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公开(公告)号：CN118782644A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410489058.0
申请日：2024-04-23
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种P沟道氮化铝晶体管及其制备方法，本发明涉及电力电子器件领域，包括MIS结构，包括第一部分、氮化铝钪势垒层、P层；所述P层顶部中心处设有N帽层，所述N帽层上方沉积有电介质层，所述电介质层上方沉积有栅极。通过调整氮化铝钪势垒层厚度可以提高p沟道的空穴浓度，在栅金属与异质结构间插入N帽层，可以耗尽p沟道中的二维空穴气，以实现器件的增强特性。
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公开(公告)号：CN118299430A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410308290.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了饱和电流非对称的氮化镓射频肖特基二极管及其制造方法，属于微电子技术领域。本发明的肖特基二极管从下而上依次包括：衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和本征AlGaN势垒层；本征AlGaN势垒层上设有欧姆阴极和双金属氮化物凹槽肖特基阳极，双金属氮化物凹槽肖特基阳极包括：里侧的低功函数肖特基阳极和外侧的高功函数肖特基阳极，高功函数肖特基阳极与低功函数肖特基阳极之间采用空气桥连接。本发明在保持低开启电压和低反向漏电流的同时，有效降低结电容。此外，本发明无需精密光刻工艺，即可实现零寄生电容，有效改善高频性能，显著提升了器件在微波整流电路中的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117878599A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410148112.5
申请日：2024-02-02
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种无源自调控的整流液晶天线系统，属于无线通信与微波技术领域。所述系统包括：液晶天线、整流电路和MOS管；液晶天线接收微波信号，所述整流电路将接收到的微波信号转化并输出直流电压，所述直流电压作用到所述MOS管的栅极和漏极，所述MOS管的源极连接至所述液晶天线表面。本发明通过液晶天线与整流器的结合设计，形成反馈结构，无需外部供给直流电，通过整流器的输出直流电压从而实现谐振频率连续可重构，结构简单、易于制造，有效地控制了液晶天线的尺寸，拓展了应用场景。
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公开(公告)号：CN118054576A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410146050.4
申请日：2024-02-02
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高Q值电感的低功率微波整流器，属于微波无线能量传输技术领域。所述微波整流器包括：50欧姆匹配微带线、隔直电容、T型微带匹配网络、整流二极管、高Q值电感、调谐微带线、带阻微带滤波器和直流负载；本发明在整流二极管阳极引入了一个高Q值电感，明显降低了二极管在亚阈值区的动态电阻损耗，从而提升了整流器在低功率下的整流效率，且用单二极管并联整流结构，则其在正向导通时具有较低的导通压降，从而减少了功率损耗；本发明还引入了一个基于多枝节微带线的带阻滤波器，有效地抑制了整流二极管产生的二次谐波、三次谐波，可以为一些低功率设备提供稳定电压，并且提高整流器的直流转换效率。
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公开(公告)号：CN116209337A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310147195.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 江南大学
IPC: H10N30/30 , H10N30/01 , H01L29/778 , H01L21/335 , G01L1/16 , G01L9/08
Abstract: 本发明公开了一种多沟道GaN压力传感器件及其制备方法，包括由下至上依次设置的衬底、沟道结构层、设置于沟道结构层上的栅极以及位于沟道结构层两侧的源极和漏极；其中，沟道结构层由多层堆叠的GaN层和AlGaN势垒层构成，GaN层位于AlGaN势垒层下方。本发明通过多次进行AlGaN/GaN材料的堆叠构成多沟道压力传感器在微纳尺度方面，可以较大的提高相关性能参数，灵敏度高、可靠性强、检测限低。
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公开(公告)号：CN116153933A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310263055.0
申请日：2023-03-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种GaN基CMOS器件及其制备方法，包括衬底；缓冲层，缓冲层的下表面与所述衬底接触；外延层，由位于所述缓冲层上表面的PMOS区和NMOS区构成；以及，电极，包括在所述NMOS区设置的NMOS肖特基栅电极、NMOS欧姆电极以及在所述PMOS区设置的PMOS欧姆电极和PMOS肖特基栅电极；其中，所述NMOS肖特基栅电极和所述PMOS肖特基栅电极均为鳍状结构。本发明的GaN基CMOS器件，载流子迁移率大大提升，栅控能力更强，栅泄漏较小，具有更广的实用范围。
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公开(公告)号：CN118112891A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410198514.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种在绝缘衬底使用低电压实现电子束光刻窄线条的方法，属于半导体器件及集成电路制造工艺技术领域。本发明利用电子束光刻技术与镀内、外层导电层的技术手段结合以制备纳米尺度的精细图案，不仅能够通过外层导电层的设置防止电荷积累的情况发生，而且还能够通过内层导电层的设置使得电子束易于穿透导电层达到电子束光刻胶从而防止图形漂移现象出现，提高了样品的导电性，同时也使得需求电压大大降低。
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