公开(公告)号：CN120076682A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510275728.3

申请日：2025-03-10

Applicant: 河南大学

Inventor： 王书杰 ,  邹世界 ,  代胜歌 ,  申怀彬

IPC: H10K71/12 ,  G03F7/20 ,  G09F9/33 ,  H10K71/15 ,  H10K50/115 ,  H10K50/11 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16

Abstract: 本发明公开一种直接光刻量子点图案化方法及其制得的QLED器件，属于量子点（QD）纳米技术领域，通过在甲苯QD溶液中加入空穴传输材料poly((9,9‑dioctylfluorenyl‑2,7‑diyl)‑alt‑(9‑(2‑ethylhexyl) ‑carbazole‑3,6‑diyl))（PF8Cz）和光引发剂二苯甲酮（BP）或双二苯甲酮（BPBP），使QD混合溶液具有光敏特性，选择性曝光，改变QD在原溶液中的溶解度，再进行显影，从而实现QD直接光刻图案化，得到高分辨率和高精度的QD图案，并制备出性能良好的图案化QLED器件。其主要反应机理在于BP或BPBP经紫外曝光后，分子中的C=O转化为活性自由基，并与PF8Cz中的烷基支链发生交联发应，形成交联网络，进而将曝光区域QD固定下来，形成QD图案。这种图案化方式不需要量子点配体的参与，减少了量子点配体脱落风险，能够降低光刻过程对QD发光性能的损伤。