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公开(公告)号：CN120076682A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510275728.3
申请日：2025-03-10
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开一种直接光刻量子点图案化方法及其制得的QLED器件，属于量子点（QD）纳米技术领域，通过在甲苯QD溶液中加入空穴传输材料poly((9,9‑dioctylfluorenyl‑2,7‑diyl)‑alt‑(9‑(2‑ethylhexyl) ‑carbazole‑3,6‑diyl))（PF8Cz）和光引发剂二苯甲酮（BP）或双二苯甲酮（BPBP），使QD混合溶液具有光敏特性，选择性曝光，改变QD在原溶液中的溶解度，再进行显影，从而实现QD直接光刻图案化，得到高分辨率和高精度的QD图案，并制备出性能良好的图案化QLED器件。其主要反应机理在于BP或BPBP经紫外曝光后，分子中的C=O转化为活性自由基，并与PF8Cz中的烷基支链发生交联发应，形成交联网络，进而将曝光区域QD固定下来，形成QD图案。这种图案化方式不需要量子点配体的参与，减少了量子点配体脱落风险，能够降低光刻过程对QD发光性能的损伤。
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公开(公告)号：CN115124746B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210799275.0
申请日：2022-07-06
Applicant: 河南大学
IPC: C08J5/18 , C08L81/02 , C08K9/04 , C08K3/16 , C08K3/30 , C08G75/045 , C09K11/88 , C09K11/66 , C09K11/02
Abstract: 本发明属于量子点光学膜领域，具体涉及一种紫外光固化共聚型量子点光学膜及其制备方法。本发明的制备方法，包括以下步骤：1)将端基含巯基的星型有机分子、异氰脲酸三烯丙酯混合均匀，得到弹性体，然后加入阻聚剂、紫外光引发剂混合均匀，得到预聚物；2)将含烯酸配体的量子点粉末与预聚物在避光条件下混合均匀，得到预固化胶水；3)将预固化胶水制膜，然后在紫外光辐照下固化，即得。本发明中，弹性体不同单体之间及弹性体与量子点之间均通过硫醇‑烯烃的点击反应进行共聚生长，并且采用紫外光引发固化。该制备方法简单、成本低廉，同时制备得到的光学膜具有宽的色域和良好的湿度稳定性，在显示领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112908728B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110053960.4
申请日：2021-01-15
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供了一种双阴离子掺杂聚吡咯电极片及其制备方法、超级电容器，属于电化学技术领域。本发明采用特定种类的一价阴离子进行掺杂，在聚吡咯中引入大体积阴离子，构建通畅的离子传输通道，可拓宽聚吡咯的电化学活性电压窗口；制备成电极片之后将所述电极片浸入到含有高价阴离子掺杂剂的溶液中，进行电化学循环，在电化学循环过程中，大体积刚性高价阴离子部分取代一价阴离子，使得一价阴离子掺杂引入的通道被固定，可减少电化学过程中活性材料的体积变化，提高聚吡咯基对称超级电容器的能量密度、功率密度和循环寿命。
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公开(公告)号：CN110120461B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910297325.3
申请日：2019-04-15
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供了一种复合结构增强的QLED器件及其制备方法，通过纳米网格结构复合褶皱结构构筑的微纳米结构复合结构来提高正型QLED器件出光效率。构筑复合结构基于纳米压印技术、微贴附技术以及表面等离子体刻蚀技术，包括纳米压印模板的制备以及对转移后的图案再次进行处理。本发明通过纳米压印技术使IPS聚合物作为纳米压印的模板，并通过微贴附技术将模板图案转移至PDMS介质层上，再以此为基础，采用表面等离子体刻蚀技术在玻璃基底上构筑复合结构增强QLED基底出光。本发明的复合结构增强的QLED器件可以拥有最高的亮度与效率，亮度和EQE较常规器件最高均提升了46%；复合结构的构筑方式简单、成本低廉，有利于产业化的推广应用。
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公开(公告)号：CN111816794A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201910284885.5
申请日：2019-04-10
Applicant: 河南大学
Abstract: 一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；（2）在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；（3）在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；（4）在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；（5）在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一种或多种，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；（5）蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101559921B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910065097.3
