公开(公告)号：CN119920686A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510122437.0

申请日：2025-01-26

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 韩智勇 ,  洪秀凤 ,  杨超 ,  胡文 ,  李真宇 ,  文姗

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  B28D5/00 ,  B24B29/02

Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种薄膜及其制备方法。所述方法，包括以下步骤：提供薄膜晶圆，所述薄膜晶圆具有相对的第一表面和第二表面；沿着所述第一表面对所述薄膜晶圆进行减薄，减薄后的薄膜晶圆具有相对的减薄面和第二表面；获取所述减薄后的薄膜晶圆的厚度分布数据，并对减薄后的薄膜晶圆设置预设离子注入基准面；基于所述预设离子注入基准面及所述厚度分布数据，得到对应于所述减薄面的不同位置处的待剥离厚度；自所述减薄面对减薄后的薄膜晶圆进行离子注入，将离子注入到预设离子注入基准面处，所述离子注入的对应于所述减薄面的不同位置处的离子注入能量基于所述减薄面的不同位置处的待剥离厚度确定；对离子注入后的薄膜晶圆自预设离子注入基准面处进行剥离处理，剥离后的薄膜晶圆具有相对的剥离面和第二表面；对剥离面进行抛光，得到所述薄膜。本发明的方法能够制备出厚度可控且厚度均匀性优异、无晶格损伤的高品质薄膜，并且工艺简单，周期较短。

公开(公告)号：CN118448088A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410493094.4

申请日：2024-04-23

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 杨超 ,  胡文 ,  韩智勇 ,  侯文青

IPC: H01B5/14 ,  H01P1/20 ,  H01B13/00 ,  H01P11/00

Abstract: 本申请提供一种用于高性能滤波器的复合薄膜及其制备方法，复合薄膜从下至上依次包括修复层、衬底层以及有源层；其中，衬底层的材质为石英，修复层用于改善衬底层的热膨胀系数。所述制备方法包括：准备衬底晶圆；在衬底晶圆的一侧制备修复层；在衬底晶圆的另一侧制备有源层，得到薄膜中间体；对薄膜中间体退火处理，得到复合薄膜。本申请制备复合薄膜的过程中无需进行硅材质提纯、硅衬底多步清洗以及多晶硅生长工艺制作缺陷层等步骤，大大简化了复合薄膜的制备过程；其次，石英本身是绝缘材料，从而能够避免复合薄膜中产生寄生导电效应，降低损耗，通过在石英衬底层下方制备修复层，调节衬底层热膨胀系数和热导率，从而保证不发生裂片。

公开(公告)号：CN117497477A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311251407.7

申请日：2023-09-26

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 刘桂银 ,  胡文 ,  张秀全 ,  杨超 ,  刘亚明

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/477

Abstract: 本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，对功能注入片进行第一次退火处理，待功能注入片与衬底键合后再进行第二次退火处理使注入层断裂，薄膜层转移至衬底上，形成复合薄膜。在第一次退火处理时可使功能注入片的注入层内的离子产生气泡，从而使第二次退火处理时，可以相对较低的温度使注入层断裂，完成键合体的分离工作，避免现有技术中因高温以及退火处理时间较长导致的键合体破裂问题的发生。

公开(公告)号：CN110828653B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201911016607.8

申请日：2019-10-24

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 李真宇 ,  胡文 ,  张秀全 ,  罗具廷

IPC: H10N30/00 ,  H10N30/50 ,  H10N30/01 ,  H10N30/045

Abstract: 公开了一种压电复合薄膜及其制备方法，所述方法包括：准备预压电复合薄膜，预压电复合薄膜包括顺序堆叠的衬底、隔离层和压电晶体薄膜层；对压电晶体薄膜层执行离子注入工艺，其中，注入离子穿过压电晶体薄膜层并停留在隔离层中，以使压电晶体薄膜层的注入离子所穿过的区域的极化方向反转；以及在注入离子工艺之后对预压电复合薄膜执行退火工艺，以获得压电复合薄膜。

公开(公告)号：CN116779419A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310759448.0

申请日：2023-06-26

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 杨超 ,  胡文 ,  刘亚明 ,  张秀全 ,  李真宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括依次层叠设置的陶瓷基板、隔离层和有源层；其中，陶瓷基板的材质包括尖晶石、氧化铝、氧化镁、莫来石、堇青石、氧化钙、二氧化钛、氮化铝、二氧化硅、氮化硅和碳化硅中的至少一者。由于陶瓷基板中具有空位缺陷，能够捕获载流子，避免载流子移动至与隔离层接触的表面，进而避免复合薄膜发生表面寄生电导效应，解决了现有技术中具有硅材质的衬底层的复合薄膜易发生表面寄生电导效应的问题。另外，本申请的陶瓷基板的价格相较现有技术中的硅材质的衬底层价格低，即，在提高复合薄膜性能的同时，降低了复合薄膜的生产成本。

