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公开(公告)号：CN118053908A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410133115.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管存储器及制备方法，属于集成电路器件技术领域。所述氮化镓晶体管存储器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、本征氮化镓层和本征铝镓氮层，所述本征铝镓氮层上并列设置有氧化铝隧穿层、源极和漏极，所述氧化铝隧穿层上依次生长有HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层以及栅极；其中，采用GaN/AlGaN异质结所产生的二维电子气来作为存储在HfZrO铁电材料层中的电子来源。本发明采用有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)在本征铝镓氮层上依次外延出氧化铝隧穿层、HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层的结构，形成了氮化镓晶体管存储器。本发明提供的氮化镓基存储器件基于氮化镓基三极管结构，具有存储速率高、存储稳定等优势。
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公开(公告)号：CN115985970B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211722619.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。
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公开(公告)号：CN115360235A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210951099.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/283 , H01L21/329 , C01B21/06
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，氮化镓肖特基势垒二极管，由衬底、缓冲层、n+GaN外延层、n‑GaN外延层、欧姆电极、肖特基电极和导电层组成；其中，所述衬底、所述缓冲层、所述n+GaN外延层和所述n‑GaN外延层自下而上依次接触；所述欧姆电极与所述n+GaN外延层的上表面构成欧姆接触；所述肖特基电极与所述n‑GaN外延层的上表面构成肖特基接触；所述欧姆电极和所述肖特基电极的上表面覆盖导电层。本发明采用等离子体氮化形成的氮化镍作为肖特基电极，具有更高的稳定性和更低的反向泄漏电流。
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公开(公告)号：CN118782644A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410489058.0
申请日：2024-04-23
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种P沟道氮化铝晶体管及其制备方法，本发明涉及电力电子器件领域，包括MIS结构，包括第一部分、氮化铝钪势垒层、P层；所述P层顶部中心处设有N帽层，所述N帽层上方沉积有电介质层，所述电介质层上方沉积有栅极。通过调整氮化铝钪势垒层厚度可以提高p沟道的空穴浓度，在栅金属与异质结构间插入N帽层，可以耗尽p沟道中的二维空穴气，以实现器件的增强特性。
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公开(公告)号：CN118712272A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410846450.6
申请日：2024-06-27
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开了一种三维石墨电极结构金刚石辐射探测器的制作方法，包括如下步骤：在金刚石晶片上制备条形金属掩膜；刻蚀未被金属掩膜覆盖的区域，去除金属掩膜；生长本征单晶金刚石外延层；制备金属钨叉指电极并连接沟槽阵列；置于微波等离子体腔体中，进行氢气等离子体、甲烷‑氢气等离子体处理，使金刚石晶片与金属钨叉指电极交界处的本征单晶金刚石外延层转变成石墨层；紫外臭氧照射将表面氢终端转变为氧终端，使用酸溶液去除金属钨叉指电极，得到三维石墨电极结构金刚石辐射探测器。本发明比激光加工加工精度高，电极尺寸设计灵活度高，不会在晶片内产生较大应力，不会引起晶片开裂，有利于载流子的收集，为提高器件灵敏度、响应时间奠定基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118299430A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410308290.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了饱和电流非对称的氮化镓射频肖特基二极管及其制造方法，属于微电子技术领域。本发明的肖特基二极管从下而上依次包括：衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和本征AlGaN势垒层；本征AlGaN势垒层上设有欧姆阴极和双金属氮化物凹槽肖特基阳极，双金属氮化物凹槽肖特基阳极包括：里侧的低功函数肖特基阳极和外侧的高功函数肖特基阳极，高功函数肖特基阳极与低功函数肖特基阳极之间采用空气桥连接。本发明在保持低开启电压和低反向漏电流的同时，有效降低结电容。此外，本发明无需精密光刻工艺，即可实现零寄生电容，有效改善高频性能，显著提升了器件在微波整流电路中的性能。
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公开(公告)号：CN118099202A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410168672.7
申请日：2024-02-06
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/47 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了涉及一种氮化镓晶体管器件及制备方法，属于半导体领域。本发明的氮化镓HEMT器件包括由下而上依次设置衬底1、缓冲层2、GaN层3、AlGaN层4、原位ScN钝化保护层5，源极8和漏极6分别穿过所述原位ScN钝化保护层5与所述AlGaN层4形成欧姆接触，栅极7穿过所述原位ScN钝化保护层5与所述AlGaN层4形成肖特基接触，本发明利用ScN材料形成钝化层，一方面，ScN与AlGaN晶格常数更为匹配从而减少器件表面的缺陷，另一方面实验结果证明，本发明可以有效地缓解二维电子气的降低，改善了电流崩塌效应与动态电阻上升的问题。
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公开(公告)号：CN117976728A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410187954.1
申请日：2024-02-20
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/41 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种低开启电压的氮化镓二极管及制造方法，属于半导体技术领域。所述的氮化镓二极管从下至上依次设置衬底、GaN缓冲层、GaN外延层、AlGaN外延层，AlGaN外延层设有凹槽结构，AlGaN外延层上放并列设有第一阳极、第二阳极、阴极，与阴极之间的接触方式为欧姆接触，凹槽结构上方设有阳极2，所述AlGaN外延层与阳极1和阳极2之间的接触方式分别为肖特基接触1和肖特基接触2。本发明使用凹槽结构的深度调控器件的开启电压，通过采用不同的肖特基接触功函数实现阈值电压和反向漏电的调节，从而实现低开启电压和低反向漏电的氮化镓二极管。
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公开(公告)号：CN117878599A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410148112.5
申请日：2024-02-02
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种无源自调控的整流液晶天线系统，属于无线通信与微波技术领域。所述系统包括：液晶天线、整流电路和MOS管；液晶天线接收微波信号，所述整流电路将接收到的微波信号转化并输出直流电压，所述直流电压作用到所述MOS管的栅极和漏极，所述MOS管的源极连接至所述液晶天线表面。本发明通过液晶天线与整流器的结合设计，形成反馈结构，无需外部供给直流电，通过整流器的输出直流电压从而实现谐振频率连续可重构，结构简单、易于制造，有效地控制了液晶天线的尺寸，拓展了应用场景。
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公开(公告)号：CN115360235B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210951099.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/283 , H01L21/329 , C01B21/06
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，氮化镓肖特基势垒二极管，由衬底、缓冲层、n+GaN外延层、n‑GaN外延层、欧姆电极、肖特基电极和导电层组成；其中，所述衬底、所述缓冲层、所述n+GaN外延层和所述n‑GaN外延层自下而上依次接触；所述欧姆电极与所述n+GaN外延层的上表面构成欧姆接触；所述肖特基电极与所述n‑GaN外延层的上表面构成肖特基接触；所述欧姆电极和所述肖特基电极的上表面覆盖导电层。本发明采用等离子体氮化形成的氮化镍作为肖特基电极，具有更高的稳定性和更低的反向泄漏电流。
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