公开(公告)号：CN112376113B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202011167874.8

申请日：2020-10-28

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘新胜 ,  刘永军 ,  刘景玲 ,  李二浩 ,  庄玉君 ,  程轲 ,  杜祖亮

IPC: C30B29/46 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C30B1/02 ,  C30B28/02 ,  C25B11/087 ,  C25B1/55 ,  C25B1/02

Abstract: 本发明公开一种硒化锑晶体、其制备方法及应用。本发明通过磁控溅射法制备硒化锑非晶预制层，硒化时将硒源和预制层分别置于双温区快速退火炉的两端，调节载气流量、硒化气压和双温区快速退火炉两端的升温程序，使硒化气压远低于硒源温度下单质硒的饱和蒸汽压，提高硒化时的硒通量，得到一个沿（hk0）取向生长的大晶粒硒化锑晶体。采用本发明的方法制备的硒化锑晶体沿（hk0）取向生长且具有较大的晶粒，有效避免了晶界和悬挂键对载流子传输的影响，提高了在特定方向上载流子的传输速率，能够有效提高光电化学产氢效率，在光电化学领域具有广泛应用。

公开(公告)号：CN112376113A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011167874.8

申请日：2020-10-28

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘新胜 ,  刘永军 ,  刘景玲 ,  李二浩 ,  庄玉君 ,  程轲 ,  杜祖亮

IPC: C30B29/46 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C30B1/02 ,  C30B28/02 ,  C25B11/087 ,  C25B1/55 ,  C25B1/02

Abstract: 本发明公开一种硒化锑晶体、其制备方法及应用。本发明通过磁控溅射法制备硒化锑非晶预制层，硒化时将硒源和预制层分别置于双温区快速退火炉的两端，调节载气流量、硒化气压和双温区快速退火炉两端的升温程序，使硒化气压远低于硒源温度下单质硒的饱和蒸汽压，提高硒化时的硒通量，得到一个沿（hk0）取向生长的大晶粒硒化锑晶体。采用本发明的方法制备的硒化锑晶体沿（hk0）取向生长且具有较大的晶粒，有效避免了晶界和悬挂键对载流子传输的影响，提高了在特定方向上载流子的传输速率，能够有效提高光电化学产氢效率，在光电化学领域具有广泛应用。

公开(公告)号：CN118497681A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410632922.8

申请日：2024-05-21

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘新胜 ,  苗思雨 ,  刘景玲 ,  张世奇 ,  孙晓漫 ,  程轲 ,  杜祖亮

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  C23C14/06 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/67 ,  C25B1/02 ,  C25B1/55 ,  C25B11/04 ,  C01G19/00 ,  C01G17/00 ,  C01G30/00 ,  C01B19/04

Abstract: 本发明公开一种基于快速热蒸发的半导体薄膜原位掺杂制备装置及其制备半导体薄膜的方法，包括双温区退火炉以及设于双温区退火炉内的石英管，石英管的两端设有端盖，一端的端盖连接有供气管道，另一端的端盖连接带有阀门的抽气管道，石英管内设有薄膜沉积组件，所述薄膜沉积组件包括L形管、花洒结构、支撑架和支撑架盖，支撑架用于支撑衬底，L形管的水平部的末端和花洒结构连接，花洒结构的上端盖设有支撑架，支撑架的顶部盖设有支撑架盖，L形管竖直部的末端封闭，且L形管竖直部用于放置补充剂，L形管的水平部内设有导热条，导热条内设有放置掺杂剂的凹槽，所述花洒结构上设有容纳蒸发源的槽以及供补充剂和掺杂剂通过的毛细穿孔。

公开(公告)号：CN210956716U

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN202020106940.X

申请日：2020-01-17

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  刘新胜 ,  刘永军 ,  程轲 ,  刘景玲 ,  索欢 ,  乔雅俊

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0272

Abstract: 本申请公开一种持续提供活性硒的装置，属于太阳能电池领域，包括双温区退火炉以及设于双温区退火炉内的石英管、石墨盒和石墨盒盖，双温区退火炉从左至右包括T1温区和T2温区，石墨盒通过石英支架固定在T2温区，石墨盒内设有基底，石墨盒上盖设有石墨盒盖，石墨盒盖上设有供石英管穿过的石英管通道和供硒通道，石英管通道和供硒通道相互连通，石英管一端封闭、一端敞口，石英管的封闭端位于T1温区、敞口端位于T2温区，且石英管的封闭端设有硒源，硒源右端的石英管内设有传热媒介，石英管的敞口端位于石墨盒盖的石英管通道内，供硒通道和基底上下对应。

公开(公告)号：CN211713193U

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202020105129.X

申请日：2020-01-17

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  刘新胜 ,  刘永军 ,  程轲 ,  刘景玲 ,  索欢 ,  乔雅俊

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本申请公开一种原位补偿硒硫的磁控溅射靶材，属于磁控溅射镀膜技术领域，包括固定在背板或靶座上的基体和镶嵌体，基体包括环形的刻蚀区以及位于环形刻蚀区中部的非刻蚀区，镶嵌体设于非刻蚀区，镶嵌体由n个单元组成，n≥1，且n为整数。本实用新型在靶材中央非溅射区固定低熔点、易挥发的镶嵌体，利用磁控溅射过程中产生的余热，将镶嵌体物质蒸发到溅射腔室内，与被溅射物质反应，并一同沉积到薄膜内。来实现对磁控溅射制备的前驱体薄膜，将某组分进行均匀掺入的目的。减少后处理过程对薄膜的负面影响，来提高器件相关性能。