公开(公告)号：CN116390624A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310175806.3

申请日：2023-02-28

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 刘桂银 ,  张秀全 ,  胡卉 ,  胡文

IPC: H10N30/072 ,  C23C14/48 ,  C23C14/10 ,  C23C14/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/24 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  C23C16/56 ,  H10N30/088 ,  H10N30/092 ,  H10N30/85

Abstract: 本申请提供一种复合薄膜及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底基板和功能注入片，功能注入片包括依次层叠的余质层、注入层和薄膜层；在薄膜层和衬底基板中的至少一者表面上进行第一图形切割，以在薄膜层和衬底基板的至少一者上形成切割通道，且与外界连通；使得键合过程中产生的气泡从切割通道中离开，并得到键合体；对键合体进行热处理，使余质层沿注入层从键合体中剥离，将薄膜层转移至衬底基板上，得到复合薄膜。本申请的复合薄膜通过在键合前，对衬底基板和/或薄膜层进行图形切割，使得气泡会从切割后的图形通道中被赶出键合界面，解决了键合界面存在气泡的缺陷，避免影响复合薄膜的性能需求。

公开(公告)号：CN116065127A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310041547.5

申请日：2023-01-11

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 王金翠 ,  连坤 ,  张涛 ,  董玉爽 ,  李慧青 ,  胡卉 ,  胡文

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本申请实施例提供一种复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括衬底基板、第一隔离层、第二隔离层和功能薄膜层，所述第一隔离层、所述第二隔离层和所述功能薄膜层自下而上依次层叠设置于所述衬底基板的表面，且所述第一隔离层和所述第二隔离层的材质相同，所述第二隔离层的直径小于所述第一隔离层的直径。本申请会使得第一隔离层与第二隔离层之间的键合力更强，使衬底基板与功能基板所形成的键合体具有更好的键合效果，进而使得从键合体中剥离形成的复合薄膜具有更好的结构强度和稳定性。

公开(公告)号：CN115207206A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202211125224.6

申请日：2022-09-16

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 胡文 ,  胡卉 ,  李真宇 ,  张秀全 ,  刘亚明

IPC: H01L41/253 ,  H01L41/312 ,  H01L41/08 ,  C30B31/22 ,  C30B33/02

Abstract: 本申请属于半导体材料领域，具体提供一种近化学计量比复合薄膜及其制备方法，所述制备方法在进行离子注入分离后，采用两步退火法对剥离所得单晶复合薄膜进行退火处理，并且，在退火前在压电薄膜的表面设置隔离层，从而一方面降低单晶压电薄膜的锂损失，另一方面抑制在退火过程中，由单晶压电薄膜分解所得氧化锂的外逸，进而使制得的单晶压电薄膜中的压电材料保持近化学计量比。

公开(公告)号：CN114496733B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210392221.2

申请日：2022-04-15

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 杨超 ,  李真宇 ,  胡卉 ,  胡文 ,  孔霞 ,  刘亚明

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/46 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请公开一种高电阻率复合衬底、制备方法及电子元器件，属于半导体技术领域，在衬底层上制备第一厚度的多晶硅层；在多晶硅层上制备吸杂层，得到预制备体，其中，吸杂层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；对预制备体进行退火处理，使预制备体内杂质由第一界面向第二界面方向迁移；去除吸杂层以及第二厚度的多晶硅层，使剩余的多晶硅层的厚度满足目标厚度要求，得到复合衬底。通过吸杂层与高温退火相结合的方式，激活衬底层与多晶硅界面处的杂质，并使杂质迁移至吸杂层与多晶硅层界面附近，然后通过去除吸杂层与靠近吸杂层附近的一部分多晶硅层的方式移除衬底层与多晶硅层界面的杂质，获得具有低损耗、高电阻率的复合衬底。

公开(公告)号：CN114778567A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210523527.7

申请日：2022-05-13

Applicant: 济南晶正电子科技有限公司

Inventor： 陈明珠 ,  李真宇 ,  胡卉 ,  胡文 ,  孔霞 ,  郑姗姗

IPC: G01N22/00

Abstract: 本申请公开了一种射频损耗的无损检测系统及方法，微波发射装置包括依次设置的微波发射器、微波调制器以及微波聚焦器，微波发射器所射出的微波经过微波调制器和微波聚焦器照射至样品台上的待检测样品；探测波发射装置包括依次设置的探测波发射器、探测波调制器以及探测波聚焦器，探测波发射器所射出的探测波经过探测波调制器和探测波聚焦器照射至待检测样品；探测波照射至所述待检测样品上所射出的光信号经由光接收装置转化为电学信号，测量装置根据电学信号对待检测样品进行检测。本申请中的检测方式具有非接触和无损的特点，避免对压电薄膜材料进行加工成器件后再进行射频损耗检测的传统破坏性检验，降低时间和经济成本，提高研发生产效率。