公开(公告)号：CN110729405A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910891476.1

申请日：2019-09-20

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  蒋晓红 ,  马玉婷 ,  田雨

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件及其制备方法。本发明通过在V2O5中掺杂Ti制备Ti-V2O5溶液，将Ti-V2O5溶液旋涂于ITO基片上，形成薄膜层作为正置型QLED器件的空穴注入层，并对掺杂比例、旋涂时的转速以及臭氧时间进行优化，制备得到基于Ti掺杂V2O5空穴注入层的QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。所述QLED器件由于掺杂Ti可以使V2O5的导带位置下移，降低了空穴注入势垒，有利于空穴注入层中空穴的注入，所制备QLED器件的参数中，最大电流效率为52.28 cd/A，EQE为13.35%。

公开(公告)号：CN110729405B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910891476.1

申请日：2019-09-20

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  蒋晓红 ,  马玉婷 ,  田雨

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于钛掺杂五氧化二钒空穴注入层的正置型QLED器件及其制备方法。本发明通过在V2O5中掺杂Ti制备Ti‑V2O5溶液，将Ti‑V2O5溶液旋涂于ITO基片上，形成薄膜层作为正置型QLED器件的空穴注入层，并对掺杂比例、旋涂时的转速以及臭氧时间进行优化，制备得到基于Ti掺杂V2O5空穴注入层的QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。所述QLED器件由于掺杂Ti可以使V2O5的导带位置下移，降低了空穴注入势垒，有利于空穴注入层中空穴的注入，所制备QLED器件的参数中，最大电流效率为52.28 cd/A，EQE为13.35%。