一种双腔室可控压力高温急冷热成形系统及工艺

    公开(公告)号:CN106587585B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201611183128.1

    申请日:2016-12-20

    摘要: 本发明涉及一种双腔室可控压力高温急冷热成形系统及工艺,其中,热成形系统包括:高温腔室,与高温腔室相连通的低温腔室和横向设置在低温腔室内且远离高温腔室一侧的送料杆;高温腔室包括密闭金属外壳、设置在密闭金属外壳内部的保温层、设置在密闭金属外壳上的加热电极以及载物托盘放置装置;密闭金属外壳上还设置有高温放气阀门和高温抽气阀门;高温腔室内靠近低温腔室的部分设置有隔温挡板;低温腔室由低温密闭金属外壳围成,内部包括冷却腔室、换料腔室和换料窗口;低温密闭金属外壳上还设置有低温充气阀门和低温抽气阀门;送料杆的行程能穿过低温腔室直达高温腔室的内部;高温抽气阀门与低温抽气阀门相连通。

    一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构

    公开(公告)号:CN112723298A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011607823.2

    申请日:2020-12-30

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: B81B3/00 B81B5/00 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构。具体是通过在刻蚀热量集中区域,如梳齿空隙,梁结构周围等需要被刻蚀区域下方设计散热结构,散热结构连接结构层与基底层,在结构硅层刻通之前,反应产生的热量通过散热柱传递至基底;结构硅层刻通之后,反应离子将继续刻蚀散热柱,一方面不影响可动结构运动,另一方面可以解决反应离子经基底反射刻蚀结构层背面的问题。该方法优点在于结构简单,易于设计,效果明显,一致性明显,可以有效解决单锚点MEMS器件深硅刻蚀步骤的散热途径长,散热不均匀,不同部分过刻量不同以及表面刻蚀缺陷等问题。

    一种用于微机电器件的非线性弹性约束结构及约束方法

    公开(公告)号:CN112287488A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011228319.1

    申请日:2020-11-06

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G06F30/17 G06F119/14

    摘要: 本发明涉及一种用于微机电器件的非线性弹性约束结构及约束方法,包括如下部件:若干固定体和一梁长约束体;若干直梁,若干所述直梁的第一端分别与若干所述固定体一一对应连接,若干所述直梁的第二端分别与所述梁长约束体连接;当所述直梁与所述梁长约束体连接的端点发生位移时,所述梁长约束体和所述固定体约束所述直梁在长度方向发生变形。本发明的非线性弹性约束结构与线性弹性约束结构相比,在相同的外力冲击下,可以减小可动部分的位移,避免可动部分与保护挡块碰撞,或减小碰撞时的撞击力,更好地保护器件微结构。

    一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级真空封装方法

    公开(公告)号:CN112209332A

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201910619306.8

    申请日:2019-07-10

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级真空封装方法。本发明方法所形成的整体结构包括基底层、器件层和盖帽层,在基底层上实现多层互联结构,优化走线布局,减小寄生电容,便于后续和外部电路之间的连接;器件层包括敏感结构、硅柱以及硅墙,硅柱用于连接盖帽层上的与基底层金属电极;硅墙分别与基底层和盖帽层键合形成真空封闭腔室。本发明方法将真空封装与MEMS敏感结构的加工合并,避免对裸芯片二次真空封装时可能带来的污染,同时可实现双面电极制作,为非平面运动信号的检测提供可能。

    一种单锚定点四质量块MEMS六轴惯性传感器

    公开(公告)号:CN106932609B

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201710119983.4

    申请日:2017-03-02

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01P15/125 G01C19/56

    摘要: 本发明涉及一种单锚定点四质量块MEMS六轴惯性传感器,该传感器包括具有中心对称结构支撑架、锚定支撑柱和质量块的结构层,通过锚定支撑柱与结构层固定连接的基板层和附着在基板层上靠近结构层一侧的电极层;锚定支撑柱固定设置在支撑架的对称中心,四个完全相同的质量块沿以锚定支撑柱为圆心的圆周对称均匀分布,并分别通过悬臂梁与支撑架固定连接,每个质量块均能在支撑架平面内相对于支撑架运动,也能在垂直于支撑架的平面内运动;电极层与结构层保持一定间距,且电极层在基板层上的位置与质量块的位置相对应,形成检测电容、驱动电容和/或力平衡电容;通过检测电容之间的差分信号提取得到相应自由度的加速度信号和每轴的角速度信号。

