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公开(公告)号：CN113848600B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111106317.X
申请日：2021-09-22
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于显示照明技术领域，尤其涉及微透镜阵列模板及制备方法、散射型微透镜、衬底及制备方法和应用、量子点发光二极管。本发明提供的凹形微透镜阵列模板，所述凹形为透明阵列模板为聚苯乙烯凹形微透镜阵列模板、聚二甲基硅氧烷凹形微透镜阵列模板或耐冲击聚苯乙烯凹形微透镜阵列模板，所述凹形微透镜阵列模板的表面为类半球形阵列，所述类半球形的直径独立的≥5μm，所述类半球形的顶点高度独立的≥2μm。以本发明提供的凹形微透镜阵列模板得到的散射型微透镜单使用能够有效提高QLED的出高效率，QLED结构简单。
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公开(公告)号：CN111816794B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910284885.5
申请日：2019-04-10
Applicant: 河南大学
Abstract: 一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；（2）在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；（3）在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；（4）在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；（5）在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly‑TPD、TCTA、CBP中的一种或多种，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；（5）蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。
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公开(公告)号：CN113848600A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111106317.X
申请日：2021-09-22
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于显示照明技术领域，尤其涉及微透镜阵列模板及制备方法、散射型微透镜、衬底及制备方法和应用、量子点发光二极管。本发明提供的凹形微透镜阵列模板，所述凹形为透明阵列模板为聚苯乙烯凹形微透镜阵列模板、聚二甲基硅氧烷凹形微透镜阵列模板或耐冲击聚苯乙烯凹形微透镜阵列模板，所述凹形微透镜阵列模板的表面为类半球形阵列，所述类半球形的直径独立的≥5μm，所述类半球形的顶点高度独立的≥2μm。以本发明提供的凹形微透镜阵列模板得到的散射型微透镜单使用能够有效提高QLED的出高效率，QLED结构简单。
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公开(公告)号：CN110120461A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910297325.3
申请日：2019-04-15
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供了一种复合结构增强的QLED器件及其制备方法，通过纳米网格结构复合褶皱结构构筑的微纳米结构复合结构来提高正型QLED器件出光效率。构筑复合结构基于纳米压印技术、微贴附技术以及表面等离子体刻蚀技术，包括纳米压印模板的制备以及对转移后的图案再次进行处理。本发明通过纳米压印技术使IPS聚合物作为纳米压印的模板，并通过微贴附技术将模板图案转移至PDMS介质层上，再以此为基础，采用表面等离子体刻蚀技术在玻璃基底上构筑复合结构增强QLED基底出光。本发明的复合结构增强的QLED器件可以拥有最高的亮度与效率，亮度和EQE较常规器件最高均提升了46%；复合结构的构筑方式简单、成本低廉，有利于产业化的推广应用。
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公开(公告)号：CN110311058B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910486479.7
申请日：2019-06-05
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法。本发明通过将AZO替代ITO作为正型QLED器件的阳极材料，通过射频磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极，并对溅射功率和溅射压强进行优化，最终制备得到基于AZO电极的QLED器件，本发明中AZO透明导电薄膜材料来源丰富、廉价且无毒，AZO电极的功函数高达5.0 eV左右，有利于降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。本发明中最终制备得到的基于AZO电极的QLED器件的参数中，最大亮度为102500 cd/m2，最大电流效率为51.75 cd/A，最大外量子率（EQE）为12.94%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110120461B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910297325.3
申请日：2019-04-15
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供了一种复合结构增强的QLED器件及其制备方法，通过纳米网格结构复合褶皱结构构筑的微纳米结构复合结构来提高正型QLED器件出光效率。构筑复合结构基于纳米压印技术、微贴附技术以及表面等离子体刻蚀技术，包括纳米压印模板的制备以及对转移后的图案再次进行处理。本发明通过纳米压印技术使IPS聚合物作为纳米压印的模板，并通过微贴附技术将模板图案转移至PDMS介质层上，再以此为基础，采用表面等离子体刻蚀技术在玻璃基底上构筑复合结构增强QLED基底出光。本发明的复合结构增强的QLED器件可以拥有最高的亮度与效率，亮度和EQE较常规器件最高均提升了46%；复合结构的构筑方式简单、成本低廉，有利于产业化的推广应用。
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公开(公告)号：CN111816794A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201910284885.5
申请日：2019-04-10
Applicant: 河南大学
Abstract: 一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；（2）在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；（3）在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；（4）在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；（5）在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一种或多种，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；（5）蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。
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公开(公告)号：CN110729406A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910891481.2
申请日：2019-09-20
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种混合空穴注入层QLED器件及其制备方法。本发明通过将V2O5的前驱体溶液和PEDOT:PSS混合制备V2O5-PEDOT:PSS溶液并将其旋涂在铝掺杂氧化锌AZO透明电极上形成薄膜作为混合空穴注入层，制备得到混合空穴注入层QLED器件，并对所制备的QLED器件性能进行检测。通过试验测定，所述QLED器件构筑过程重复性良好，最大电流效率的平均值为55.51 cd/A，标准偏差为2.59 cd/A，所述QLED器件的寿命为9051 h，与未引入V2O5，即只具有PEDOT:PSS空穴注入层的QLED器件相比，提高了3.15倍。
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公开(公告)号：CN110311058A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910486479.7
申请日：2019-06-05
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法。本发明通过将AZO替代ITO作为正型QLED器件的阳极材料，通过射频磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极，并对溅射功率和溅射压强进行优化，最终制备得到基于AZO电极的QLED器件，本发明中AZO透明导电薄膜材料来源丰富、廉价且无毒，AZO电极的功函数高达5.0 eV左右，有利于降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。本发明中最终制备得到的基于AZO电极的QLED器件的参数中，最大亮度为102500 cd/m2，最大电流效率为51.75 cd/A，最大外量子率（EQE）为12.94%。
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公开(公告)号：CN117241643A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311115399.3
申请日：2023-08-31
Applicant: 河南大学
IPC: H10K71/30 , H10K50/165 , H10K50/16 , H10K50/115 , H10K71/12
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种界面修饰的ZnO基QLED电子传输层及其修饰方法、QLED器件。本发明通过大量试验并进行反复摸索与验证总结，首次发现水在ZnO基电子传输层修饰中的特殊作用，并验证了水作为ZnO基表面活性修饰剂的合理性。试验证实，微量水作为表面活性修饰剂制得的QLED器件的电子传输能力、载流子的注入、电流密度均有所增加，器件整体电阻明显降低、亮度显著提升。且水作为ZnO基表面活性修饰剂只存在于ZnO基电子传输层与阴极界面之间，也不会对器件的其他性能产生不良影响，适用于高性能QLED器件的制备应用。
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