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公开(公告)号：CN110331427B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910497409.1
申请日：2019-06-10
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硅‑银纳米枝晶结构及其制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择P型硅片，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成，所述氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液按16:9:8的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅‑银纳米枝晶结构。本发明直接将硝酸银溶液加入到腐蚀多孔硅的电化学腐蚀液中，能一步合成多孔硅‑银纳米枝晶结构，步骤简单，操作方便，用时短，能快速、高效的制备具有良好的SERS性能的基底。
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公开(公告)号：CN109100308A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810966501.3
申请日：2018-08-23
Applicant: 江苏大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明提供基于布洛赫表面波的多孔硅生物传感器及其设计方法，包括至下而上依次连接的硅基底层、Bragg反射镜层、缓冲层和圆孔型光子晶体光栅层；所述Bragg反射镜层包括N个周期循环交替排列的高孔隙率多孔硅层和低孔隙率多孔硅层；所述圆孔型光子晶体光栅层上设有晶格排列的空气孔周期阵列；所述空气孔周期阵列以晶格常数a排列。本发明利用严格耦合波分析法，首次在硅基底层上设计一种简单的全多孔硅多层电介质光栅结构，使得多孔硅生物传感器的灵敏度大幅度提高，本发明具有检测灵敏度高、结构简单和检测精确等优点。
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公开(公告)号：CN105085204A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510251918.8
申请日：2015-05-18
Applicant: 江苏大学
IPC: C07C43/295 , C07K16/44 , C07K14/795 , C07K14/765 , C07K14/77 , C07K14/47
CPC classification number: C07C43/295 , C07K14/765 , C07K14/77 , C07K14/795 , C07K16/44
Abstract: 本发明属于有机合成、免疫化学及生物化学领域，涉及三氯生人工抗原及其合成方法和抗体的制备。将三氯生和丁二酸酐按1:1.2的摩尔比溶于吡啶中，水浴搅拌反应；用旋转蒸发仪除去吡啶，加入双蒸水，用乙酸乙酯萃取，再水洗乙酸乙酯相，用旋转蒸发仪除去乙酸乙酯，得到三氯生半抗原化合物，三氯生半抗原化合物通过碳二酰亚胺EDC活化后，与大分子蛋白偶联，获得三氯生人工抗原化合物。本发明通过简单的合成方法获得一种三氯生半抗原，最大程度的保留了三氯生的特异性结构；并制备了相应的人工抗原；通过免疫动物获得的多克隆抗体效价高，特异性强，对三氯生IC50可达3.6ng/mL。
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公开(公告)号：CN110240118A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910429927.X
申请日：2019-05-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种孔隙率较高的中阻P型多孔硅薄膜及其快速制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择中阻P型硅片；制备样品：在P型硅片上设置铝膜，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液包括氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF，所述氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF按4:3的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到高深宽比中阻P型宏孔硅结构；可以保证在高的刻蚀速率下快速制备出适合MEMS器件应用的空隙率较高的中阻P型多孔硅薄膜，且所制备的多孔硅薄膜形貌规则，结构均匀。
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公开(公告)号：CN109100308B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810966501.3
申请日：2018-08-23
Applicant: 江苏大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明提供基于布洛赫表面波的多孔硅生物传感器及其设计方法，包括至下而上依次连接的硅基底层、Bragg反射镜层、缓冲层和圆孔型光子晶体光栅层；所述Bragg反射镜层包括N个周期循环交替排列的高孔隙率多孔硅层和低孔隙率多孔硅层；所述圆孔型光子晶体光栅层上设有晶格排列的空气孔周期阵列；所述空气孔周期阵列以晶格常数a排列。本发明利用严格耦合波分析法，首次在硅基底层上设计一种简单的全多孔硅多层电介质光栅结构，使得多孔硅生物传感器的灵敏度大幅度提高，本发明具有检测灵敏度高、结构简单和检测精确等优点。
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公开(公告)号：CN110331427A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910497409.1
申请日：2019-06-10
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种多孔硅-银纳米枝晶结构及其制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择P型硅片，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成，所述氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液按16:9:8的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅-银纳米枝晶结构。本发明直接将硝酸银溶液加入到腐蚀多孔硅的电化学腐蚀液中，能一步合成多孔硅-银纳米枝晶结构，步骤简单，操作方便，用时短，能快速、高效的制备具有良好的SERS性能的基底。
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