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公开(公告)号：CN106048562B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610603943.2
申请日：2016-07-28
Applicant: 河北大学
IPC: C23C16/54 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种并行卷对卷真空镀膜系统及真空镀膜方法。本发明真空镀膜系统包括一个中央传输室、连接并分布在中央传输室周边的一个样品进出室和若干薄膜沉积反应室，在所述中央传输室与所述样品进出室和与所述薄膜沉积反应室的连接处分别设有真空阀门，以控制中央传输室与样品进出室以及控制中央传输室与薄膜沉积反应室之间的通道启闭；在薄膜沉积反应室中设置有等离子体反应气盒和收/放卷装置。本发明具有结构紧凑、生产效率高、工艺条件设定灵活等特点，可在同一工艺腔室中集成多个卷对卷反应装置，且能消除互相之间等离子体反应的干扰，从而实现在多个柔性料卷上的并行薄膜蒸镀。
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公开(公告)号：CN101805891A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010137317.1
申请日：2010-04-01
Applicant: 河北大学
Abstract: 本发明公开了一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法，首先将清洗好的衬底放置到对靶磁控溅射装置的基片台上，然后对对靶磁控溅射装置的反应室抽真空，并用氩等离子体清对靶磁控溅射装置的基片台和反应室器壁，再加热基片台，向反应室通入反应气体并调节气压，开启溅射电源并开始非晶氮化硅薄膜的沉积，至得到非晶氮化硅薄膜样品，最后在氢气保护下降温至室温，取出样品，完成氢化非晶氮化硅薄膜的沉积。本发明能够利用对靶磁控反应溅射沉积技术在低温下快速沉积氢化非晶氮化硅薄膜。
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公开(公告)号：CN106086822B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610603747.5
申请日：2016-07-28
Applicant: 河北大学
IPC: C23C16/54 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置，其结构是在真空反应室中设置有等离子体反应气盒和收/放卷装置，所述收/放卷装置设置在平置的滑动导轨上，所述等离子体反应气盒位于所述收/放卷装置的上方，并通过提升架与真空反应室上部的提升机构相连接；所述等离子体反应气盒与所述收/放卷装置之间的间隙构成等离子体辉光放电区。本发明可在同一真空反应室中集成多个卷对卷真空镀膜反应装置，并在多个柔性样品上实现批处理真空镀膜工艺。本发明适用于真空环境下高效连续的半导体薄膜生产工艺，并保证了批处理薄膜沉积时工艺条件的稳定以及防止反应气体的交叉污染。
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公开(公告)号：CN104238232B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410452297.5
申请日：2014-09-07
Applicant: 河北大学
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明公开了一种光折变空间光孤子的产生方法、装置及其应用，该方法是以532nm信号光聚焦入射沿光轴方向施加电场的光折变晶体SBN75，同时加入与所述信号光同源的非相干背景光。所述信号光与所述背景光的功率比值保持在1：30～1:100范围内，所述信号光功率为4～30μW。所述电场为与光轴方向相反的反向电场，电压为300～500V。光折变空间光孤子产生装置包括光折变晶体SBN75、提供入射光折变晶体的同源信号光和背景光的光源以及向所述光折变晶体沿光轴方向施加极性可变电场的电极板。本发明采用了电场极性控制光孤子产生来实现光路转换，在光控制和光通信方面具有很好地应用前景。
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公开(公告)号：CN106048562A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610603943.2
申请日：2016-07-28
Applicant: 河北大学
IPC: C23C16/54 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种并行卷对卷真空镀膜系统及真空镀膜方法。本发明真空镀膜系统包括一个中央传输室、连接并分布在中央传输室周边的一个样品进出室和若干薄膜沉积反应室，在所述中央传输室与所述样品进出室和与所述薄膜沉积反应室的连接处分别设有真空阀门，以控制中央传输室与样品进出室以及控制中央传输室与薄膜沉积反应室之间的通道启闭；在薄膜沉积反应室中设置有等离子体反应气盒和收/放卷装置。本发明具有结构紧凑、生产效率高、工艺条件设定灵活等特点，可在同一工艺腔室中集成多个卷对卷反应装置，且能消除互相之间等离子体反应的干扰，从而实现在多个柔性料卷上的并行薄膜蒸镀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105925947A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610326065.4
申请日：2016-05-17
Applicant: 河北大学
