公开(公告)号：CN111816794A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201910284885.5

申请日：2019-04-10

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  王书杰 ,  张梦华 ,  王啊强 ,  方岩

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；（2）在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；（3）在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；（4）在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；（5）在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一种或多种，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；（5）蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。

公开(公告)号：CN111816794B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201910284885.5

申请日：2019-04-10

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  王书杰 ,  张梦华 ,  王啊强 ,  方岩

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；（2）在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；（3）在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；（4）在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；（5）在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly‑TPD、TCTA、CBP中的一种或多种，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；（5）蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。