公开(公告)号：CN110311058B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201910486479.7

申请日：2019-06-05

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  刘果 ,  蒋晓红 ,  王啊强

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法。本发明通过将AZO替代ITO作为正型QLED器件的阳极材料，通过射频磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极，并对溅射功率和溅射压强进行优化，最终制备得到基于AZO电极的QLED器件，本发明中AZO透明导电薄膜材料来源丰富、廉价且无毒，AZO电极的功函数高达5.0 eV左右，有利于降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。本发明中最终制备得到的基于AZO电极的QLED器件的参数中，最大亮度为102500 cd/m2，最大电流效率为51.75 cd/A，最大外量子率（EQE）为12.94%。

公开(公告)号：CN110729406A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910891481.2

申请日：2019-09-20

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  蒋晓红 ,  刘果 ,  王啊强

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法。本发明通过将V2O5的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备V2O5-PEDOT:PSS溶液并将其旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上形成薄膜作为混合空穴注入层，制备得到混合空穴注入层QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。通过试验测定，所述QLED器件构筑过程重复性良好，最大电流效率的平均值为55.51 cd/A，标准偏差为2.59 cd/A，所述QLED器件的寿命为9051 h，与未引入V2O5，即只具有PEDOT:PSS空穴注入层的QLED器件相比，提高了3.15倍。

公开(公告)号：CN110311058A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910486479.7

申请日：2019-06-05

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  刘果 ,  蒋晓红 ,  王啊强

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法。本发明通过将AZO替代ITO作为正型QLED器件的阳极材料，通过射频磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极，并对溅射功率和溅射压强进行优化，最终制备得到基于AZO电极的QLED器件，本发明中AZO透明导电薄膜材料来源丰富、廉价且无毒，AZO电极的功函数高达5.0 eV左右，有利于降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。本发明中最终制备得到的基于AZO电极的QLED器件的参数中，最大亮度为102500 cd/m2，最大电流效率为51.75 cd/A，最大外量子率（EQE）为12.94%。

公开(公告)号：CN110729406B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910891481.2

申请日：2019-09-20

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  蒋晓红 ,  刘果 ,  王啊强

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法。本发明通过将V2O5的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备V2O5‑PEDOT:PSS溶液并将其旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上形成薄膜作为混合空穴注入层，制备得到混合空穴注入层QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。通过试验测定，所述QLED器件构筑过程重复性良好，最大电流效率的平均值为55.51 cd/A，标准偏差为2.59 cd/A，所述QLED器件的寿命为9051 h，与未引入V2O5，即只具有PEDOT:PSS空穴注入层的QLED器件相比，提高了3.15倍。