装有磁流体，微纳光纤输入、出端分别连接宽谱光源和光谱分析仪，微纳光纤缠绕在微管外壁一圈并交叉重叠形成重叠区；电磁波由宽谱光源发出，经微纳光纤传输至光学微腔，再经微纳光纤输出至光谱分析仪。本发明中设置了将微纳光纤围绕微管一圈的结构，大大增加了电磁波与磁流体的接触，从而使其具有更高的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105954689B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610272703.9
申请日：2016-04-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种基于安培力的新型微弱磁场传感器及检测方法。环形器的两个输出端分别与2×2保偏光纤耦合器和光谱分析仪相连，2×2保偏光纤耦合器输出端分别与第一保偏光纤、第二保偏光纤相连接，第一保偏光纤和第二保偏光纤通过90°焊接，第一保偏光纤中的一部分作为磁场感应区，作为磁场感应区中的第一保偏光纤和通电电极通过柔性材料包裹在一起，柔性材料和通电电极构成感应磁场的结构；通电电极受磁场作用产生安培力，间接作用于磁场感应区，保偏光纤产生应力双折射，从而改变干涉光相位差，进而获得磁场的大小。本发明具有制作简单、灵敏度高、成本低、结构和制作工艺简单等优点，提高了可探测的微弱磁场和恶劣环境的抗干扰的能力。
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公开(公告)号：CN109192828A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810948187.6
申请日：2018-08-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提出一种含有AlN复合结构的蓝宝石复合衬底，其包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN复合结构，所述AlN复合结构包括沉积于蓝宝石衬底上的第一AlN层、沉积于所述第一AlN层上的Al2O3层以及沉积于所述Al2O3层上的第二AlN层，所述AlN复合结构的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的一种或多种组合，不仅可以提高GaN材料质量，降低缺陷密度，而且可以提高外延生产效率，实用性强。
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公开(公告)号：CN109148659A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810947300.9
申请日：2018-08-20
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明提出一种提高GaN基LED生产效率的外延结构，所述外延结构包括由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构，且Al2O3缓冲层的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的两种或多种组合。本发明的外延结构在蓝宝石衬底与非故意掺杂高温GaN层之间没有低温GaN或AlN缓冲层，只有Al2O3缓冲层，所述Al2O3缓冲层由非MOCVD方法制备而成，从而提高GaN基LED的生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN105823995B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201610266184.5
申请日：2016-04-26
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种平面任意方向磁场光纤传感器。包括宽谱光源、光纤环形器、光纤起偏器、45°光纤熔点、1x2保偏光纤耦合器、两个压电陶瓷调制器、两个光纤延迟环、两个四分之一波片、两个传感头、光电探测器、两个锁相放大器和信号处理单元。由两路反射式光纤干涉结构组成，两传感头夹角为60°，利用相敏检测原理，通过两个锁相放大器分别解调上下两路干涉仪中由于磁场引起的相位差信息；将两锁相的输出送入信号处理单元进行“相加”和“相减”操作，旋转两个传感头，并使信号处理单元中“相减”输出为0，“相加”输出即为磁场大小，同时根据传感头的旋转角度可确定磁场方向。本发明可测试平面内任意方向磁场大小。
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公开(公告)号：CN105954689A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610272703.9
申请日：2016-04-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R33/02
CPC classification number: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种基于安培力的新型微弱磁场传感器及检测方法。环形器的两个输出端分别与2×2保偏光纤耦合器和光谱分析仪相连，2×2保偏光纤耦合器输出端分别与第一保偏光纤、第二保偏光纤相连接，第一保偏光纤和第二保偏光纤通过90°焊接，第一保偏光纤中的一部分作为磁场感应区，作为磁场感应区中的第一保偏光纤和通电电极通过柔性材料包裹在一起，柔性材料和通电电极构成感应磁场的结构；通电电极受磁场作用产生安培力，间接作用于磁场感应区，保偏光纤产生应力双折射，从而改变干涉光相位差，进而获得磁场的大小。本发明具有制作简单、灵敏度高、成本低、结构和制作工艺简单等优点，提高了可探测的微弱磁场和恶劣环境的抗干扰的能力。
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