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公开(公告)号：CN117003286A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310625588.9
申请日：2023-05-30
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于半导体显示与照明材料技术领域，具体涉及一种HXMoO3纳米颗粒溶液及其制备方法和应用、量子点发光二极管。本发明的HXMoO3纳米颗粒溶液的制备方法，基于钼粉与双氧水的氧化反应，在醇类溶剂的作用下，采用对反应后的体系进行过滤、蒸干、分散、离心的提纯过程，能够消除氧化反应残留的钼粉及双氧水，并实现粒径均匀、分布均匀且薄膜具有高导电性及高透过率的HXMoO3纳米颗粒溶液的制备。采用该溶液制备所得HXMoO3纳米颗粒薄膜具有出色的光电性能及极高的稳定性，作为量子点发光二极管的空穴注入层时，器件的亮度和外量子效率高，且使用寿命大幅度提高，适于量子点发光二极管使用。
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公开(公告)号：CN110729405A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910891476.1
申请日：2019-09-20
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件及其制备方法。本发明通过在V2O5中掺杂Ti制备Ti-V2O5溶液，将Ti-V2O5溶液旋涂于ITO基片上，形成薄膜层作为正置型QLED器件的空穴注入层，并对掺杂比例、旋涂时的转速以及臭氧时间进行优化，制备得到基于Ti掺杂V2O5空穴注入层的QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。所述QLED器件由于掺杂Ti可以使V2O5的导带位置下移，降低了空穴注入势垒，有利于空穴注入层中空穴的注入，所制备QLED器件的参数中，最大电流效率为52.28 cd/A，EQE为13.35%。
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公开(公告)号：CN113594382A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110219357.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于双层空穴注入层的正型QLED器件及其制备方法，涉及发光二极管技术领域。本发明提供的正型QLED器件包括：带ITO透明电极的玻璃基底和由下而上依次设置在所述ITO透明电极表面的第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层；所述第一空穴注入层和第二空穴注入层分别为NiO层和PEDOT:PSS层。本发明提供的正型QLED器件采用NiO/PEDOT:PSS双层空穴注入层，不仅能够解决对ITO电极的腐蚀问题，还能够有效降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率，平衡载流子，进而提高正型QLED器件的效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN110729406B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910891481.2
申请日：2019-09-20
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法。本发明通过将V2O5的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备V2O5‑PEDOT:PSS溶液并将其旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上形成薄膜作为混合空穴注入层，制备得到混合空穴注入层QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。通过试验测定，所述QLED器件构筑过程重复性良好，最大电流效率的平均值为55.51 cd/A，标准偏差为2.59 cd/A，所述QLED器件的寿命为9051 h，与未引入V2O5，即只具有PEDOT:PSS空穴注入层的QLED器件相比，提高了3.15倍。
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公开(公告)号：CN111740025A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010805012.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开一种基于钒掺杂氧化钼的QLED器件及其制备方法，涉及量子点发光二极管技术领域，器件包括由上而下依次设置的阴极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；阴极层用于产生电子；电子传输层用于使电子传输至量子点发光层；量子点发光层为电子和空穴的复合区，用于载流子的复合发光；空穴注入层用于使空穴从阴极层注入空穴传输层；空穴传输层用于使空穴传输至量子点发光层；阳极层为基底；空穴注入层包括钒掺杂氧化钼薄膜以及设置于钒掺杂氧化钼薄膜上部的聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐薄膜。本发明可以提高氧化钼薄膜的电荷传输特性，有利于器件中电子-空穴注入平衡。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111697150A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010801996.1
申请日：2020-08-11
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法。本发明选择具有无毒﹑高功函数﹑良好环境稳定性的MoOX薄膜为空穴注入层，通过对MoOx薄膜进行厚度﹑退火温度﹑UV-O3处理等实验参数的优化，获得基于MoOx混合空穴注入层的QLED器件，通过对器件性能进行表征，结果表明，当前驱体浓度为6%w/v，退火温度为130℃，UV-O3处理时间为10 min时，所获得的器件性能最佳，最高亮度达229400 cd/m2，最大电流效率和最大外量子效率分别为41.75 cd/A和9.70%。
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公开(公告)号：CN101587938B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200910065098.8
申请日：2009-06-02
Applicant: 河南大学
IPC: H01L51/00 , H01L51/56 , H01L51/54 , H01L51/40 , H01L51/30 , H01L51/48 , H01L51/46 , C07D495/14 , C09K11/06
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于有机光电子器件领域，特别涉及并三噻吩二羧酸单分子层及其制备方法。配制并三噻吩二羧酸溶于二甲基亚砜的浓度为10-6mol·L-1的溶液，然后滴于新解理的云母基片上；于密闭环境中干燥后即得所述并三噻吩二羧酸单分子层。本发明是首次制备并三噻吩二羧酸单分子层；且该单分子层的制备方法操作简单、方便，利于该两种化合物在有机光电子器件中的器件化。
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公开(公告)号：CN110311058B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910486479.7
申请日：2019-06-05
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法。本发明通过将AZO替代ITO作为正型QLED器件的阳极材料，通过射频磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极，并对溅射功率和溅射压强进行优化，最终制备得到基于AZO电极的QLED器件，本发明中AZO透明导电薄膜材料来源丰富、廉价且无毒，AZO电极的功函数高达5.0 eV左右，有利于降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。本发明中最终制备得到的基于AZO电极的QLED器件的参数中，最大亮度为102500 cd/m2，最大电流效率为51.75 cd/A，最大外量子率（EQE）为12.94%。
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公开(公告)号：CN110729405B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910891476.1
申请日：2019-09-20
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件及其制备方法。本发明通过在V2O5中掺杂Ti制备Ti‑V2O5溶液，将Ti‑V2O5溶液旋涂于ITO基片上，形成薄膜层作为正置型QLED器件的空穴注入层，并对掺杂比例、旋涂时的转速以及臭氧时间进行优化，制备得到基于Ti掺杂V2O5空穴注入层的QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。所述QLED器件由于掺杂Ti可以使V2O5的导带位置下移，降低了空穴注入势垒，有利于空穴注入层中空穴的注入，所制备QLED器件的参数中，最大电流效率为52.28 cd/A，EQE为13.35%。
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公开(公告)号：CN110729406A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910891481.2
申请日：2019-09-20
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法。本发明通过将V2O5的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备V2O5-PEDOT:PSS溶液并将其旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上形成薄膜作为混合空穴注入层，制备得到混合空穴注入层QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。通过试验测定，所述QLED器件构筑过程重复性良好，最大电流效率的平均值为55.51 cd/A，标准偏差为2.59 cd/A，所述QLED器件的寿命为9051 h，与未引入V2O5，即只具有PEDOT:PSS空穴注入层的QLED器件相比，提高了3.15倍。
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