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公开(公告)号：CN111825880B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010752449.9
申请日：2020-07-30
Applicant: 河南农业大学
Abstract: 本发明公开了高频响应多孔PEDOT:PSS薄膜材料，其制备方法是基于一种高分子聚合物PEDOT/PSS（聚3，4‑乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐），通过在PEDOT/PSS水溶液中加入极性共溶剂DMSO（二甲亚砜），搅拌均匀后，将混合溶液旋涂于滤纸上，置于烘箱中80℃干燥10 min，然后在室温下用浓硫酸处理12~24 h，之后用去离子水洗涤，最后烘干后得到高频响应多孔PEDOT:PSS薄膜材料，用其制作的超级电容器具有能量密度高、内阻小和高频响应性好的优点。
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公开(公告)号：CN111825880A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010752449.9
申请日：2020-07-30
Applicant: 河南农业大学
Abstract: 本发明公开了高频响应多孔PEDOT:PSS薄膜材料，其制备方法是基于一种高分子聚合物PEDOT/PSS（聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐），通过在PEDOT/PSS水溶液中加入极性共溶剂DMSO（二甲亚砜），搅拌均匀后，将混合溶液旋涂于滤纸上，置于烘箱中80℃干燥10 min，然后在室温下用浓硫酸处理12~24 h，之后用去离子水洗涤，最后烘干后得到高频响应多孔PEDOT:PSS薄膜材料，用其制作的超级电容器具有能量密度高、内阻小和高频响应性好的优点。
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公开(公告)号：CN113072148A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110382980.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 河南农业大学
IPC: C02F1/48 , C02F1/469 , C25C1/12 , C25C1/18 , C25C7/00 , C25C7/02 , C02F101/20 , C02F103/16
Abstract: 本发明提供了一种利用均匀电磁场处理收集废水中带电金属离子的装置，包括恒流源、恒压源、电极板、多匝线圈组以及溶液循环装置，所述恒流源和多匝线圈组相连接，恒压源和电极板相连接，电极板和多匝线圈组垂直设置，所述溶液循环装置包括开口容器，开口容器置于电极板和多匝线圈组的中心位置，确保开口容器处于均匀电磁场中。本发明装置可有效分离不同的金属离子，因而可用于重金属废水的净化处理和重金属分类回收再利用；本发明装置也可以用于重金属浓度检测预处理等。
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公开(公告)号：CN112068442A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010988527.5
申请日：2020-09-18
Applicant: 河南农业大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种周期DoS攻击下事件驱动SDOFQ控制器设计方法，包括以下步骤：A:建立对象模型、周期DoS攻击模型、安全事件驱动器模型及对称对数量化器模型；B:建立切换动态输出反馈量化控制器模型，并建立多约束下的闭环切换系统模型；C:设计多约束下切换动态输出反馈量化控制器设计条件，求出切换动态输出反馈量化控制器增益矩阵，最终得到多约束下满足系统需求的切换动态输出反馈量化控制器。本发明解决了之前系统在周期DoS攻击和量化多约束下不能稳定的问题；并能够避免周期DoS攻击诱导丢包现象和芝诺现象，解除了对象状态完全可测的假设限制。
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公开(公告)号：CN113805482B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202110963688.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 河南农业大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种欺骗攻击下事件触发DOFF量化控制器设计方法，包括以下步骤：A：建立T‑S模糊对象模型、离散事件触发器模型和对数量化器模型；B:建立欺骗攻击模型及DOFF量化控制器模型，并建立有机融合欺骗攻击、离散事件触发器、对数量化器及网络诱导延时参数的闭环T‑S模糊系统增广模型；C:设计有机融合欺骗攻击、离散事件触发器、对数量化器及网络诱导延时参数的DOFF量化控制器设计条件，求出正定矩阵及增益矩阵，利用阈值参数，得到适用于欺骗攻击及事件触发器影响下T‑S模糊系统的DOFF量化控制器。本发明能够解决现有T‑S模糊系统在欺骗攻击、数据量化及网络诱导延时影响下不能稳定的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111304622A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010258916.2
申请日：2020-04-03
Applicant: 河南农业大学