申请日：2009-06-02
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于低维纳米材料和纳米技术领域，特别公开了一种气相沉积制备二氧化锡纳米带的方法和装置。本发明是将锡盐、柠檬酸、乙二醇三者以一定的比例混合溶解在水中搅拌形成溶胶，加热形成凝胶，裂解形成复合前驱体，研成粉末，移入陶瓷舟中，在管式电阻炉中升温，加热，反应，用惰性气作为输运气体，冷却，用硅片作为基底收集产物即得二氧化锡纳米带。本发明方法因其工艺步骤少，所以工艺简单、操作简便，可控性高；本发明方法对实验装置要求低，成本低，工业化价值高；本发明方法制备的二氧化锡纳米带为四方金红石型结构，结晶性好。
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公开(公告)号：CN117241643A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311115399.3
申请日：2023-08-31
Applicant: 河南大学
IPC: H10K71/30 , H10K50/165 , H10K50/16 , H10K50/115 , H10K71/12
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种界面修饰的ZnO基QLED电子传输层及其修饰方法、QLED器件。本发明通过大量试验并进行反复摸索与验证总结，首次发现水在ZnO基电子传输层修饰中的特殊作用，并验证了水作为ZnO基表面活性修饰剂的合理性。试验证实，微量水作为表面活性修饰剂制得的QLED器件的电子传输能力、载流子的注入、电流密度均有所增加，器件整体电阻明显降低、亮度显著提升。且水作为ZnO基表面活性修饰剂只存在于ZnO基电子传输层与阴极界面之间，也不会对器件的其他性能产生不良影响，适用于高性能QLED器件的制备应用。
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公开(公告)号：CN116731703A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310803702.2
申请日：2023-06-30
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于半导体钙钛矿量子点合成技术领域，具体涉及一种核壳结构的CsPbBr3钙钛矿量子点及其合成方法、应用。本发明的核壳结构的CsPbBr3钙钛矿量子点的合成方法，以配体辅助金属盐溶于非极性溶剂中，通过过饱和结晶析出端烯烃的CsPbBr3钙钛矿量子点，然后通过交联分子四(3‑巯基丙酸)季戊四醇酯与CsPbBr3钙钛矿量子点表面烯烃的点击反应，生成有机交联分子层作为CsPbBr3钙钛矿量子点的包壳的量子点。由于量子点具有无机钙钛矿晶核与有机配体壳的核壳结构，能够赋予CsPbBr3钙钛矿量子点以优良的荧光量子产率和结构稳定性，十分符合新一代高效照明与显示对钙钛矿量子点材料的制备和应用需求。
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公开(公告)号：CN113451519A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010667177.2
申请日：2020-07-13
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法，本发明通过纳米压印技术使刻蚀后带有纳米褶皱结构的聚二甲基硅氧烷柔性模板作为纳米压印的母模板，将母模板的图案转移至量子点发光二极管器件的PEDOT：PSS层上，形成带有第一纳米褶皱结构的PEDOT：PSS层，PEDOT：PSS层能定向地将光发散，使量子点发光二极管器件发出的光更趋近于朗伯发射，使量子点发光二极管器件内部的波导光得到抑制，第一纳米褶皱结构重新将光定向发射到玻璃基板外部，释放了量子点发光二极管器件内部的被捕获的光子，解决了传统的量子点发光二极管存在大量的光子被捕获在量子点发光二极管器件内部的问题。
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公开(公告)号：CN109468127A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811228422.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供了一种非闪烁量子点，采用所述非闪烁量子点制备得到的发光二极管红色的最大亮度大于180000cd/m2，绿色亮度范围大于200000cd/m2，蓝色亮度范围大于10000万cd/m2，红色电流效率为15～40cd/A，绿色电流效率为90～150cd/A，蓝色电流效率为1～20cd/A；红色外量子效率为18～30％，绿色外量子效率为18～30％，蓝色外量子效率为6～22％，对应最大电流效率或外量子效率时红、绿、蓝发光二极管对应的亮度分别为70000～100000cd/m2、70000～200000cd/m2、3000～40000cd/m2。
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