公开(公告)号：CN118497681A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410632922.8

申请日：2024-05-21

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘新胜 ,  苗思雨 ,  刘景玲 ,  张世奇 ,  孙晓漫 ,  程轲 ,  杜祖亮

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  C23C14/06 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L21/67 ,  C25B1/02 ,  C25B1/55 ,  C25B11/04 ,  C01G19/00 ,  C01G17/00 ,  C01G30/00 ,  C01B19/04

Abstract: 本发明公开一种基于快速热蒸发的半导体薄膜原位掺杂制备装置及其制备半导体薄膜的方法，包括双温区退火炉以及设于双温区退火炉内的石英管，石英管的两端设有端盖，一端的端盖连接有供气管道，另一端的端盖连接带有阀门的抽气管道，石英管内设有薄膜沉积组件，所述薄膜沉积组件包括L形管、花洒结构、支撑架和支撑架盖，支撑架用于支撑衬底，L形管的水平部的末端和花洒结构连接，花洒结构的上端盖设有支撑架，支撑架的顶部盖设有支撑架盖，L形管竖直部的末端封闭，且L形管竖直部用于放置补充剂，L形管的水平部内设有导热条，导热条内设有放置掺杂剂的凹槽，所述花洒结构上设有容纳蒸发源的槽以及供补充剂和掺杂剂通过的毛细穿孔。