公开(公告)号：CN111740025A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010805012.7

申请日：2020-08-12

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  蒋晓红 ,  王安珍 ,  王啊强

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开一种基于钒掺杂氧化钼的QLED器件及其制备方法，涉及量子点发光二极管技术领域，器件包括由上而下依次设置的阴极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层；阴极层用于产生电子；电子传输层用于使电子传输至量子点发光层；量子点发光层为电子和空穴的复合区，用于载流子的复合发光；空穴注入层用于使空穴从阴极层注入空穴传输层；空穴传输层用于使空穴传输至量子点发光层；阳极层为基底；空穴注入层包括钒掺杂氧化钼薄膜以及设置于钒掺杂氧化钼薄膜上部的聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐薄膜。本发明可以提高氧化钼薄膜的电荷传输特性，有利于器件中电子-空穴注入平衡。

公开(公告)号：CN111697150A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010801996.1

申请日：2020-08-11

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  蒋晓红 ,  王安珍

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法。本发明选择具有无毒﹑高功函数﹑良好环境稳定性的MoOX薄膜为空穴注入层，通过对MoOx薄膜进行厚度﹑退火温度﹑UV-O3处理等实验参数的优化，获得基于MoOx混合空穴注入层的QLED器件，通过对器件性能进行表征，结果表明，当前驱体浓度为6%w/v，退火温度为130℃，UV-O3处理时间为10 min时，所获得的器件性能最佳，最高亮度达229400 cd/m2，最大电流效率和最大外量子效率分别为41.75 cd/A和9.70%。