    一种外支撑四质量块MEMS谐振式陀螺仪

    公开(公告)号:CN105606083B

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201610128649.0

    申请日:2016-03-08

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01C19/574

    摘要: 本发明涉及一种外支撑四质量块MEMS谐振式陀螺仪,该陀螺仪包括基板层和位于基板层上方的结构层,结构层包括拥有四对称轴的八边形平面框架结构的支撑架,四根沿以支撑架对称中心为圆心的圆周对称均匀分布在支撑架外侧的锚定支撑柱,四个沿以支撑架对称中心为圆心的圆周对称均匀分布在支撑架内侧的质量块,四个分别设置在四个质量块与支撑架之间的驱动检测单元和四个分别设置在四个质量块远离支撑架一侧的驱动单元;相对的两个质量块完全相同,每个质量块接近支撑架的一侧设置有驱动检测电容可动极板、远离支撑架的一侧设置有驱动电容可动极板,质量块能在支撑架平面内产生“主模态”振动,或者产生“次模态”振动,或者同时产生“主模态”和“次模态”振动。

    一种单锚定点四质量块MEMS谐振式陀螺仪

    公开(公告)号:CN104931032B

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201510362795.5

    申请日:2015-06-26

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01C19/574

    CPC分类号: G01C19/574

    摘要: 本发明涉及一种单锚定点四质量块MEMS谐振式陀螺仪,该陀螺仪包括基板层和位于基板层上方的结构层,结构层包括:中心对称结构的支撑架,一端键合到基板层上、另一端固定连接于支撑架对称中心的锚定支撑柱和以锚定支撑柱为中心对称均匀分布在支撑架四周、并分别通过悬臂梁连接到支撑架上的四个质量块,每个质量块均能够在支撑架平面内产生“主模态”振动,或“次模态”振动,或同时产生“主模态”和“次模态”振动;基板层上还设置有固定电容极板,每个质量块内部设置有可动电容极板,固定电容极板与可动电容极板对应组合,形成与每个质量块相对应的驱动电容、驱动检测电容、检测电容和/或力平衡电容。本发明在角速度传感器领域有很高的应用价值。

    微机械陀螺寻北仪
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106092073A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610390871.8

    申请日:2016-06-02

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01C19/00

    CPC分类号: G01C19/00

    摘要: 本发明提供了一种微机械陀螺寻北仪。本发明提出的基于旋转调制技术的微机械陀螺寻北仪,采用了无线供电、无线通信传输的技术方案,内置式的一体化结构设计,实现了所述数字信号采集板与所述数字信号处理板之间的无线通信、以及无线供电。相对于现有技术,所述基于旋转调制技术的微机械陀螺寻北仪采用内置式一体化设计,省去了导电滑环与机械限位机构,大大减小了寻北仪的体积、及成本。

    一种外支撑四质量块MEMS谐振式陀螺仪

    公开(公告)号:CN105606083A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201610128649.0

    申请日:2016-03-08

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01C19/574

    CPC分类号: G01C19/574

    摘要: 本发明涉及一种外支撑四质量块MEMS谐振式陀螺仪,该陀螺仪包括基板层和位于基板层上方的结构层,结构层包括拥有四对称轴的八边形平面框架结构的支撑架,四根沿以支撑架对称中心为圆心的圆周对称均匀分布在支撑架外侧的锚定支撑柱,四个沿以支撑架对称中心为圆心的圆周对称均匀分布在支撑架内侧的质量块,四个分别设置在四个质量块与支撑架之间的驱动检测单元和四个分别设置在四个质量块远离支撑架一侧的驱动单元;相对的两个质量块完全相同,每个质量块接近支撑架的一侧设置有驱动检测电容可动极板、远离支撑架的一侧设置有驱动电容可动极板,质量块能在支撑架平面内产生“主模态”振动,或者产生“次模态”振动,或者同时产生“主模态”和“次模态”振动。