公开(公告)号：CN118299430A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410308290.X

申请日：2024-03-18

Applicant: 江南大学

Inventor： 李秋璇 ,  李杨 ,  朱霞 ,  黄韧频 ,  刘澎博 ,  时文祥 ,  刘涛 ,  姚俊超 ,  王霄 ,  陈治伟 ,  敖金平

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了饱和电流非对称的氮化镓射频肖特基二极管及其制造方法，属于微电子技术领域。本发明的肖特基二极管从下而上依次包括：衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和本征AlGaN势垒层；本征AlGaN势垒层上设有欧姆阴极和双金属氮化物凹槽肖特基阳极，双金属氮化物凹槽肖特基阳极包括：里侧的低功函数肖特基阳极和外侧的高功函数肖特基阳极，高功函数肖特基阳极与低功函数肖特基阳极之间采用空气桥连接。本发明在保持低开启电压和低反向漏电流的同时，有效降低结电容。此外，本发明无需精密光刻工艺，即可实现零寄生电容，有效改善高频性能，显著提升了器件在微波整流电路中的性能。

公开(公告)号：CN118112891A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410198514.6

申请日：2024-02-22

Applicant: 江南大学

Inventor： 刘澎博 ,  李杨 ,  李秋璇 ,  姚俊超 ,  黄韧频 ,  朱霞 ,  周溢辉 ,  张逸然 ,  王霄 ,  陈治伟 ,  敖金平

IPC: G03F7/09 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种在绝缘衬底使用低电压实现电子束光刻窄线条的方法，属于半导体器件及集成电路制造工艺技术领域。本发明利用电子束光刻技术与镀内、外层导电层的技术手段结合以制备纳米尺度的精细图案，不仅能够通过外层导电层的设置防止电荷积累的情况发生，而且还能够通过内层导电层的设置使得电子束易于穿透导电层达到电子束光刻胶从而防止图形漂移现象出现，提高了样品的导电性，同时也使得需求电压大大降低。