CPC classification number: C23C28/322 , C23C14/0036 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C28/345
Abstract: 本发明提供了一种纳米多层透明导电薄膜。该纳米多层透明导电薄膜是在基底上沉积有至少一个双层，该双层包括一弱氧化铜（CuOx）层和在CuOx层上的与其接触的、连续的超薄银层。CuOx层中氧与铜原子百分比x为0＜x≤20%；CuOx层厚度为0.5 nm~3 nm，银层厚度为2 nm~10 nm。与传统透明导电薄膜相比，该纳米多层结构透明导电薄膜具有高的光透过率、低的电阻率和表面粗糙度，用作太阳能电池、触摸屏等光电器件的透明电极可改善其性能，而且本发明中纳米多层透明导电薄膜制备时所需温度低，在室温下即可利用真空镀膜技术实现其高质量制备，便于利用卷绕式薄膜制备技术实现大面积低成本生产。
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公开(公告)号：CN101805894B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010137246.5
申请日：2010-04-01
Applicant: 河北大学
IPC: C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法，首先将清洗好的衬底放置到螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台上，然后对螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的反应室抽真空，并用氢等离子体清洗螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台和反应室器壁，再加热基片台，向反应室通入反应气体并调节气压，向螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的等离子体产生室施加磁场并开启射频电源，开始碳化硅薄膜的沉积，至得到碳化硅薄膜样品，最后在氢气保护下降温至室温，取出样品，完成氢化纳米晶态碳化硅薄膜的沉积。本发明能够在低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜。
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公开(公告)号：CN106086822A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610603747.5
申请日：2016-07-28
Applicant: 河北大学
IPC: C23C16/54 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置，其结构是在真空反应室中设置有等离子体反应气盒和收/放卷装置，所述收/放卷装置设置在平置的滑动导轨上，所述等离子体反应气盒位于所述收/放卷装置的上方，并通过提升架与真空反应室上部的提升机构相连接；所述等离子体反应气盒与所述收/放卷装置之间的间隙构成等离子体辉光放电区。本发明可在同一真空反应室中集成多个卷对卷真空镀膜反应装置，并在多个柔性样品上实现批处理真空镀膜工艺。本发明适用于真空环境下高效连续的半导体薄膜生产工艺，并保证了批处理薄膜沉积时工艺条件的稳定以及防止反应气体的交叉污染。
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公开(公告)号：CN104618016A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510006425.8
申请日：2015-01-07
Applicant: 河北大学
IPC: H04B10/11
Abstract: 本发明提供了一种自由空间光通信APT系统及其实现方法。所述自由空间光通信APT系统包括按顺序依次设置的光学天线、半波片、偏振片、光折变晶体和光电探测器；在所述光折变晶体相对的两侧面上还设置有用于向所述光折变晶体沿光轴方向施加电场的电极板。所述光学天线用于接收信号光并对所接收到的信号光进行聚焦；由光学天线出射的光束经半波片和偏振片后聚焦入射光折变晶体，当沿光折变晶体光轴方向施加电场后，光束在光折变晶体内由于光折变效应，形成孤子波导，所形成的孤子波导在光束消失后具有延时消失的特性，利用波导的此特性可在光束发生偏移时快速跟踪定位信号光，以提高自由空间光通信的质量，加强通信链路的稳定性。
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公开(公告)号：CN104618016B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510006425.8
申请日：2015-01-07
Applicant: 河北大学
IPC: H04B10/11
Abstract: 本发明提供了一种自由空间光通信APT系统及其实现方法。所述自由空间光通信APT系统包括按顺序依次设置的光学天线、半波片、偏振片、光折变晶体和光电探测器；在所述光折变晶体相对的两侧面上还设置有用于向所述光折变晶体沿光轴方向施加电场的电极板。所述光学天线用于接收信号光并对所接收到的信号光进行聚焦；由光学天线出射的光束经半波片和偏振片后聚焦入射光折变晶体，当沿光折变晶体光轴方向施加电场后，光束在光折变晶体内由于光折变效应，形成孤子波导，所形成的孤子波导在光束消失后具有延时消失的特性，利用波导的此特性可在光束发生偏移时快速跟踪定位信号光，以提高自由空间光通信的质量，加强通信链路的稳定性。
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