Abstract: 本发明是一种采用离子辅助沉积可控制备超晶格Sb-Te/Bi-Sb-Te薄膜的方法，该方法采用FJL560CI2离子束辅助沉积系统，制备工艺包括：把质量百分比纯度为99.99％的Sb2Te3和Bi1.5Sb0.5Te3靶材放入离子束辅助沉积镀膜室中；真空度达2.0×10-4Pa-4.0×10-4Pa时打开加热控温电源，设定加热温度200℃-400℃，开始对基底升温；打开溅射腔进气口，调节溅射离子源的溅射能量为0.8keV-1.2keV；关闭辅助腔Ar进气口，打开N2进气口，调节低能辅助轰击源的辅助能量为100eV-400eV；温度升至预定温度200℃-400℃后，调节气压至预定工作气压1×10-2Pa-3×10-2Pa；用电脑精确控制每个靶材的溅射时间，得到它们的单层薄膜与调制比tSb2Te3:tBi1.5Sb0.5Te3＝1:5-5:1及调制周期Λ＝10nm-150nm的多层膜；薄膜厚度为500nm-1000nm。该方法新颖简单实用有效，生产环境条件宽松，具有非常显著的实用价值和经济效益。
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公开(公告)号：CN113122809B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110271146.X
申请日：2021-03-12
Applicant: 河南农业大学
Abstract: 本发明涉及一种采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi‑Te‑Se膜的方法，步骤如下：(1)将质量百分比纯度为99.99％的Bi2Te2.7Se0.3粉末在3～5MPa压力下压制成块体；(2)柔性基底在无水乙醇和去离子水中分别超声清洗5～10min后取出，用氮气吹干；(3)将0.1～0.2g的Bi2Te2.7Se0.3材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室钨舟中，调节基底与钨舟的距离d＝8～11cm；(4)向真空室内充入2～8min氮气后停止，随后抽真空；(5)在PID控制器上设定沉积速率40～75nm/min，沉积时间40～60min；(6)开启交流电源，调节输出电流170～185A；打开样品台自转25～30r/min；在基底上沉积制备非晶柔性Bi2Te2.7Se0.3膜；(7)制备完毕。本发明方法简单、新颖，生产环境、反应条件宽松，具有非常显著的实用价值和经济效益。
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公开(公告)号：CN113072148B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110382980.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 河南农业大学
IPC: C02F1/48 , C02F1/469 , C25C1/12 , C25C1/18 , C25C7/00 , C25C7/02 , C02F101/20 , C02F103/16
Abstract: 本发明提供了一种利用均匀电磁场处理收集废水中带电金属离子的装置，包括恒流源、恒压源、电极板、多匝线圈组以及溶液循环装置，所述恒流源和多匝线圈组相连接，恒压源和电极板相连接，电极板和多匝线圈组垂直设置，所述溶液循环装置包括开口容器，开口容器置于电极板和多匝线圈组的中心位置，确保开口容器处于均匀电磁场中。本发明装置可有效分离不同的金属离子，因而可用于重金属废水的净化处理和重金属分类回收再利用；本发明装置也可以用于重金属浓度检测预处理等。
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公开(公告)号：CN113122809A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110271146.X
申请日：2021-03-12
Applicant: 河南农业大学
Abstract: 本发明涉及一种采用真空蒸发镀膜可控制备非晶柔性Bi‑Te‑Se膜的方法，步骤如下：(1)将质量百分比纯度为99.99％的Bi2Te2.7Se0.3粉末在3～5MPa压力下压制成块体；(2)柔性基底在无水乙醇和去离子水中分别超声清洗5～10min后取出，用氮气吹干；(3)将0.1～0.2g的Bi2Te2.7Se0.3材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室钨舟中，调节基底与钨舟的距离d＝8～11cm；(4)向真空室内充入2～8min氮气后停止，随后抽真空；(5)在PID控制器上设定沉积速率40～75nm/min，沉积时间40～60min；(6)开启交流电源，调节输出电流170～185A；打开样品台自转25～30r/min；在基底上沉积制备非晶柔性Bi2Te2.7Se0.3膜；(7)制备完毕。本发明方法简单、新颖，生产环境、反应条件宽松，具有非常显著的实用价值和经济效益。
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公开(公告)号：CN114267781A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111583294.1
申请日：2021-12-22
Applicant: 河南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热电效应的自供电温度传感器及制备方法和应用，旨在提供一种基于高性能碲化铋基薄膜热电材料的、灵敏度高、灵活性强的温度传感器及制备方法，以及在监测温室大棚土壤温度方面的应用。该温度传感器包括热电模块，所述热电模块包括基底板，基底板上有成散射状分布的N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜，N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜间隔设置，N型碲化铋薄膜和P型碲化锑薄膜通过薄膜电极串联起来集成多对P‑N结热电腿，基底板上沿薄膜电极形成的内圈设置有中心镂空孔，中心镂空孔处的镂空位置及内圈的薄膜电极通过高导热材料封装，在中间区域形成导热封装层。该传感器的灵敏度高，灵活性强，具有精准监测的能力。
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